Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул LF353P корпус DIP-8 тип усилителя J-FET число схем 2 тип выхода -скорость нарастания 13V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 3 MHz ток - входное смещение 50 pA напряжение - входное смещение 5 mV ток - питание 3.6mA ток - выход/канал 40 mA напряжение - диапазон 7 V напряжение - диапазон 36 V рабочий …
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул TL064CN корпус DIP-14 тип усилителя J-FET число схем 4 тип выхода -скорость нарастания 3.5V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 1 MHz ток - входное смещение 30 pA напряжение - входное смещение 3 mV ток - питание 200µA ток - выход/канал 20 mA напряжение - диапазон 10 V напряжение - диапазон 30 …
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул LF353MX/NOPB корпус SOIC-8 тип усилителя J-FET число схем 2 тип выхода -скорость нарастания 13V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 4 MHz ток - входное смещение 50 pA напряжение - входное смещение 5 mV ток - питание 3.6mA напряжение - диапазон 10 V напряжение - диапазон 36 V рабочая температура 0°C ~ 70…
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул TL072HIDR корпус SOIC-8 тип усилителя J-FET число схем 2 тип выхода двухтактный скорость нарастания 20V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 5.25 MHz ток - входное смещение 1 pA напряжение - входное смещение 1 mV ток - питание 1.4mA напряжение - диапазон 4.5 V напряжение - диапазон 40 V рабочая температура -40°C ~ 125°C…
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул OPA810IDBVR корпус SOT-23-5 тип усилителя J-FET число схем 1 тип выхода двухтактный , Rail-to-Rail скорость нарастания 254V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 70 MHz-3db полоса пропускания 140 MHz ток - входное смещение 2 pA напряжение - входное смещение 100 µV ток - питание 3.8mA ток - выход/канал 100 mA напряжение - диапазон 4…
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул TL032IDR корпус SOIC-8 тип усилителя J-FET число схем 2 тип выхода -скорость нарастания 5.1V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 1.1 MHz ток - входное смещение 2 pA напряжение - входное смещение 570 µV ток - питание 434µA ток - выход/канал 40 mA напряжение - диапазон 10 V напряжение - диапазон ( макс. …
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул LF411CDR корпус SOIC-8 тип усилителя J-FET число схем 1 тип выхода -скорость нарастания 13V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 3 MHz ток - входное смещение 50 pA напряжение - входное смещение 800 µV ток - питание 2mA напряжение - диапазон 7 V напряжение - диапазон 36 V рабочая температура 0°C ~ 70°C
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул TL072ACDR корпус SOIC-8 тип усилителя J-FET число схем 2 тип выхода -скорость нарастания 13V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 5.25 MHz ток - входное смещение 65 pA напряжение - входное смещение 3 mV ток - питание 1.4mA напряжение - диапазон 10 V напряжение - диапазон 30 V рабочая температура 0°C ~ 70…
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул TL082CPWR корпус TSSOP-8 тип усилителя J-FET число схем 2 тип выхода -скорость нарастания 13V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 3 MHz ток - входное смещение 30 pA напряжение - входное смещение 3 mV ток - питание 1.4mA ток - выход/канал 10 mA напряжение - диапазон 10 V напряжение - диапазон 30…
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул TL082ACPSR корпус SO-8-5.6mm тип усилителя J-FET число схем 2 тип выхода -скорость нарастания 13V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 3 MHz ток - входное смещение 30 pA напряжение - входное смещение 3 mV ток - питание 1.4mA ток - выход/канал 10 mA напряжение - диапазон 10 V напряжение - диапазон ( макс. …