Sobre nosotros Contáctanos 1986587488919865874889
Idiomas
Plataforma de servicio integral de componentes electrónicos
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Todos los productos
Casa Fabricante Productos BOM Blog Solución Sobre nosotros Contáctanos
Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
DMP2035UVTQ-7

DMP2035UVTQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2035UVTQ-7
  • PaqueteSOT-23-6
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Resistencia de conducción P del Canal 2w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 7.2a Power (pd) 35mwh @ 4a, 4.5v encapsulada Sot - 23 - 6 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2035uvtq - 7 Series dmp2035uvtq
  • PDF DMP2035UVTQ-7.pdf
Consulta
DMN6066SSS-13

DMN6066SSS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN6066SSS-13
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 3.7a Potencia (pd) Canal de 1.56w resistencia de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 66mwh @ 4.5a, 10v encapsulado SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn6066sss - 13 serie dmn6066sss
  • PDF DMN6066SSS-13.pdf
Consulta
ZVN4106FTA

ZVN4106FTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZVN4106FTA
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@1mA Corriente 200ma Potencia (pd) 350mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 2,5 Omega @ 10v, 500ma encapsulado Sot - 23 - 3 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) zvn4106fta serie zvn4106fta
  • PDF ZVN4106FTA.pdf
Consulta
DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN30H4D0LFDE-7
  • PaqueteDFN-6(2x2)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónTensión umbral de 300v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.8V@250uA Corriente 550ma Potencia (pd) 630mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 4 Omega @ 10v, 300ma encapsulado dfn - 6 (2x2) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn30h4d0lfde - 7 serie dmn30h4d0lfde
  • PDF DMN30H4D0LFDE-7.pdf
Consulta
DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMTH6004SK3-13
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Corriente 100a Potencia (pd) 3,9w; Resistencia de conducción n del canal 180W (rds (on) @ vgs, id) 3,8mwh @ 10v, 90a encapsulado to - 252 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmth6004sk3 - 13 serie dmth6004sk3
  • PDF DMTH6004SK3-13.pdf
Consulta
DMN62D0U-7

DMN62D0U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN62D0U-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 380ma Potencia (pd) 380mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 2omega @ 4,5v, 100ma encapsulado Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmn62d0u - 7 serie dmn62d0u
  • PDF DMN62D0U-7.pdf
Consulta
DMP3037LSS-13

DMP3037LSS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3037LSS-13
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.4V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1,2w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 5,8a (pd) 32mwh @ 10v, 7a encapsulada en tubos de efecto de campo SOP - 8 (mosfet) marca diodes (midea) dmp3037lss - 13 serie dmp3037lss
  • PDF DMP3037LSS-13.pdf
Consulta
DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN63D8LV-7
  • PaqueteSOT-563
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Corriente 260ma Potencia (pd) 450mw canal 2 resistencia de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 2,8 Omega @ 10v, 200ma encapsulado Sot - 563 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn63d8lv - 7 serie dmn63d8lv
  • PDF DMN63D8LV-7.pdf
Consulta
DMN1260UFA-7B

DMN1260UFA-7B-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN1260UFA-7B
  • PaqueteDFN-3(0.6x0.8)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 12v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 360mw (rds (on) @ vgs, id) 366mwh @ 200ma, encapsulada en 4.5v dfn - 3 (0.6x0.8) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (midea) dmn1260ufa - 7b serie dmn1260ufa
  • PDF DMN1260UFA-7B.pdf
Consulta
2N7002E-7-F

2N7002E-7-F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • Modelo2N7002E-7-F
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 370mw (rds (on) @ vgs, id) 3 Omega @ 10v, 250ma encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) 2n7002e - 7 - F serie 2n7002e
  • PDF 2N7002E-7-F.pdf
Consulta
Total 1180 Records«Prev1... 3031323334353637...118Next»
Shenzhen Huaxin Zhengyou Electronics Co., Ltd.