Sobre nosotros Contáctanos 1986587488919865874889
Idiomas
Plataforma de servicio integral de componentes electrónicos
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Todos los productos
Casa Fabricante Productos BOM Blog Solución Sobre nosotros Contáctanos
Casa > Fabricante > DIODES(美台)
DIODES(美台)

DIODES(美台)

DMP3013SFV-7

DMP3013SFV-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP3013SFV-7
  • PaquetePowerDI3333-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 12a; Resistencia de conducción P del canal de 940 MW de potencia 35a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 9,5 MWH @ 10v, 11,5a encapsulada powerdi333 - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp3013 sfv - 7 serie dmp3013 sfv
  • PDF DMP3013SFV-7.pdf
Consulta
DMG1012UW-7

DMG1012UW-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG1012UW-7
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 290 MW de potencia 1a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 450mohm @ 4,5v, 600ma encapsulada Sot - 323 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmg1012uw - 7 serie dmg1012uw
  • PDF DMG1012UW-7.pdf
Consulta
DMP6350S-7

DMP6350S-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP6350S-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 1.5a Potencia (pd) 720mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 350 MWH @ 10v, 900ma encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp6350s - 7 serie dmp6350s
  • PDF DMP6350S-7.pdf
Consulta
DMP4065S-7

DMP4065S-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP4065S-7
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 2.4a Potencia (pd) 720mw canal P resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 100mwh @ 4.5v, 3.3a encapsulado Sot - 23 - 3 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (midea) dmp4065s - 7 serie dmp4065s
  • PDF DMP4065S-7.pdf
Consulta
MMBF170-7-F

MMBF170-7-F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloMMBF170-7-F
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 300mw (rds (on) @ vgs, id) de 500ma de Potencia (pd) de corriente 5 Omega @ 10v, 200ma encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) mmbf170 - 7 - F serie mmbf170
  • PDF MMBF170-7-F.pdf
Consulta
DMG2301L-7

DMG2301L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG2301L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.2V@250uA Resistencia de conducción P del canal de corriente 3a (pd) 1,5w (rds (on) @ vgs, id) 1,5w encapsulada Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmg2301l - 7 serie dmg2301l
  • PDF DMG2301L-7.pdf
Consulta
BSS84-7-F

BSS84-7-F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBSS84-7-F
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@1mA Corriente 130 Ma Potencia (pd) 300mw canal P resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 10 Omega @ 5v, 100ma encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) bss84 - 7 - F serie bss84
  • PDF BSS84-7-F.pdf
Consulta
DMN26D0UFB4-7

DMN26D0UFB4-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN26D0UFB4-7
  • PaqueteDFN-3(0.6x1)
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.1V@250uA Corriente 230ma Potencia (pd) 350mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 3 Omega @ 4,5v, 100ma encapsulado dfn - 3 (0,6x1) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn26d0ufb4 - 7 serie dmn26d0ufb4
  • PDF DMN26D0UFB4-7.pdf
Consulta
2N7002T-7-F

2N7002T-7-F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • Modelo2N7002T-7-F
  • PaqueteSOT-523
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 150mw (rds (on) @ vgs, id) 7,5 Omega @ 5v, 50ma encapsulada Sot - 523 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) 2n7002t - 7 - F serie 2n7002t
  • PDF 2N7002T-7-F.pdf
Consulta
BSS138DW-7-F

BSS138DW-7-F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBSS138DW-7-F
  • PaqueteSOT-363-6
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Corriente 200 ma Potencia (pd) 200 MW canal 2 resistencia de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 3,5 Omega @ 10v, 220ma encapsulado Sot - 363 - 6 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) bss138dw - 7 - F serie bss138dw
  • PDF BSS138DW-7-F.pdf
Consulta
BSS127S-7

BSS127S-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBSS127S-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónTensión umbral de 600v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4.5V@250uA Resistencia de conducción n del Canal N (rds (on) @ vgs, id) 160 Omega @ 10v, 16mA encapsulada Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) serie bss127s - 7
  • PDF BSS127S-7.pdf
Consulta
2N7002W-7-F

2N7002W-7-F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • Modelo2N7002W-7-F
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 200MW (rds (on) @ vgs, id) 7,5 Omega @ 5v, 50ma encapsulada Sot - 323 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) 2n7002w - 7 - F serie 2n7002w
  • PDF 2N7002W-7-F.pdf
Consulta
BSN20-7

BSN20-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBSN20-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 600mw (rds (on) @ vgs, id) de 500ma de Potencia (pd) de corriente 1,8omega @ 10v, 220ma encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) serie bsn20 - 7 bsn20
  • PDF BSN20-7.pdf
Consulta
DMN6075S-7

DMN6075S-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN6075S-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 800mw de potencia 2a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 85mwh @ 10v, encapsulada en 3.2a marca Sot - 23 Field efector (mosfet) diodes (meitai) serie dmn6075s - 7 dmn6075s
  • PDF DMN6075S-7.pdf
Consulta
DMN6040SSD-13

DMN6040SSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN6040SSD-13
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 5a Potencia (pd) Canal 1.3w 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 40mwh @ 10v, 4.5a encapsulado SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn6040ssd - 13 serie dmn6040ssd
  • PDF DMN6040SSD-13.pdf
Consulta
DMN6140L-13

DMN6140L-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN6140L-13
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 1.6a Potencia (pd) 700mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 140mwh @ 10v, 1.8a encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn6140l - 13 serie dmn6140l
  • PDF DMN6140L-13.pdf
Consulta
DMP2035U-7

DMP2035U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2035U-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 810 MW (rds (on) @ vgs, id) de corriente 3.6a (pd) 35mwh @ 4.5v, 4a encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2035u - 7 serie dmp2035u
  • PDF DMP2035U-7.pdf
Consulta
BSS84W-7-F

BSS84W-7-F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBSS84W-7-F
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@1mA Corriente 130 Ma Potencia (pd) 200 MW resistencia de conducción P del Canal (rds (on) @ vgs, id) 10 Omega @ 5v, 100 ma encapsulada Sot - 323 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) bss84w - 7 - F serie bss84w
  • PDF BSS84W-7-F.pdf
Consulta
DMN65D8L-7

DMN65D8L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN65D8L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 310ma Potencia (pd) 370mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 3 Omega @ 10v, 115ma encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn65d8l - 7 serie dmn65d8l
  • PDF DMN65D8L-7.pdf
Consulta
DMN10H220L-7

DMN10H220L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN10H220L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 1.4a Potencia (pd) resistencia de conducción n del canal de 1.3w (rds (on) @ vgs, id) 220momega @ 10v, embalaje Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn10h220l - 7 serie dmn10h220l
  • PDF DMN10H220L-7.pdf
Consulta
共528记录«上一页12345...27下一页»
Shenzhen Huaxin Zhengyou Electronics Co., Ltd.