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Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
3N90L-TN3-R

3N90L-TN3-R-UTC(友顺)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • Modelo3N90L-TN3-R
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de 900v resistente a la presión (vgs (th) @ id) - resistencia de conducción n del canal de 90w de potencia 3a actual (pd) (rds (on) @ vgs, id) ≤ 3,5 @ vgs = 10v, id = 1,5a encapsulado to - 252 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 3n90l - tn3 - R serie 3n90l
  • PDF 3N90L-TN3-R.pdf
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UT3400G-AE3-R

UT3400G-AE3-R-UTC(友顺)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloUT3400G-AE3-R
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) - corriente 5.8a Potencia (pd) 1.4w Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 28 MWH @ vgs = 10v, id = 5.8a 33 MWH @ vgs = 4.5v, id = 5.0a 52 MWH @ vgs = 2.5v, id = 4.0a encapsulado tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca UTC (shun) ut3400g - ae3 - 340r serie G
  • PDF UT3400G-AE3-R.pdf
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30N06-TN3-R

30N06-TN3-R-UTC(友顺)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • Modelo30N06-TN3-R
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Corriente 30a Potencia (pd) 46w Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 40mwh @ 10v, 15a encapsulado to - 252 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 30n06 - tn3 - R serie 30n06
  • PDF 30N06-TN3-R.pdf
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2N60G-CB-AA3-R

2N60G-CB-AA3-R-UTC(友顺)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • Modelo2N60G-CB-AA3-R
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónTensión umbral de 600v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 44w de potencia 2a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 5omega @ 10v, 1a encapsulada Sot - 223 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 2n60g - CB - aa3 - R serie 2n60g
  • PDF 2N60G-CB-AA3-R.pdf
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7N65KL-TN3-R

7N65KL-TN3-R-UTC(友顺)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • Modelo7N65KL-TN3-R
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de 650v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 55w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 7a (pd) 1,6 Omega @ 10v, encapsulada en 3,5a con tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca UTC (youshun) 7n65kl - tn3 - R serie 7n65
  • PDF 7N65KL-TN3-R.pdf
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4N90CL-TF3-T

4N90CL-TF3-T-UTC(友顺)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • Modelo4N90CL-TF3-T
  • PaqueteTO-220F
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de 900v resistente a la presión (vgs (th) @ id) - corriente 4.0a Potencia (pd) 28w Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 4.5omega @ vgs = 10v, id = 2.0a encapsulado Sot - 223 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 4n90cl - tf3 - T serie 4n90cls
  • PDF 4N90CL-TF3-T.pdf
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UT8205AG-P08-R

UT8205AG-P08-R-UTC(友顺)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloUT8205AG-P08-R
  • PaqueteTSSOP-8
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Corriente 6a Potencia (pd) Canal 1.5w 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 28momega @ 4.5v, 6a encapsulado tssop - 8 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) ut8205ag - p08 - R serie ut8205ag
  • PDF UT8205AG-P08-R.pdf
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7N65L-TN3-R

7N65L-TN3-R-UTC(友顺)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • Modelo7N65L-TN3-R
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de 650v resistente a la presión (vgs (th) @ id) - corriente 7a Potencia (pd) 48w Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 1,3 Omega @ vgs = 10v, id = 3,5a encapsulado to - 252 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 7n65l - tn3 - R serie 7n65l
  • PDF 7N65L-TN3-R.pdf
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2N60G-LC1-AA3-R

2N60G-LC1-AA3-R-UTC(友顺)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • Modelo2N60G-LC1-AA3-R
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de 600v resistente a la presión (vgs (th) @ id) - potencia 2a actual (pd) 2,3w Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) ≤ 5,0 @ vgs = 10v, id = 1,0a encapsulado Sot - 223 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 2n60g - lc1 - aa3 - R serie 2n60g
  • PDF 2N60G-LC1-AA3-R.pdf
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4N60G-TN3-R

4N60G-TN3-R-UTC(友顺)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • Modelo4N60G-TN3-R
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteUTC(友顺)
  • DescripciónVoltaje umbral de 600v resistente a la presión (vgs (th) @ id) - resistencia de conducción n del canal de 50w de potencia 4a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 2,5 @ vgs = 10 v, id = 2,2a encapsulado to - 252 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 4n60g - tn3 - R serie 4n60g
  • PDF 4N60G-TN3-R.pdf
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