О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > транзистор /MOS-транзистор /транзистор
Бренд：
MICRONEUTCDIODESCR HuajingCHIPLINKNCESTTI
Мультивыбор
Корпус：
D2PAKDFN(5x6)DFN-12(4.5x5)DFN-3(0.6x0.8)DFN-3(0.6x1)DFN-3(1.5x2)DFN-6(0.6x0.8)DFN-6(2x2)DFN-6-EP(2x2)DFN-6L(2x2)DFN-8(3.1x3.2)DFN-8(3.3x3.3)DFN-8(3x3)DFN-8(4.9x5.7)DFN-8(4.9x5.8)DFN-8(5.1x6)DFN-8(5.7x5.1)DFN-8(5.8x4.9)DFN-8(5x6)DFN-8L(3.3x3.3)DFN-8L(3x3)DFN-8L(5x6)DFN2020-6DFN2x2-6LDMN3032LFDB-7DPAKESOP-8FDFN-8L(5x6)H2PAK-2ISOTOPPDFN-8(3.1x3.1)PDFN-8(3.1x3.2)PDFN-8(3.3x3.3)PDFN-8(4.9x5.8)PDFN-8(5.1x5.8)PDFN-8(5.2x6.2)PDFN-8(5.8x4.9)PDFN-8(5x5)PDFN-8(5x5.8)PDFN3333-8Power-DI-5060-8PowerDI-3333-8PowerDI-5060-8PowerDI-8(5x6)PowerDI1012-8PowerDI3333-8PowerDI5060-8PowerFLAT(3.3x3.3)PowerFLAT-5x6PowerFLAT-5x6-8PowerFlat-8PowerFLAT-8(3.3x3.3)PowerFLAT-8(5x6)PowerVDFN-8SC-59SC-70-3SMDSO-8SOD-323SOIC-8SOP-8SOP-8-4.0mmSOT-223SOT-223-2SOT-223-3SOT-223-3LSOT-223-4SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-23-6SOT-23-6LSOT-23FSOT-26SOT-323SOT-363SOT-363-6SOT-523SOT-523-3SOT-563SOT-89SOT-89-3SOT-89-3LSOT-963SOT-963-6TDFN-8-PowerTO-126TO-220TO-220-3TO-220-3LTO-220AB-3TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-220FPTO-220FP-3TO-220FPAB-3TO-247TO-247-3TO-247-3LTO-247AC-3TO-247PTO-251TO-251(IPAK)TO-252TO-252(DPAK)TO-252-2TO-252-2(DPAK)TO-252-2LTO-252-3TO-252-4TO-261-4TO-262-3TO-263TO-263-2TO-263-3TO-263-6TO-263-7LTO-3P-3TO-3PFTO-3PF-3TO-3PNTO-92TO-92-2.5mmTO-92-3TO-92LTO-92L-3TOLLTSOT-26TSSOP-8U-DFN2020-6U-DFN2020-6BU-DFN2020-6DUDFN2020-6-EPV-DFN3030-8KV-DFN3333-8VDFN-8-PowerX1-DFN1006-3X1-DFN1212-3X1-DFN1411-3X2-DFN1006-3X2-DFN1310-6X2-DFN2015-3X2-DSN1006-3XFDFN-3(0.6x0.8)
Ещё ⤵Мультивыбор
NCE10TD60B

NCE10TD60B-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE10TD60B
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительNCE
  • Описание电压 - пробой коллектор-эмиттер 600V 电流 - коллектор (Ic) 20A 电流 - коллектор 脉冲 (Icm) 30A 功率 83W заряд затвора 44nCвремя обратного восстановления (trr) 158ns различные  Vge、Ic 时 Vce(on) - 封装 TO-220 IGBT-транзистор /模块 品牌  NCE 型号 NCE10TD60B
  • PDF NCE10TD60B.pdf
Консультация
NCE30TD60BT

NCE30TD60BT-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE30TD60BT
  • КорпусTO-247-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание电压 - пробой коллектор-эмиттер 600V 电流 - коллектор (Ic) 60A 电流 - коллектор 脉冲 (Icm) 90A 功率 183W заряд затвора 132nC время обратного восстановления (trr) 178ns различные  Vge、Ic 时 Vce(on) - 封装 TO-247-3 IGBT-транзистор /模块 品牌  NCE 型号 NCE30TD60BT
  • PDF NCE30TD60BT.pdf
Консультация
NCE30TH60BP

