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DIODES(美台)

DIODES(美台)

DMC6040SSD-13

DMC6040SSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMC6040SSD-13
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 5.1a; 3.1a Potencia (pd) Canal 1.24w 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 40mwh @ 8a, 10v encapsulado SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) DMC 604ssd - 13 serie DMC 6040ssd
  • PDF DMC6040SSD-13.pdf
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DMN2058U-7

DMN2058U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2058U-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.2V@250uA Corriente 4.6a Potencia (pd) 1.13w Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 35mwh @ 10v, 6a encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2058u - 7 serie dmn2058u
  • PDF DMN2058U-7.pdf
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BSS123Q-7

BSS123Q-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBSS123Q-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@1mA Corriente 170ma Potencia (pd) 300mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 6omega @ 10v, 170ma encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) bss123q - 7 serie bss123q
  • PDF BSS123Q-7.pdf
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DMTH6016LPSQ-13

DMTH6016LPSQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMTH6016LPSQ-13
  • PaquetePowerDI-5060-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 9.8a; 37a Potencia (pd) 37,5w; Resistencia de conducción n del Canal 2.6w (rds (on) @ vgs, id) 16mwh @ 20a, encapsulada en 10v powerdi - 5060 - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmth6016lpsq - 13 serie dmth6016lpsq
  • PDF DMTH6016LPSQ-13.pdf
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DMP2004K-7

DMP2004K-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2004K-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 600ma Potencia (pd) 550mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 900mwh @ 4,5v, 430ma encapsulado Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2004k - 7 serie dmp2004k
  • PDF DMP2004K-7.pdf
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DMP6023LFGQ-13

DMP6023LFGQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP6023LFGQ-13
  • PaquetePowerDI-3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 7.7a (pd) 25mwh @ 5a, encapsulada en 10v con tubo de efecto de campo powerdi - 3333 - 8 (mosfet) marca diodes (meitai) dmp6023lfgq - 13 serie dmp6023lfgq
  • PDF DMP6023LFGQ-13.pdf
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DMG2301LK-7

DMG2301LK-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG2301LK-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 2.4a Potencia (pd) 840mw canal P resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 160mwh @ 4.5v, 1a encapsulado Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmg2301lk - 7 serie dmg2301lk
  • PDF DMG2301LK-7.pdf
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DMP4025LSD-13

DMP4025LSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP4025LSD-13
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.8V@250uA Corriente 6.9a Potencia (pd) Canal de 1,8w 2 resistencias de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 25mwh @ 10v, 3a encapsulado SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmp4025lsd - 13 serie dmp4025lsd
  • PDF DMP4025LSD-13.pdf
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ZXMP10A17E6TA

ZXMP10A17E6TA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMP10A17E6TA
  • PaqueteSOT-26
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1,1w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 1.3a Potencia (pd) 350 MWH @ 10v, 1.4a encapsulada Sot - 26 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) zxmp10a17e6ta serie zxmp10a17e6ta
  • PDF ZXMP10A17E6TA.pdf
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DMP6018LPSQ-13

DMP6018LPSQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP6018LPSQ-13
  • PaquetePowerDI5060-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 60a Potencia (pd) 113w; Resistencia de conducción P del canal de 2,6w (rds (on) @ vgs, id) 18mwh @ 17a, encapsulada en 10v powerdi5060 - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp6018lpsq - 13 serie dmp6018lpsq
  • PDF DMP6018LPSQ-13.pdf
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DMP3056LDM-7

DMP3056LDM-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3056LDM-7
  • PaqueteSOT-26
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1.25w (rds (on) @ vgs, id) 45mwh @ 10v, 5a encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 26 (mosfet) marca diodes (midea) dmp3056ldm - 7 serie dmp3056ldm
  • PDF DMP3056LDM-7.pdf
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2N7002H-7

2N7002H-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • Modelo2N7002H-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 170ma Potencia (pd) 370mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 7,5 Omega @ 5v, 50ma encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) 2n7002h - 7 serie 2n7002h
  • PDF 2N7002H-7.pdf
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DMT6016LSS-13

DMT6016LSS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMT6016LSS-13
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Resistencia de conducción n del Canal N (rds (on) @ vgs, id) de corriente 9.2a Potencia (pd) 1.5w @ 10v, 10a encapsulada SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmt6016lss - 13 serie dmt6016lss
  • PDF DMT6016LSS-13.pdf
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ZXMP6A13FTA

ZXMP6A13FTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMP6A13FTA
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 900ma Potencia (pd) 625mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 400mohm @ 10v, 900ma encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) zxmp6a13fta serie zxmp6a13fta
  • PDF ZXMP6A13FTA.pdf
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BSS123WQ-7-F

BSS123WQ-7-F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBSS123WQ-7-F
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@1mA Corriente 170ma Potencia (pd) 200MW Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 6omega @ 10v, 170ma encapsulado Sot - 323 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) bss123wq - 7 - F serie bss123wq
  • PDF BSS123WQ-7-F.pdf
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DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG6601LVT-7
  • PaqueteSOT-26
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Corriente 3.8a; 2.5a Potencia (pd) 850mw canal 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 55mwh @ 3.4a, 10v encapsulado Sot - 26 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmg6601lvt - 7 serie dmg6601lvt
  • PDF DMG6601LVT-7.pdf
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DMN2230U-7

DMN2230U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2230U-7
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 600mw de potencia 2a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 110mwh @ 4.5v, encapsulada en 2.5a con tubo de efecto de campo Sot - 23 - 3 (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2230u - 7 serie dmn2230u
  • PDF DMN2230U-7.pdf
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DMN2300UFB4-7B

DMN2300UFB4-7B-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2300UFB4-7B
  • PaqueteDFN-3(0.6x1)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 950mV@250uA Resistencia de conducción n del canal de 500mw de corriente 1.3a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 175mwh @ 4.5v, 300ma encapsulada dfn - 3 (0.6x1) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2300ufb4 - 7b serie dmn2300ufb4
  • PDF DMN2300UFB4-7B.pdf
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DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMT8012LK3-13
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 80v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 2,7w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 44a (pd) 17mwh @ 10v, 12a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca diodes (meitai) dmt8012lk3 - 13 serie dmt8012lk3
  • PDF DMT8012LK3-13.pdf
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DMNH6021SK3Q-13

DMNH6021SK3Q-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMNH6021SK3Q-13
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción n del Canal N de corriente 50a (pd) 2,1w (rds (on) @ vgs, id) 23momega @ 10v, 12a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca diodes (meitai) dmnh6021sk3q - 13 serie dmnh6021sk3q
  • PDF DMNH6021SK3Q-13.pdf
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