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DIODES(美台)

DIODES(美台)

DMP4015SK3Q-13

DMP4015SK3Q-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP4015SK3Q-13
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 14a; Resistencia de conducción P del canal de 35a Power (pd) 3.5w (rds (on) @ vgs, id) 11mwh @ 10v, 9.8a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca diodes (meitai) dmp4015sk3q - 13 serie dmp4015sk3q
  • PDF DMP4015SK3Q-13.pdf
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DMG1013T-7

DMG1013T-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG1013T-7
  • PaqueteSOT-523
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 460ma Potencia (pd) 270mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 700mohm @ 4,5v, 350 ma encapsulado Sot - 523 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmg1013t - 7 serie dmg1013t
  • PDF DMG1013T-7.pdf
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DMN13H750S-7

DMN13H750S-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN13H750S-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónTensión umbral de 130 V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 770mw de corriente 1a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 750mwh @ 10v, embalaje 2A de la marca Sot - 23 Field efector (mosfet) diodes (meitai) dmn13h750s - 7 serie dmn13h750s
  • PDF DMN13H750S-7.pdf
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DMP2165UW-7

DMP2165UW-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2165UW-7
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 2.5a Potencia (pd) resistencia de conducción P del canal de 500mw (rds (on) @ vgs, id) 90 MWH @ 4.5v, 1.5a encapsulada Sot - 323 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2165uw - 7 serie dmp2165uw
  • PDF DMP2165UW-7.pdf
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DMG6968U-7

DMG6968U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG6968U-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@250uA Corriente 6.5a Potencia (pd) resistencia de conducción n del Canal 1.3w (rds (on) @ vgs, id) 25mwh @ 4.5v, 6.5a encapsulada Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmg6968u - 7 serie dmg6968u
  • PDF DMG6968U-7.pdf
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BSS84DW-7-F

BSS84DW-7-F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBSS84DW-7-F
  • PaqueteSOT-363-6
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@1mA Corriente 130 Ma Potencia (pd) 300mw canal 2 resistencias de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 10 Omega @ 5v, 100ma encapsulado Sot - 363 - 6 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) bss84dw - 7 - F serie bss84dw
  • PDF BSS84DW-7-F.pdf
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DMN2005K-7

DMN2005K-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2005K-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@100uA Resistencia de conducción n del canal de 350mw (rds (on) @ vgs, id) de 300ma de Potencia (pd) 1,7omega @ 2,7v, 200ma encapsulada Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2005k - 7 serie dmn2005k
  • PDF DMN2005K-7.pdf
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ZXMP6A17GTA

ZXMP6A17GTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXMP6A17GTA
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del Canal 2w de potencia 3a actual (pd) (rds (on) @ vgs, id) 125 MWH @ 10v, encapsulada en 2.2a con tubo de efecto de campo Sot - 223 (mosfet) marca diodes (meitai) zxmp6a17gta serie zxmp6a17gta
  • PDF ZXMP6A17GTA.pdf
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ZVP3310FTA

ZVP3310FTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZVP3310FTA
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3.5V@1mA Corriente 75ma Potencia (pd) 330mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 20 Omega @ 10v, 150ma encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (midea) zvp3310fta serie zvp3310fta
  • PDF ZVP3310FTA.pdf
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DMG1013UW-7

DMG1013UW-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG1013UW-7
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 310mw (rds (on) @ vgs, id) 750mwh @ 4,5v, 430ma encapsulada Sot - 323 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmg1013uw - 7 serie dmg1013uw
  • PDF DMG1013UW-7.pdf
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DMP4047LFDE-7

DMP4047LFDE-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP4047LFDE-7
  • PaqueteDFN-6(2x2)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.2V@250uA Corriente 3.3a Potencia (pd) 700mw canal P resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 33mwh @ 10v, 4.4a encapsulado dfn - 6 (2x2) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (midea) dmp4047lfde - 7 serie dmp4047lfde
  • PDF DMP4047LFDE-7.pdf
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DMP2022LSS-13

DMP2022LSS-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2022LSS-13
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de corriente 10a (pd) 2,5w (rds (on) @ vgs, id) 13 MWH @ 10v, 10a encapsulada SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmp2022lss - 13 serie dmp2022lss
  • PDF DMP2022LSS-13.pdf
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DMHT6016LFJ-13

DMHT6016LFJ-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMHT6016LFJ-13
  • PaqueteDFN-12(4.5x5)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 14.8a Potencia (pd) Canal 1.16w 4 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 22mwh @ 10v, 10a encapsulado dfn - 12 (4.5x5) Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmht6016lfj - 13 serie dmht6016lfj
  • PDF DMHT6016LFJ-13.pdf
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DMP510DL-7

DMP510DL-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP510DL-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@1mA Corriente 180ma Potencia (pd) 310mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 10omega @ 5v, 100ma encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmp510dl - 7 serie dmp510dl
  • PDF DMP510DL-7.pdf
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DMN63D8L-7

DMN63D8L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN63D8L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Resistencia a la conducción n del canal de 350 MW (rds (on) @ vgs, id) 2,8 Omega @ 10v, 250ma encapsulada Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn63d8l - 7 serie dmn63d8l
  • PDF DMN63D8L-7.pdf
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BS250P

BS250P-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBS250P
  • PaqueteTO-92L
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión de 45v (vgs (th) @ id) 3.5V@1mA Corriente 230ma Potencia (pd) 700mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 14 Omega @ 10v, 200ma encapsulado to - 92l Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) serie bs250p
  • PDF BS250P.pdf
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DMN6140L-7

DMN6140L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN6140L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 1.6a Potencia (pd) 700mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 140mwh @ 10v, 1.8a encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn6140l - 7 serie dmn6140l
  • PDF DMN6140L-7.pdf
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2N7002A-7

2N7002A-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • Modelo2N7002A-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 180ma Potencia (pd) 370mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 6omega @ 5v, 115ma encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) 2n7002a - 7 serie 2n7002a
  • PDF 2N7002A-7.pdf
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DMN67D8L-7

DMN67D8L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN67D8L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 210ma Potencia (pd) 340mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 5omega @ 10v, 500ma encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn67d8l - 7 serie dmn67d8l
  • PDF DMN67D8L-7.pdf
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DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG6602SVT-7
  • PaqueteSOT-23-6
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.3V@250uA Corriente 3.4a; 2.8a Potencia (pd) Canal de 840mw 1 n y 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 60mwh @ 3.1a, 10v encapsulado Sot - 23 - 6 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmg6602svt - 7 serie dmg6602svt
  • PDF DMG6602SVT-7.pdf
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