DescripciónVoltaje umbral de 200v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 40w (rds (on) @ vgs, id) 180mwh @ 10v, 10a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 220f (mosfet) marca UTC (youshun) uf640l - tf3 - T serie uf640l
DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 5.3a Potencia (pd) 2.5w canal P resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 50mwh @ 10v, 5.3a encapsulado Sot - 223 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) ut9435hg - aa3 - R serie ut9435
DescripciónResistencia a la presión 100v corriente de avalancha 3a corriente 1a Potencia (pd) 0,9w Canal N tensión de puerta ± 20 V encapsulamiento to - 92 tubo de efecto de campo (mosfet) marca UTC (youshun) uk2962l - t9n - B serie uk2962l
DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@1mA Corriente 300ma Potencia (pd) 350mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 2omega @ 10v, 300ma encapsulado Sot - 23 - 3 tubo de efecto de campo (mosfet) marca UTC (youshun) 2n7002kg - ae2 - R serie 2n7002
DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 200MW de corriente 300ma (pd) resistencia de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 7,5 Omega @ 300m, embalaje de 10v Sot - 23 - 3 efectores de campo (mosfet) marca UTC (youshun) 2n7002g - ae2 - R serie 2n7002
DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@1mA Resistencia de conducción n del canal de 200MW de corriente 300ma (pd) resistencia de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 7,5 Omega @ 300m, embalaje de 10v Sot - 363 efectores de campo (mosfet) marca UTC (youshun) 2n7002zdwg - al6 - R serie 2n7002
DescripciónVoltaje umbral de 700v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4.5V@250uA Resistencia de conducción n del Canal 77w de corriente 15a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 450mohm @ 10v, 7.5a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca UTC (youshun) 15nm70g - U2 - tn3 - R serie 15nm70g
DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Resistencia de conducción n del canal de corriente 8a Power (pd) 5.2w (rds (on) @ vgs, id) 12mwh @ 10v, 8a encapsulado SOP - 8 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) utm6016g - so8 - R serie utm6016g
DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 14.7a Potencia (pd) 37.4w Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 100mwh @ 10v, 8a encapsulado to - 252 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 15n10l - tn3 - R serie 15n10l
DescripciónVoltaje umbral de 650v resistente a la presión (vgs (th) @ id) < 0,86 @ vgs = 10v corriente 10a Potencia (pd) 50w Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 1,2omega @ 10v, 5a encapsulado to - 220f1 Field efector (mosfet) marca UTC (youshun) 10n65l - tf1 - T serie 10n65l