Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул TL072BCDR корпус SOIC-8 тип усилителя J-FET число схем 2 тип выхода -скорость нарастания 13V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 5.25 MHz ток - входное смещение 65 pA напряжение - входное смещение 2 mV ток - питание 1.4mA напряжение - диапазон 10 V напряжение - диапазон 30 V рабочая температура 0°C ~ 70…
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул TL071CP корпус PDIP-8 тип усилителя J-FET число схем 1 тип выхода -скорость нарастания 13V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 5.25 MHz ток - входное смещение 65 pA напряжение - входное смещение 3 mV ток - питание 1.4mA напряжение - диапазон 10 V напряжение - диапазон 30 V рабочая температура 0°C ~ 70°C
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул OPA659IDBVR корпус SOT-23-5 тип усилителя J-FET число схем 1 тип выхода -скорость нарастания 2550V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 350 MHz-3db полоса пропускания 650 MHz ток - входное смещение 10 pA напряжение - входное смещение 1 mV ток - питание 32mA ток - выход/канал 70 mA напряжение - диапазон 7 V напряжение - диапазон ( …
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул LF444CMX/NOPB корпус SOIC-14 тип усилителя J-FET число схем 4 тип выхода -скорость нарастания 1V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 1 MHz ток - входное смещение 10 pA напряжение - входное смещение 3 mV ток - питание 600µA ток - выход/канал 14 mA напряжение - диапазон 36 V напряжение - диапазон ( макс. …
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул OPA818IDRGR корпус WSON-8-EP(3x3)тип усилителя J-FET число схем 1 тип выхода -скорость нарастания 1400V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 2.7 GHz-3db полоса пропускания 765 MHz ток - входное смещение 25 pA напряжение - входное смещение 1.25 mV ток - питание 26.5mA ток - выход/канал 110 mA напряжение - диапазон 6 V
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул TL082QDRQ1 корпус SOIC-8 тип усилителя J-FET число схем 2 тип выхода -скорость нарастания 13V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 3 MHz ток - входное смещение 30 pA напряжение - входное смещение 3 mV ток - питание 1.4mA ток - выход/канал 10 mA напряжение - диапазон 7 V напряжение - диапазон 36 …
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул LF356M/NOPB корпус SOIC-8 тип усилителя J-FET число схем 1 тип выхода -скорость нарастания 12V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 5 MHz ток - входное смещение 30 pA напряжение - входное смещение 3 mV ток - питание 5mA напряжение - диапазон 30 V напряжение - диапазон 30 V рабочая температура 0°C ~ 70°C
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул TL052AIDR корпус SOIC-8 тип усилителя J-FET число схем 2 тип выхода -скорость нарастания 20.7V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 3 MHz ток - входное смещение 30 pA напряжение - входное смещение 650 µV ток - питание 4.8mA ток - выход/канал 80 mA напряжение - диапазон 10 V напряжение - диапазон ( макс. …
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул LF347BDR корпус SOIC-14 тип усилителя J-FET число схем 4 тип выхода -скорость нарастания 13V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 3 MHz ток - входное смещение 50 pA напряжение - входное смещение 3 mV ток - питание 8mA ток - выход/канал 31 mA напряжение - диапазон 7 V напряжение - диапазон 36 V
Описаниепроизводитель TI категория ОУ с FET-входом артикул TL082BCDR корпус SOIC-8 тип усилителя J-FET число схем 2 тип выхода -скорость нарастания 13V/µs произведение усиления на полосу (GBW) 3 MHz ток - входное смещение 30 pA напряжение - входное смещение 2 mV ток - питание 1.4mA ток - выход/канал 10 mA напряжение - диапазон 10 V напряжение - диапазон 30 …