Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул TL084IDR корпус SOIC-14 тип усилителя J-FET число схем 4 тип выхода -скорость нарастания 13V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 3 MHz ток - входное смещение 30 pA напряжение - входное смещение 3 mV ток - питание 1.4mA ток - выход/канал 10 mA напряжение - диапазон 10 V напряжение - диапазон 30 …
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул TL074IDR корпус SOIC-14 тип усилителя J-FET число схем 4 тип выхода -скорость нарастания 13V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 5.25 MHz ток - входное смещение 65 pA напряжение - входное смещение 3 mV ток - питание 1.4mA напряжение - диапазон 10 V напряжение - диапазон 30 V рабочая температура -40°C ~ …
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул TL084CDR корпус SOIC-14 тип усилителя J-FET число схем 4 тип выхода -скорость нарастания 13V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 3 MHz ток - входное смещение 30 pA напряжение - входное смещение 3 mV ток - питание 1.4mA ток - выход/канал 10 mA напряжение - диапазон 10 V напряжение - диапазон 30 …
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул LF353DR корпус SOIC-8 тип усилителя J-FET число схем 2 тип выхода -скорость нарастания 13V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 3 MHz ток - входное смещение 50 pA напряжение - входное смещение 5 mV ток - питание 3.6mA ток - выход/канал 40 mA напряжение - диапазон 7 V напряжение - диапазон 36 V
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул TL081HIDBVR корпус SOT-23-5 тип усилителя J-FET число схем 1 тип выхода двухтактный скорость нарастания 20V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 5.25 MHz ток - входное смещение 1 pA напряжение - входное смещение 1 mV ток - питание 1.4mA напряжение - диапазон 4.5 V напряжение - диапазон 40 V рабочая температура -40°C ~ 12…
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул TL071CDR корпус SOIC-8 тип усилителя J-FET число схем 1 тип выхода -скорость нарастания 13V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 5.25 MHz ток - входное смещение 65 pA напряжение - входное смещение 3 mV ток - питание 1.4mA напряжение - диапазон 10 V напряжение - диапазон 30 V рабочая температура 0°C ~ 70°C
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул LF412CDR корпус SOIC-8-150mil тип усилителя J-FET число схем 2 тип выхода -скорость нарастания 13V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 3 MHz ток - входное смещение 50 pA напряжение - входное смещение 500 µV ток - питание 4.5mA напряжение - диапазон 7 V напряжение - диапазон 36 V рабочая температура 0°C…
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул TL062CDR корпус SOIC-8 тип усилителя J-FET число схем 2 тип выхода -скорость нарастания 3.5V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 1 MHz ток - входное смещение 30 pA напряжение - входное смещение 3 mV ток - питание 200µA ток - выход/канал 20 mA напряжение - диапазон 10 V напряжение - диапазон 30…
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул TL084CPWR корпус TSSOP-14 тип усилителя J-FET число схем 4 тип выхода -скорость нарастания 13V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 3 MHz ток - входное смещение 30 pA напряжение - входное смещение 3 mV ток - питание 1.4mA ток - выход/канал 10 mA напряжение - диапазон 10 V напряжение - диапазон 3…
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул TL071HIDBVR корпус SOT-23-5 тип усилителя J-FET число схем 1 тип выхода -скорость нарастания 20V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 5.25 MHz ток - входное смещение 1 pA напряжение - входное смещение 1 mV ток - питание 1.4mA напряжение - диапазон 4.5 V напряжение - диапазон 40 V рабочая температура -40°C ~ 125°C( …