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DIODES(美台)

DIODES(美台)

DMP10H400SE-13

DMP10H400SE-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP10H400SE-13
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 2.3a; 6a Potencia (pd) 2w; Resistencia de conducción P del canal de 13.7w (rds (on) @ vgs, id) 250mohm @ 10v, 5a encapsulada Sot - 223 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp10h400se - 13 serie dmp10h400se
  • PDF DMP10H400SE-13.pdf
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BSS8402DW-7-F

BSS8402DW-7-F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBSS8402DW-7-F
  • PaqueteSOT-363-6
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónResistencia a la presión 60v; Tensión umbral de 50V (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA V; 2V@1mA Corriente 115ma; 130ma Potencia (pd) 200MW canal 1 n; 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 3,2 Omega @ 5v, 0,05a; 10 Omega @ 5v, 0.1a encapsula Sot - 363 - 6 Field efective Pipe (mosfet) marca diodes (meitai) bss8402dw - 7 - F serie bss8402dw
  • PDF BSS8402DW-7-F.pdf
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DMN30H4D0L-7

DMN30H4D0L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN30H4D0L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónTensión umbral de 300v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 310mw (rds (on) @ vgs, id) 4omega @ 10v, 300ma encapsulada Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn30h4d0l - 7 serie dmn30h4d0l
  • PDF DMN30H4D0L-7.pdf
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DMG3402L-7

DMG3402L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG3402L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.4V@250uA Resistencia de conducción n del canal de corriente 4a Power (pd) 1,4w (rds (on) @ vgs, id) 52mwh @ 10v, 4a encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) dmg3402l - 7 serie dmg3402l
  • PDF DMG3402L-7.pdf
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DMN3023L-7

DMN3023L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3023L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.8V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 900 MW (rds (on) @ vgs, id) de corriente 6.2a (pd) 25mwh @ 10v, 4a encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (midea) dmn3023l - 7 serie dmn3023l
  • PDF DMN3023L-7.pdf
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DMP10H400SK3-13

DMP10H400SK3-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP10H400SK3-13
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 42w de corriente 9a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 240mwh @ 10v, 5a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca diodes (meitai) dmp10h400sk3 - 13 serie dmp10h400sk3
  • PDF DMP10H400SK3-13.pdf
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DMN2056U-7

DMN2056U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2056U-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 940 MW de potencia 4a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 38mwh @ 4.5v, 3.6a encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2056u - 7 serie dmn2056u
  • PDF DMN2056U-7.pdf
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DMP2305U-7

DMP2305U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2305U-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1,4w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 4.2a Power (pd) 60mwh @ 4.5v, 4.2a encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmp2305u - 7 serie dmp2305u
  • PDF DMP2305U-7.pdf
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DMN1019USN-7

DMN1019USN-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN1019USN-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 12v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 800mV@250uA Corriente 9.3a Potencia (pd) 680mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 10mwh @ 4v, 9.7a encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn1019 usn - 7 serie dmn1019 usn
  • PDF DMN1019USN-7.pdf
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DMP2120U-7

DMP2120U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2120U-7
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 800mw (rds (on) @ vgs, id) 62mwh @ 4,5v, encapsulada en Sot - 23 - 3 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2120u - 7 serie dmp2120u
  • PDF DMP2120U-7.pdf
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DMG3415UQ-7

DMG3415UQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG3415UQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 900 MW de potencia 4a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 39mwh @ 4.5v, 4a encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) dmg3415uq - 7 serie dmg3415uq
  • PDF DMG3415UQ-7.pdf
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DMHC3025LSD-13

DMHC3025LSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMHC3025LSD-13
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 6a; 4.2a Potencia (pd) Canal 1.5w 2 n y 2 resistencias de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 25mwh @ 5a, 10v encapsulado SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmhc3025lsd - 13 serie dmhc3025lsd
  • PDF DMHC3025LSD-13.pdf
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ZVN3320FTA

ZVN3320FTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZVN3320FTA
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 200v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@1mA Corriente 60ma Potencia (pd) 330mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 25 Omega @ 10v, 100ma encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (midea) zvn33202fta serie zvn3320fta
  • PDF ZVN3320FTA.pdf
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DMG2302U-7

DMG2302U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG2302U-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@50uA Resistencia a la conducción n del canal de 800mw (rds (on) @ vgs, id) de corriente 4.2a Power (pd) 90mwh @ 4.5v, 3.6a encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) dmg2302u - 7 serie dmg2302u
  • PDF DMG2302U-7.pdf
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DMN53D0L-7

DMN53D0L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN53D0L-7
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 370mw (rds (on) @ vgs, id) 1,6 Omega @ 500ma, embalaje de 10v Sot - 23 - 3 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn53d0l - 7 serie dmn53d0l
  • PDF DMN53D0L-7.pdf
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DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN26D0UT-7
  • PaqueteSOT-523-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 230ma Potencia (pd) 300mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 3 Omega @ 4,5v, 100ma encapsulado Sot - 523 - 3 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn26d0ut - 7 serie dmn26d0ut
  • PDF DMN26D0UT-7.pdf
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ZXM61N03FTA

ZXM61N03FTA-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloZXM61N03FTA
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 1.4a Potencia (pd) 625mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 220mwh @ 10v, 910ma encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) zxm61n03fta serie zxm61n03fta
  • PDF ZXM61N03FTA.pdf
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DMP2045U-7

DMP2045U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2045U-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 800mw (rds (on) @ vgs, id) 45mwh @ 4,5v, 4a encapsulada Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2045u - 7 serie dmp2045u
  • PDF DMP2045U-7.pdf
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BSS123W-7-F

BSS123W-7-F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBSS123W-7-F
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@1mA Corriente 170ma Potencia (pd) 200MW Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 6omega @ 10v, 170ma encapsulado Sot - 323 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) bss123w - 7 - F serie bss123w
  • PDF BSS123W-7-F.pdf
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DMN24H3D5L-7

DMN24H3D5L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN24H3D5L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónTensión umbral de 240v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 480ma Potencia (pd) 760mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 3,5 Omega @ 10v, 300ma encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn24h3d5l - 7 serie dmn24h3d5l
  • PDF DMN24H3D5L-7.pdf
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