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Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
DMN62D0U-13

DMN62D0U-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN62D0U-13
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 380ma Potencia (pd) 380mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 2 Omega @ 100ma, 4.5v encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn62d0u - 13 serie dmn62d0u
  • PDF DMN62D0U-13.pdf
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DMP21D5UFB4-7B

DMP21D5UFB4-7B-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP21D5UFB4-7B
  • PaqueteDFN-3(0.6x1)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 700ma Potencia (pd) 460mw resistencia de conducción P del Canal (rds (on) @ vgs, id) 970mohm @ 5v, 100ma encapsulada dfn - 3 (0,6x1) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmp21d5ufb4 - 7b serie dmp21d5ufb4
  • PDF DMP21D5UFB4-7B.pdf
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DMN3200U-7

DMN3200U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3200U-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 2.2a Potencia (pd) 650mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 90mwh @ 4.5v, 2.2a encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3200u - 7 serie dmn3200u
  • PDF DMN3200U-7.pdf
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BSS138-13-F

BSS138-13-F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBSS138-13-F
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 300mw de 200 ma de Potencia (pd) (rds (on) @ vgs, id) 3,5 Omega @ 10v, 220ma encapsulada Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) bss138 - 13 - F serie bss138
  • PDF BSS138-13-F.pdf
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ZVN4525E6TA

ZVN4525E6TA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZVN4525E6TA
  • PaqueteSOT-26
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 250V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.8V@1mA Corriente 230ma Potencia (pd) Canal de 1,1w resistencia a la conducción N (rds (on) @ vgs, id) 8,5 Omega @ 10v, 500ma encapsulado Sot - 26 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) zvn4525e6ta serie zvn4525e6ta
  • PDF ZVN4525E6TA.pdf
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DMN60H080DS-7

DMN60H080DS-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN60H080DS-7
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónTensión umbral de 600v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 1,1w (rds (on) @ vgs, id) 100 Omega @ 60ma, embalaje de 10v Sot - 23 - 3 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn60h080ds - 7 serie dmn60h080ds
  • PDF DMN60H080DS-7.pdf
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DMT6016LFDF-7

DMT6016LFDF-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMT6016LFDF-7
  • PaqueteDFN-6(2x2)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 8.9a Potencia (pd) 820mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 16mwh @ 10v, 10a encapsulado dfn - 6 (2x2) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmt6016lfdf - 7 serie dmt6016lfdf
  • PDF DMT6016LFDF-7.pdf
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ZXMP6A17E6TA

ZXMP6A17E6TA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMP6A17E6TA
  • PaqueteSOT-26
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1,1w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 2.3a Potencia (pd) 125mwh @ 10v, 2.3a encapsulada Sot - 26 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) zxmp6a17e6ta serie zxmp6a17e6ta
  • PDF ZXMP6A17E6TA.pdf
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DMP6185SEQ-13

DMP6185SEQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP6185SEQ-13
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de corriente 3a Power (pd) 2.2w (rds (on) @ vgs, id) 150 MWH @ 10v, embalaje Sot - 223 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp6185seq - 13 serie dmp6185seq
  • PDF DMP6185SEQ-13.pdf
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DMP3010LPSQ-13

DMP3010LPSQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3010LPSQ-13
  • PaquetePowerDI5060-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de corriente 36a Power (pd) 2.18w (rds (on) @ vgs, id) 7.5momega @ 10v, 10a encapsulada powerdi5060 - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp3010lpsq - 13 serie dmp3010lpsq
  • PDF DMP3010LPSQ-13.pdf
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