О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-126TO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-262-3TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-6TO-263-7LTO-3P-3TO-3PFTO-3PF-3TO-3PNTO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
STL40DN3LLH5

STL40DN3LLH5-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTL40DN3LLH5
  • КорпусPowerFLAT-5x6-8
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STL40DN3LLH5корпус PowerFLAT-5x6-8配置2 N-通道FET функция -напряжение сток-исток （Vdss）30V25°C 时ток - постоянный ток стока (Id)40Aразличные Id、Vgs 时сопротивление в открытом состоянии 18 мОм @ 5.5A，10Vразличные Id 时 Vgs(th)1.5V @ 250µAразличные Vg…
  • PDF STL40DN3LLH5.pdf
Консультация
STD3NK60ZT4

STD3NK60ZT4-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTD3NK60ZT4
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD3NK60ZT4корпус TO-252-2тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)2.4Aмощность (Pd)45Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)3.6Ω@10V,1.2Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uA
  • PDF STD3NK60ZT4.pdf
Консультация
STD10P10F6

STD10P10F6-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTD10P10F6
  • КорпусTO-252-2
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD10P10F6корпус TO-252-2FET тип P 通道технология MOSFETнапряжение сток-исток （Vdss）100 V25°C 时ток - постоянный ток стока (Id)10A（Tc）驱动напряжение 10Vразличные Id、Vgs 时сопротивление в открытом состоянии 180 мОм @ 5A，10V…
  • PDF STD10P10F6.pdf
Консультация
STD4N80K5

STD4N80K5-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTD4N80K5
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD4N80K5корпус TO-252тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)800Vпостоянный ток стока (Id)3Aмощность (Pd)60Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)2.5Ω@10V,1.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)10.5nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)175pF@100Vрабочая температура -5…
  • PDF STD4N80K5.pdf
Консультация
STW48N60DM2

STW48N60DM2-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTW48N60DM2
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STW48N60DM2корпус TO-247-3тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)600Vпостоянный ток стока (Id)40Aмощность (Pd)300Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)79mΩ@10V,20Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)70nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)3.25nF@100Vрабочий 温…
  • PDF STW48N60DM2.pdf
Консультация
STS5NF60L

STS5NF60L-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTS5NF60L
  • КорпусSO-8
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STS5NF60Lкорпус SO-8тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)60Vпостоянный ток стока (Id)5Aмощность (Pd)2.5Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)55mΩ@10V,2.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)2.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)17nC@5Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)1.25nF@25V
  • PDF STS5NF60L.pdf
Консультация
STB120NF10T4

STB120NF10T4-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTB120NF10T4
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STB120NF10T4корпус D2PAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)110Aмощность (Pd)312Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)10.5mΩ@10V,60Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)233nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)5.2nF@25Vрабочий 温…
  • PDF STB120NF10T4.pdf
Консультация
STH240N10F7-6

STH240N10F7-6-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTH240N10F7-6
  • КорпусTO-263-6
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STH240N10F7-6корпус TO-263-6тип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)180Aмощность (Pd)300Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)2.5mΩ@60A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)160nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)11.55nF@25…
  • PDF STH240N10F7-6.pdf
Консультация
STD4NK80ZT4

STD4NK80ZT4-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTD4NK80ZT4
  • КорпусDPAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STD4NK80ZT4корпус DPAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)800Vпостоянный ток стока (Id)3Aмощность (Pd)80Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)3.5Ω@10V,1.5Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@50uAзаряд затвора (Qg@Vgs)22.5nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)575pF@25Vрабочая температура -5…
  • PDF STD4NK80ZT4.pdf
Консультация
STB10N95K5

STB10N95K5-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTB10N95K5
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)артикул STB10N95K5корпус D2PAKтип 1个Nканал напряжение сток-исток (Vdss)950Vпостоянный ток стока (Id)8Aмощность (Pd)130Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)800mΩ@4A,10Vпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@100uAзаряд затвора (Qg@Vgs)22nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)630pF@100Vрабочая температура -55℃…
  • PDF STB10N95K5.pdf
Консультация
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 113114115116117118119120...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd