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Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
ZXMP4A16GTA

ZXMP4A16GTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMP4A16GTA
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del Canal 2w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 6.4a (pd) 60mwh @ 10v, 3.8a encapsulada Sot - 223 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) zxmpe4a16gta Series zxmpe4a16gta
  • PDF ZXMP4A16GTA.pdf
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ZVN4206GTA

ZVN4206GTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZVN4206GTA
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@1mA Resistencia de conducción n del Canal 2w de potencia 1a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 1omega @ 10v, encapsulado en 1.5a con tubo de efecto de campo Sot - 223 (mosfet) marca diodes (midea) zvn4206gta serie zvn4206gta
  • PDF ZVN4206GTA.pdf
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DMP2004TK-7

DMP2004TK-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2004TK-7
  • PaqueteSOT-523
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 430ma Potencia (pd) 150mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 1,1omega @ 4,5v, 430ma encapsulado Sot - 523 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2004tk - 7 serie dmp2004tk
  • PDF DMP2004TK-7.pdf
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BSS84WQ-7-F

BSS84WQ-7-F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBSS84WQ-7-F
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@1mA Resistencia de conducción P del canal de 200 MW (rds (on) @ vgs, id) de 130 Ma de Potencia (pd) 10 Omega @ 5v, 100 ma encapsulada Sot - 323 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) bss84wq - 7 - F serie bss84wq
  • PDF BSS84WQ-7-F.pdf
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DMN53D0LQ-7

DMN53D0LQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN53D0LQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Corriente 500ma Potencia (pd) 370mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 1,6 Omega @ 10v, 500ma encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn53d0lq - 7 serie dmn53d0lq
  • PDF DMN53D0LQ-7.pdf
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DMN62D0UW-7

DMN62D0UW-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN62D0UW-7
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 320mw (rds (on) @ vgs, id) 2 Omega @ 100ma, encapsulada en 4.5v Sot - 323 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmn62d0uw - 7 serie dmn62d0uw
  • PDF DMN62D0UW-7.pdf
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DMN67D7L-7

DMN67D7L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN67D7L-7
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 570 MW (rds (on) @ vgs, id) de 210ma de Potencia (pd) de 5 Omega @ 500ma, 10v encapsulada Sot - 23 - 3 efectores de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn67d7l - 7 serie dmn67d7l
  • PDF DMN67D7L-7.pdf
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DMN6140LQ-7

DMN6140LQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN6140LQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 1.6a Potencia (pd) 700mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 140mwh @ 10v, 1.8a encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn6140lq - 7 serie dmn6140lq
  • PDF DMN6140LQ-7.pdf
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ZXMP7A17GTA

ZXMP7A17GTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMP7A17GTA
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 70v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 2.6a Potencia (pd) Canal 2w resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 160mwh @ 10v, 2.1a encapsulado Sot - 223 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) zxmp7a17gta serie zxmp7a17gta
  • PDF ZXMP7A17GTA.pdf
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DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN1019UVT-7
  • PaqueteSOT-26
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 12v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 800mV@250uA Corriente 10.7a Potencia (pd) 1.73w Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 10momega @ 4.5v, 9.7a encapsulado Sot - 26 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn1019 serie dmn1019 uvt
  • PDF DMN1019UVT-7.pdf
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