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Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
DMP3098LSD-13

DMP3098LSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3098LSD-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.1V@250uA Corriente 4.4a Potencia (pd) Canal 1.8w 2 resistencias de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 65mwh @ 5a, 10v encapsulado so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmp3098lsd - 13 serie dmp3098lsd
  • PDF DMP3098LSD-13.pdf
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DMN3016LFDE-7

DMN3016LFDE-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3016LFDE-7
  • PaqueteUDFN2020-6-EP
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 730mw de corriente 10a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 12mwh @ 10v, 11a encapsulada udfn2020 - 6 - EP Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3016lfde - 7 serie dmn3016lfde
  • PDF DMN3016LFDE-7.pdf
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DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3135LVT-7
  • PaqueteSOT-26
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.2V@250uA Corriente 3.5a Potencia (pd) Canal de 840mw 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 60mwh @ 10v, 3.1a encapsulado Sot - 26 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3135lvt - 7 serie dmn3135lvt
  • PDF DMN3135LVT-7.pdf
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DMTH6010LPDQ-13

DMTH6010LPDQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMTH6010LPDQ-13
  • PaqueteTDFN-8-Power
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 13.1a; 47.6a Potencia (pd) 2.8w canal 2 resistencia de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 11mwh @ 20a, 10v encapsulado tdfn - 8 - power Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmth6010lpdq - 13 serie dmth6010lpdq
  • PDF DMTH6010LPDQ-13.pdf
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DMN2310U-7

DMN2310U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2310U-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 950mV@250uA Corriente 1.6a Potencia (pd) 480mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 175mwh @ 300ma, 4.5v encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2310u - 7 serie dmn2310u
  • PDF DMN2310U-7.pdf
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DMN3020UFDF-7

DMN3020UFDF-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3020UFDF-7
  • PaqueteDFN2020-6
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 15a Potencia (pd) 2.03w Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 19 MWH @ 4.5a, 4.5v encapsulado dfn2020 - 6 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn30202ufdf - 7 serie dmn3020ufdf
  • PDF DMN3020UFDF-7.pdf
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DMN3018SSS-13

DMN3018SSS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3018SSS-13
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.1V@250uA Resistencia de conducción n del Canal N (rds (on) @ vgs, id) de corriente 7.3a Potencia (pd) 1.4w @ 10v, 10a encapsulada SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn3018 SSS - 13 serie dmn3018 sss
  • PDF DMN3018SSS-13.pdf
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ZXMP3A13FTA

ZXMP3A13FTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMP3A13FTA
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 1.4a Potencia (pd) 625 MW canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 210mwh @ 10v, 1.4a encapsulado Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) zxmp3a13fta serie zxmp3a13fta
  • PDF ZXMP3A13FTA.pdf
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BSS84Q-7-F

BSS84Q-7-F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBSS84Q-7-F
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@1mA Corriente 130 Ma Potencia (pd) 300mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 10 Omega @ 10v, 12.6a encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) bss84q - 7 - F serie bss84q
  • PDF BSS84Q-7-F.pdf
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DMG7430LFG-7

DMG7430LFG-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG7430LFG-7
  • PaquetePowerDI3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 900 MW (rds (on) @ vgs, id) de corriente 10.5a (pd) de 11 MWH @ 10v, encapsulada en 20a con tubo de efecto de campo powerdi333 - 8 (mosfet) marca diodes (meitai) dmg7430lfg - 7 serie dmg7430lfg
  • PDF DMG7430LFG-7.pdf
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