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DIODES(美台)

DIODES(美台)

DMPH6050SK3Q-13

DMPH6050SK3Q-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMPH6050SK3Q-13
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 7.2a; Resistencia de conducción P del canal de 1,9w de Potencia 23.6a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 50mwh @ 10v, 7a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca diodes (meitai) dmph6050sk3q - 13 serie dmph6050sk3q
  • PDF DMPH6050SK3Q-13.pdf
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DMP2240UDM-7

DMP2240UDM-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2240UDM-7
  • PaqueteSOT-26
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 2a Potencia (pd) Canal de 600mw 2 resistencias de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 150mohm @ 4,5v, 2a encapsulado Sot - 26 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2240udm - 7 serie dmp2240udm
  • PDF DMP2240UDM-7.pdf
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DMN2058UW-7

DMN2058UW-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2058UW-7
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.2V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 500mw de corriente 3.5a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 42mwh @ 3a, embalaje de 10v Sot - 323 efectores de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2058uw - 7 serie dmn2058uw
  • PDF DMN2058UW-7.pdf
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DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG3415UFY4Q-7
  • PaqueteDFN-3(1.5x2)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 16v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 2.5a Potencia (pd) 650mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 39mwh @ 4a, 4.5v encapsulado dfn - 3 (1.5x2) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmg3415ufy4q - 7 serie dmg3415ufy4q
  • PDF DMG3415UFY4Q-7.pdf
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DMP3125L-7

DMP3125L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3125L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.1V@250uA Corriente 2.5a Potencia (pd) 650mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 95mwh @ 10v, 3.8a encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp3125l - 7 serie dmp3125l
  • PDF DMP3125L-7.pdf
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DMP6110SSD-13

DMP6110SSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP6110SSD-13
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 3.3a Potencia (pd) Canal 1.2w 2 resistencias de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 105mohm @ 10v, 4.5a encapsulado SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp6110ssd - 13 serie dmp6110ssd
  • PDF DMP6110SSD-13.pdf
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DMP4015SPSQ-13

DMP4015SPSQ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP4015SPSQ-13
  • PaquetePowerDI5060-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 8.5a Potencia (pd) resistencia de conducción P del Canal 1.3w (rds (on) @ vgs, id) 11mwh @ 10v, 9.8a encapsulada powerdi5060 - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp4015spsq - 13 serie dmp4015spsq
  • PDF DMP4015SPSQ-13.pdf
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DMP2160UW-7

DMP2160UW-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2160UW-7
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@250uA Corriente 1.5a Potencia (pd) resistencia de conducción P del canal de 350 MW (rds (on) @ vgs, id) 100 MWH @ 4.5v, 1.5a encapsulada Sot - 323 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2160uw - 7 serie dmp2160uw
  • PDF DMP2160UW-7.pdf
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DMG1024UV-7

DMG1024UV-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG1024UV-7
  • PaqueteSOT-563
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 1.38a Potencia (pd) 530mw canal 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 450mohm @ 600ma, 4.5v encapsulado Sot - 563 efectores de campo (mosfet) marca diodes (midea) dmg1024uv - 7 serie dmg1024uv
  • PDF DMG1024UV-7.pdf
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DMG3414U-7

DMG3414U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG3414U-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@250uA Resistencia de conducción n del Canal N de 780 MW (rds (on) @ vgs, id) de corriente 4.2a Power (pd) 25mwh @ 4.5v, 8.2a encapsulando el tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) dmg3414u - 7 serie dmg3414u
  • PDF DMG3414U-7.pdf
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DMP4065SQ-7

DMP4065SQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP4065SQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 2.4a Potencia (pd) 720mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 80mwh @ 4.2a, 10v encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp4065sq - 7 serie dmp4065sq
  • PDF DMP4065SQ-7.pdf
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ZXM61P03FTA

ZXM61P03FTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXM61P03FTA
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 1.1a Potencia (pd) 625 MW canal P resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 350 MWH @ 10v, 600ma encapsulado Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) zxm61p03fta serie zxm61p03fta
  • PDF ZXM61P03FTA.pdf
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DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN63D8LW-13
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Corriente 380ma Potencia (pd) 300mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 2,8 Omega @ 10v, 250ma encapsulado Sot - 323 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmn63d8lw - 13 serie dmn63d8lw
  • PDF DMN63D8LW-13.pdf
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DMN5L06K-7

DMN5L06K-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN5L06K-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 300ma Potencia (pd) 350mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 2omega @ 5v, 50ma encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn5l06k - 7 serie dmn5l06k
  • PDF DMN5L06K-7.pdf
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DMTH8003SPS-13

DMTH8003SPS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMTH8003SPS-13
  • PaquetePowerDI5060-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 80v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Corriente 100a Potencia (pd) 2,9w Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 3,9mwh @ 10v, 30a encapsulado powerdi5060 - 8 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmth8003sps - 13 serie dmth8003sps
  • PDF DMTH8003SPS-13.pdf
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BSS138Q-7-F

BSS138Q-7-F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBSS138Q-7-F
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 300mw de 200 ma de Potencia (pd) (rds (on) @ vgs, id) 3,5 Omega @ 10v, 220ma encapsulada Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) bss138q - 7 - F serie bss138q
  • PDF BSS138Q-7-F.pdf
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DMP4015SSS-13

DMP4015SSS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP4015SSS-13
  • PaqueteSO-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 9.1A Potencia (pd) resistencia de conducción P del canal de 145w (rds (on) @ vgs, id) 11mwh @ 10v, 9.8a encapsulado so - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp4015sss - 13 serie dmp4015sss
  • PDF DMP4015SSS-13.pdf
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ZXMP10A13FQTA

ZXMP10A13FQTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMP10A13FQTA
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 625 MW de corriente 600ma (pd) (rds (on) @ vgs, id) 1 Omega @ 600ma, embalaje de 10v Sot - 23 - 3 tubos de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) zxmp10a13fqta serie zxmp10a13fqta
  • PDF ZXMP10A13FQTA.pdf
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DMC2400UV-13

DMC2400UV-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMC2400UV-13
  • PaqueteSOT-563
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@250uA Corriente 103a; 700ma de Potencia (pd) 450mw canal 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 350mohm @ 4,5v, 200ma; 700momega @ 4.5v, 100ma encapsulado Sot - 563 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmc2400uv - 13 serie dmc2400uv
  • PDF DMC2400UV-13.pdf
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DMC2004DWK-7

DMC2004DWK-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMC2004DWK-7
  • PaqueteSOT-363-6
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónFabricante diodes (meitai) clasificación de productos tubo de efecto de campo (mosfet) serie dmc2004dwk tipo de instalación SMT encapsulamiento / carcasa Sot - 363 - 6 tensión umbral (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 540ma; 430ma de Potencia (pd) 250mw resistencia a la presión 20v resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 400mwh @ 4,5v, 540ma; 700momega @ 4,5v, 430ma canal 1 n y 1 P
  • PDF DMC2004DWK-7.pdf
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