О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > память  > NAND FLASH
Бренд：
WINBONDISSISAMSUNGGigaDeviceKIOXIAMXICChipONCYPRESSmicronHYNIX
Мультивыбор
Корпус：
BGA-63BGA-63(9x11)BGA153FBGA-153FBGA-63(9x11.5)LGA-8(6x8)SOP-16-300milTFBGA-63TFBGA-63(9x11)TFSOP-48TSOP-48TSOP-48-12.0mmTSOP-48-12.2mmTSOP-48-18.4mmTSOP48TSOPI-48TSSOP-48U-PDFN-8(6x8)UDFN-8UPDFN-8VFBGA-153(11.5x13)VFBGA-63VFBGA-63(9x11)VFBGA-67VFBGA-67(6.5x8)WBGA-153WFBGA-153WSON-8WSON-8(6x8)WSON-8-EP(6.1x8)WSON-8-EP(6x8)
Ещё ⤵Мультивыбор
IS34ML01G084-TLI

IS34ML01G084-TLI-ISSI

  • ТипNAND FLASH
  • МодельIS34ML01G084-TLI
  • КорпусTSOP-48
  • ПроизводительISSI
  • Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 128M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус TSOP-48 NAND FLASH бренд ISSIартикул IS34ML01G084-TLI
  • PDF IS34ML01G084-TLI.pdf
Консультация
IS21ES64G-JCLI

IS21ES64G-JCLI-ISSI

  • ТипNAND FLASH
  • МодельIS21ES64G-JCLI
  • КорпусVFBGA-153(11.5x13)
  • ПроизводительISSI
  • Описаниеобъём памяти 512Gb организация памяти 64G x 8 частота тактирования 200 MHz напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус VFBGA-153(11.5x13) NAND FLASH бренд ISSIартикул IS21ES64G-JCLI
  • PDF IS21ES64G-JCLI.pdf
Консультация
KLMCG4JETD-B041

KLMCG4JETD-B041-SAMSUNG

  • ТипNAND FLASH
  • МодельKLMCG4JETD-B041
  • КорпусBGA153
  • ПроизводительSAMSUNG
  • Описаниеобъём памяти 64 GB организация памяти 8G x 8 частота тактирования - напряжение 1.8 / 3.3 V рабочая температура -25 ~ 85 °C корпус BGA153 NAND FLASH бренд SAMSUNGартикул KLMCG4JETD-B041
  • PDF KLMCG4JETD-B041.pdf
Консультация
GD5F1GQ5UEYIGR

GD5F1GQ5UEYIGR-GigaDevice

  • ТипNAND FLASH
  • МодельGD5F1GQ5UEYIGR
  • КорпусWSON-8-EP(6x8)
  • ПроизводительGigaDevice
  • Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 256M x 4 частота тактирования 133 MHz напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус WSON-8-EP(6x8) NAND FLASH бренд  GigaDeviceартикул GD5F1GQ5UEYIGR
  • PDF GD5F1GQ5UEYIGR.pdf
Консультация
GD5F2GQ5UEYIGR

GD5F2GQ5UEYIGR-GigaDevice

  • ТипNAND FLASH
  • МодельGD5F2GQ5UEYIGR
  • КорпусWSON-8-EP(6x8)
  • ПроизводительGigaDevice
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования 104 MHz напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус WSON-8-EP(6x8) NAND FLASH бренд  GigaDeviceартикул GD5F2GQ5UEYIGR
  • PDF GD5F2GQ5UEYIGR.pdf
Консультация
GD5F1GQ5REYIGR

GD5F1GQ5REYIGR-GigaDevice

  • ТипNAND FLASH
  • МодельGD5F1GQ5REYIGR
  • КорпусWSON-8-EP(6x8)
  • ПроизводительGigaDevice
  • Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 256M x 4 частота тактирования 104 MHz напряжение 1.7V ~ 2V рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус WSON-8-EP(6x8) NAND FLASH бренд  GigaDeviceартикул GD5F1GQ5REYIGR
  • PDF GD5F1GQ5REYIGR.pdf
Консультация
GD5F1GQ4UBYIGR

GD5F1GQ4UBYIGR-GigaDevice

  • ТипNAND FLASH
  • МодельGD5F1GQ4UBYIGR
  • КорпусWSON-8-EP(6x8)
  • ПроизводительGigaDevice
  • Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 256M x 4 частота тактирования - напряжение 2.7~3.6V  рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус WSON-8-EP(6x8) NAND FLASH бренд  GigaDeviceартикул GD5F1GQ4UBYIGR
  • PDF GD5F1GQ4UBYIGR.pdf
Консультация
GD9FU1G8F2AMGI

GD9FU1G8F2AMGI-GigaDevice

  • ТипNAND FLASH
  • МодельGD9FU1G8F2AMGI
  • КорпусTSOP-48-12.0mm
  • ПроизводительGigaDevice
  • Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 128M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7~3.6V  рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус TSOP-48-12.0mm NAND FLASH бренд  GigaDevice артикул GD9FU1G8F2AMGI
  • PDF GD9FU1G8F2AMGI.pdf
Консультация
GD5F1GQ4RB9IGR

GD5F1GQ4RB9IGR-GigaDevice

  • ТипNAND FLASH
  • МодельGD5F1GQ4RB9IGR
  • КорпусLGA-8(6x8)
  • ПроизводительGigaDevice
  • Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 128M x 8 частота тактирования - напряжение 1.7V ~ 2.0V рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус LGA-8(6x8) NAND FLASH бренд  GigaDevice артикул GD5F1GQ4RB9IGR
  • PDF GD5F1GQ4RB9IGR.pdf
Консультация
TC58NVG1S3HTAI0

TC58NVG1S3HTAI0-KIOXIA

  • ТипNAND FLASH
  • МодельTC58NVG1S3HTAI0
  • КорпусTSOP-48
  • ПроизводительKIOXIA
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус TSOP-48 NAND FLASH бренд KIOXIAартикул TC58NVG1S3HTAI0
  • PDF TC58NVG1S3HTAI0.pdf
Консультация
Всего записей: 111«Предыдущая123456...12Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd