О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Корпус:Ещё ⤵Мультивыбор
DMPH4013SK3-13

DMPH4013SK3-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMPH4013SK3-13
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 55A мощность (Pd) 2.1W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 15mΩ@10A,10V корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMPH4013SK3-13 系列 DMPH4013SK3
  • PDF DMPH4013SK3-13.pdf
DMPH6050SSDQ-13

DMPH6050SSDQ-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMPH6050SSDQ-13
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 5.2A мощность (Pd) 2W канал 2个Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 48mΩ@5A,10V корпус SO-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMPH6050SSDQ-13 系列 DMPH6050SSDQ
  • PDF DMPH6050SSDQ-13.pdf
DMN2053U-7

DMN2053U-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN2053U-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA ток 6.5A мощность (Pd) 800mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 29mΩ@10V,6A корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2053U-7 系列 DMN2053U
  • PDF DMN2053U-7.pdf
ZVN4206A

ZVN4206A-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельZVN4206A
  • КорпусTO-92-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@1mA ток 600mA мощность (Pd) 700mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1Ω@10V,1.5A корпус TO-92-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZVN4206A 系列 ZVN4206A
  • PDF ZVN4206A.pdf
DMN2004WKQ-7

DMN2004WKQ-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN2004WKQ-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 540mA мощность (Pd) 200mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 550mΩ@540mA,4.5V корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2004WKQ-7 系列 DMN2004WKQ
  • PDF DMN2004WKQ-7.pdf
DMP45H150DHE-13

DMP45H150DHE-13-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMP45H150DHE-13
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 450V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 250mA мощность (Pd) 13.9W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 150Ω@50mA,10V корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMP45H150DHE-13 系列 DMP45H150DHE
  • PDF DMP45H150DHE-13.pdf
ZXMN6A11ZTA

ZXMN6A11ZTA-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельZXMN6A11ZTA
  • КорпусSOT-89-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1V@250uA ток 2.7A мощность (Pd) 1.5W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 120mΩ@10V,2.5A корпус SOT-89-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES ZXMN6A11ZTA 系列 ZXMN6A11ZTA
  • PDF ZXMN6A11ZTA.pdf
DMN53D0LW-7

DMN53D0LW-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN53D0LW-7
  • КорпусSOT-323
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 50V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@100uA ток 360mA мощность (Pd) 320mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@10V,270mA корпус SOT-323 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN53D0LW-7 系列 DMN53D0LW
  • PDF DMN53D0LW-7.pdf
DMN2024U-7

DMN2024U-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN2024U-7
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 900mV@250uA ток 6.8A мощность (Pd) 800mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 25mΩ@6.5A,4.5V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN2024U-7 系列 DMN2024U
  • PDF DMN2024U-7.pdf
DMN10H700S-7

DMN10H700S-7-DIODES

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельDMN10H700S-7
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительDIODES
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 700mA мощность (Pd) 400mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 700mΩ@1.5A,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд DIODES DMN10H700S-7 系列 DMN10H700S
  • PDF DMN10H700S-7.pdf
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 4041424344454647...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd