DescripciónVoltaje umbral de 600v resistente a la presión (vgs (th) @ id) RDS (on) = 2,3 Omega @ vgs = 10v corriente 4a Potencia (pd) 33w Canal N voltaje umbral de puerta 4,0v encapsulado "to - 220f" tubo de efecto de campo (mosfet) marca microne Nanjing weimeng mem4n60a3g serie mem4n60
DescripciónResistencia a la presión 600v voltaje (vgs (th) @ id) to - 220f corriente 2a Potencia (pd) 41w Canal N voltaje umbral de puerta vgs (th) 4.0v encapsulado to - 220f Field efector (mosfet) marca microne Nanjing weimeng men2n60a3g serie men2n60
DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 3a Potencia (pd) 0,69 W Canal N tensión de fuente de puerta vgss ± 20 V encapsulado Sot - 89 tubo de efecto de campo (mosfet) marca UTC (youshun) ut3n06g - ab3 - R serie ut3n06
DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 3a Potencia (pd) 0,35 W Canal N tensión de fuente de puerta vgss ± 20 V encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca UTC (youshun) ut3n06g - ae3 - R serie ut3n06
DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 450mV@250uA Corriente 2.4a Potencia (pd) Canal de 1.25w resistencia a la conducción N (rds (on) @ vgs, id) 95mwh @ 2.5v, 3.1a encapsulado Sot - 23 - 3 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) ut2302g - ae2 - R serie ut2302
DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 450mV@250uA Corriente 2.4a Potencia (pd) Canal de 1.25w resistencia a la conducción N (rds (on) @ vgs, id) 50momega @ 4.5v, 7.2a encapsulado tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca UTC (youshun) ut2302g - ae3 - R serie ut2302
DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del Canal 2w de corriente 6.2a Power (pd) (rds (on) @ vgs, id) 40mwh @ 10v, paquete SOP - 8 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) ut4421g - so8 - R serie ut4421