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Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
BS870-7-F

BS870-7-F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBS870-7-F
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 300mw (rds (on) @ vgs, id) de 250ma de Potencia (pd) de 500ma 5 Omega @ 10v, 200ma encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) serie bs870 - 7 - F bs870
  • PDF BS870-7-F.pdf
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DMC2053UVT-7

DMC2053UVT-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMC2053UVT-7
  • PaqueteSOT-26
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 4.6a; 3.2a Potencia (pd) 700mw canal 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 35mwh @ 5a, 4.5; 74momega @ 3.5a, 4.5v encapsulado Sot - 26 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmc2053uwt - 7 serie dmc2053uwt
  • PDF DMC2053UVT-7.pdf
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DMP2088LCP3-7

DMP2088LCP3-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2088LCP3-7
  • PaqueteX2-DSN1006-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.2V@250uA Corriente 2.9a Potencia (pd) resistencia de conducción P del canal de 1.13w (rds (on) @ vgs, id) 88mwh @ 8v, 500ma encapsulado X2 - dsn1006 - 3 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (midea) dmp2088lcp3 - 7 serie dmp2088lcp3
  • PDF DMP2088LCP3-7.pdf
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DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG4466SSS-13
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.4V@250uA Resistencia de conducción n del canal de corriente 10a (pd) 1,42w (rds (on) @ vgs, id) 23momega @ 10v, 10a encapsulada SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmg4466sss - 13 serie dmg4466sss
  • PDF DMG4466SSS-13.pdf
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DMT6008LFG-7

DMT6008LFG-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMT6008LFG-7
  • PaquetePowerDI3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 13a; 60a Potencia (pd) 2,2w; Resistencia de conducción n del Canal 41w (rds (on) @ vgs, id) 7,5 MWH @ 10v, 20a encapsulada powerdi3333 - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmt6008lfg - 7 serie dmt6008lfg
  • PDF DMT6008LFG-7.pdf
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DMP2123L-7

DMP2123L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2123L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.25V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1,4w de potencia 3a actual (pd) (rds (on) @ vgs, id) 72mwh @ 4,5v, encapsulada en 3,5a con tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (midea) dmp2123l - 7 serie dmp2123l
  • PDF DMP2123L-7.pdf
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DMC21D1UDA-7B

DMC21D1UDA-7B-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMC21D1UDA-7B
  • PaqueteDFN-6(0.6x0.8)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 328ma; Canal de 455 ma de Potencia (pd) 300mw 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 990 MWH @ 100ma, 4.5; 1.9 Omega @ 100ma, 4.5v encapsulado dfn - 6 (0.6x0.8) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmc21d1uda - 7b serie dmc21d1uda
  • PDF DMC21D1UDA-7B.pdf
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DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN65D8LDW-7
  • PaqueteSOT-363
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 180ma Potencia (pd) 300mw canal 2 resistencia de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 6omega @ 10v, 115ma encapsulado Sot - 363 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn65d8ldw - 7 serie dmn65d8ldw
  • PDF DMN65D8LDW-7.pdf
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DMN4800LSS-13

DMN4800LSS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN4800LSS-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.6V@250uA Resistencia de conducción n del canal de corriente 9a Power (pd) 146w (rds (on) @ vgs, id) 16mohm @ 10v, 9a encapsulada so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmn4800lss - 13 serie dmn4800lss
  • PDF DMN4800LSS-13.pdf
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DMP3007SCG-7

DMP3007SCG-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3007SCG-7
  • PaqueteV-DFN3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de corriente 50a (pd) 2,4w (rds (on) @ vgs, id) 6,8mwh @ 10v, 11,5a encapsulada V - dfn3333 - 8 efectores de campo (mosfet) marca diodes (midea) dmp3007scg - 7 serie dmp3007scg
  • PDF DMP3007SCG-7.pdf
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