NCE30TH60BP-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE30TH60BP
  • КорпусTO-3P-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание电压 - пробой коллектор-эмиттер 600V 电流 - коллектор (Ic) 60A 电流 - коллектор 脉冲 (Icm) 90A 功率 183W заряд затвора 132nCвремя обратного восстановления (trr) 178ns различные  Vge、Ic 时 Vce(on) - 封装 TO-3P-3 IGBT-транзистор /模块 品牌  NCE 型号 NCE30TH60BP
  • PDF NCE30TH60BP.pdf
Консультация
NCE40TD60BP

NCE40TD60BP-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE40TD60BP
  • КорпусTO-3P-3
  • ПроизводительNCE
  • Описание电压 - пробой коллектор-эмиттер 600V 电流 - коллектор (Ic) 80A 电流 - коллектор 脉冲 (Icm) 120A 功率 286W заряд затвора 176nCвремя обратного восстановления (trr) 242ns различные  Vge、Ic 时 Vce(on) - 封装 TO-3P-3 IGBT-транзистор /模块 品牌  NCE 型号 NCE40TD60BP
  • PDF NCE40TD60BP.pdf
Консультация
NCE20TD60BD

NCE20TD60BD-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE20TD60BD
  • КорпусTO-263-2
  • ПроизводительNCE
  • Описание电压 - пробой коллектор-эмиттер 600V 电流 - коллектор (Ic) 40A 电流 - коллектор 脉冲 (Icm) 60A 功率 135W заряд затвора 97nCвремя обратного восстановления (trr) 182ns различные  Vge、Ic 时 Vce(on) - 封装 TO-263-2 IGBT-транзистор /模块 品牌  NCE 型号 NCE20TD60BD
  • PDF NCE20TD60BD.pdf
Консультация
NCE30TD120UT

NCE30TD120UT-NCE

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельNCE30TD120UT
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительNCE
  • Описание电压 - пробой коллектор-эмиттер 1200V 电流 - коллектор (Ic) 60A 电流 - коллектор 脉冲 (Icm) 90A 功率 468W заряд затвора 242nC время обратного восстановления (trr) 190ns различные  Vge、Ic 时 Vce(on) - 封装 TO-247 IGBT-транзистор /模块 品牌  NCE 型号 NCE30TD120UT
  • PDF NCE30TD120UT.pdf
Консультация
STB15810

STB15810-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTB15810
  • КорпусD2PAK
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STB15810封装D2PAK类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)110A功率(Pd)250Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)3.4mΩ@10V,55Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4.5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)117nC@0~10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)8.115nF@50V反向传…
  • PDF STB15810.pdf
Консультация
STFW3N150

STFW3N150-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTFW3N150
  • КорпусTO-3PF
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STFW3N150封装TO-3PF类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)1.5kVпостоянный ток стока (Id)2.5A功率(Pd)63Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)9Ω@10V,1.3Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)5V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)29.3nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)939pF@25V
  • PDF STFW3N150.pdf
Консультация
STL90N10F7

STL90N10F7-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTL90N10F7
  • КорпусPowerFLAT-8(5x6)
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STL90N10F7封装PowerFLAT-8(5x6)类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)100Vпостоянный ток стока (Id)70A功率(Pd)5Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)10.5mΩ@10V,8Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uA
  • PDF STL90N10F7.pdf
Консультация
STP75NF75

STP75NF75-ST

  • Типтранзистор /MOS-транзистор /транзистор
  • МодельSTP75NF75
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительST
  • Описаниепроизводитель STкатегория MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)型号STP75NF75封装TO-220类型1个N沟道напряжение сток-исток (Vdss)75Vпостоянный ток стока (Id)80A功率(Pd)300Wсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id)11mΩ@10V,40Aпороговое напряжение (Vgs(th) @Id)4V@250uAзаряд затвора (Qg@Vgs)160nC@10Vвходная ёмкость (Ciss@Vds)3.7nF@25Vрабочая температура -55℃…
  • PDF STP75NF75.pdf
Консультация
Всего записей: 1237«Предыдущая1... 99100101102103104105106...124Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd