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Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
ZVN2106A

ZVN2106A-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZVN2106A
  • PaqueteTO-92
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.4V@1mA Resistencia a la conducción n del canal de 700 MW (rds (on) @ vgs, id) 2 Omega @ 10v con corriente de 450 ma y potencia (pd), 1a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 92 (mosfet) marca diodes (midea) serie zvn2106a zvn2106a
  • PDF ZVN2106A.pdf
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DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN32D2LFB4-7
  • PaqueteDFN-3(0.6x1)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.2V@250uA Corriente 300ma Potencia (pd) 350mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 1,2omega @ 4v, 100ma encapsulado dfn - 3 (0,6x1) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn32d2lfb4 - 7 serie dmn32d2lfb4
  • PDF DMN32D2LFB4-7.pdf
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DMG7401SFG-7

DMG7401SFG-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG7401SFG-7
  • PaquetePowerDI3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 9.8a Potencia (pd) 940mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 11mwh @ 202v, 12a encapsulado powerdi333 - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmg7401sfg - 7 serie dmg7401sfg
  • PDF DMG7401SFG-7.pdf
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DMN2041L-7

DMN2041L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2041L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.2V@250uA Corriente 6.4a Potencia (pd) 780mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 28mwh @ 4.5v, 6a encapsulado Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2041l - 7 serie dmn2041l
  • PDF DMN2041L-7.pdf
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ZVP4525ZTA

ZVP4525ZTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZVP4525ZTA
  • PaqueteSOT-89
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 250V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@1mA Corriente 205ma Potencia (pd) 1,2w canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 14 Omega @ 10v, 200ma encapsulado Sot - 89 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) zvp4525zta serie zvp4525zta
  • PDF ZVP4525ZTA.pdf
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DMG1016V-7

DMG1016V-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG1016V-7
  • PaqueteSOT-563
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 870 ma; 640ma Power (pd) 530mw Channel 1 n y 1 P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 400mohm @ 600ma, 4.5v encapsulado Sot - 563 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmg1016v - 7 serie dmg1016v
  • PDF DMG1016V-7.pdf
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DMG2305UXQ-7

DMG2305UXQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG2305UXQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1,4w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 4.2a Power (pd) 52mwh @ 4,5v, 4.2a encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmg2305uxq - 7 serie dmg2305uxq
  • PDF DMG2305UXQ-7.pdf
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DMP2066LSN-7

DMP2066LSN-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2066LSN-7
  • PaqueteSC-59
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.2V@250uA Corriente 4.6a Potencia (pd) resistencia de conducción P del canal de 1.25w (rds (on) @ vgs, id) 40momega @ 4.5v, 4.6a encapsulada SC - 59 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2066lsn - 7 serie dmp2066lsn
  • PDF DMP2066LSN-7.pdf
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DMNH6042SSDQ-13

DMNH6042SSDQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMNH6042SSDQ-13
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 16.7a Potencia (pd) 2.1w canal 2 resistencia de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 50mwh @ 10v, 5.1a encapsulado SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmnh6042ssdq - 13 serie dmnh6042ssdq
  • PDF DMNH6042SSDQ-13.pdf
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DMN601DWK-7

DMN601DWK-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN601DWK-7
  • PaqueteSOT-363-6
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@1mA Corriente 305 ma Potencia (pd) Canal de 200 MW 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 2 Omega @ 10v, 500ma encapsulado Sot - 363 - 6 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn601dwk - 7 serie dmn601dwk
  • PDF DMN601DWK-7.pdf
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