Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул TL084HIDR корпус SOIC-14 тип усилителя J-FET число схем 4 тип выхода -скорость нарастания 20V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 5.25 MHz ток - входное смещение 1 pA напряжение - входное смещение 1 mV ток - питание 937.5µA ток - выход/канал 26 mA напряжение - диапазон 4.5 V напряжение - диапазон 40 V рабочий …
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул TL051CDR корпус SOIC-8 тип усилителя J-FET число схем 1 тип выхода -скорость нарастания 20V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 3.1 MHz ток - входное смещение 30 pA напряжение - входное смещение 590 µV ток - питание 2.7mA напряжение - диапазон 10 V напряжение - диапазон 30 V рабочая температура 0°C ~ 70°C
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул TL064CPWR корпус TSSOP-14 тип усилителя J-FET число схем 4 тип выхода -скорость нарастания 3.5V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 1 MHz ток - входное смещение 30 pA напряжение - входное смещение 3 mV ток - питание 200µA ток - выход/канал 20 mA напряжение - диапазон 10 V напряжение - диапазон …
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул OPA828IDGNR корпус HVSSOP-8 тип усилителя J-FET число схем 1 тип выхода несимметричный скорость нарастания 150V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 45 MHz ток - входное смещение 0.2 pA напряжение - входное смещение 25 µV ток - питание 5.5mA ток - выход/канал 30 mA напряжение - диапазон 8 V напряжение - диапазон 36 …
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул TL081BCDR корпус SOIC-8 тип усилителя J-FET число схем 1 тип выхода -скорость нарастания 13V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 3 MHz ток - входное смещение 30 pA напряжение - входное смещение 2 mV ток - питание 1.4mA напряжение - диапазон 7 V напряжение - диапазон 36 V рабочая температура 0°C ~ 70°C
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул OPA659IDBVT корпус SOT-23-5 тип усилителя J-FET число схем 1 тип выхода -скорость нарастания 2550V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 350 MHz-3db полоса пропускания 650 MHz ток - входное смещение 10 pA напряжение - входное смещение 1 mV ток - питание 32mA ток - выход/канал 70 mA напряжение - диапазон 7 V напряжение - диапазон ( …
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул OPA659IDRBR корпус VSON-8 тип усилителя J-FET число схем 1 тип выхода -скорость нарастания 2550V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 350 MHz-3db полоса пропускания 650 MHz ток - входное смещение 10 pA напряжение - входное смещение 1 mV ток - питание 32mA ток - выход/канал 70 mA напряжение - диапазон 7 V напряжение - диапазон
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул OPA2604AP корпус DIP-8 тип усилителя общего назначения число схем 2 тип выхода дифференциальный скорость нарастания 25V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 20 MHz ток - входное смещение 100 pA напряжение - входное смещение 1 mV ток - питание 10.5mA ток - выход/канал 35 mA напряжение - диапазон 9 V напряжение - диапазон …
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул OPA4140AIDR корпус SOIC-14 тип усилителя J-FET число схем 4 тип выхода Rail-to-Rail скорость нарастания 20V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 11 MHz ток - входное смещение 0.5 pA напряжение - входное смещение 30 µV ток - питание 1.8mA ток - выход/канал 36 mA напряжение - диапазон 4.5 V напряжение - диапазон …
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул TLE2082CDR корпус SOIC-8 тип усилителя J-FET число схем 2 тип выхода -скорость нарастания 45V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 10 MHz ток - входное смещение 20 pA напряжение - входное смещение 1.1 mV ток - питание 3.1mA ток - выход/канал 48 mA напряжение - диапазон 4.5 V напряжение - диапазон ( макс. …