О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > память  > NAND FLASH
W25N01GVZEIG

W25N01GVZEIG-WINBOND

  • ТипNAND FLASH
  • МодельW25N01GVZEIG
  • КорпусWSON-8-EP(6.1x8)
  • ПроизводительWINBOND
  • Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 128M x 8 частота тактирования 104 MHz 电压 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) 封装 WSON-8-EP(6.1x8) NAND FLASH 品牌 WINBOND型号 W25N01GVZEIG
  • PDF W25N01GVZEIG.pdf
W29N02KVSIAF

W29N02KVSIAF-WINBOND

  • ТипNAND FLASH
  • МодельW29N02KVSIAF
  • КорпусTSOP-48-18.4mm
  • ПроизводительWINBOND
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования - 电压 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) 封装 TSOP-48-18.4mm NAND FLASH 品牌 WINBOND型号 W29N02KVSIAF
  • PDF W29N02KVSIAF.pdf
W29N01HVSINA

W29N01HVSINA-WINBOND

  • ТипNAND FLASH
  • МодельW29N01HVSINA
  • КорпусTSOP-48-18.4mm
  • ПроизводительWINBOND
  • Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 128M x 8 частота тактирования - 电压 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) 封装 TSOP-48-18.4mm NAND FLASH 品牌 WINBOND型号 W29N01HVSINA
  • PDF W29N01HVSINA.pdf
W25N02KVZEIR

W25N02KVZEIR-WINBOND

  • ТипNAND FLASH
  • МодельW25N02KVZEIR
  • КорпусWSON-8-EP(6x8)
  • ПроизводительWINBOND
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования 104 MHz 电压 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) 封装 WSON-8-EP(6x8) NAND FLASH 品牌 WINBOND型号 W25N02KVZEIR
  • PDF W25N02KVZEIR.pdf
W29N01HVBINA

W29N01HVBINA-WINBOND

  • ТипNAND FLASH
  • МодельW29N01HVBINA
  • КорпусVFBGA-63(9x11)
  • ПроизводительWINBOND
  • Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 128M x 8 частота тактирования - 电压 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) 封装 VFBGA-63(9x11) NAND FLASH 品牌 WINBOND型号 W29N01HVBINA
  • PDF W29N01HVBINA.pdf
W29N02GVBIAA

W29N02GVBIAA-WINBOND

  • ТипNAND FLASH
  • МодельW29N02GVBIAA
  • КорпусFBGA-63(9x11.5)
  • ПроизводительWINBOND
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования - 电压 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) 封装 FBGA-63(9x11.5) NAND FLASH 品牌 WINBOND型号 W29N02GVBIAA
  • PDF W29N02GVBIAA.pdf
W29N01HVBINF

W29N01HVBINF-WINBOND

  • ТипNAND FLASH
  • МодельW29N01HVBINF
  • КорпусVFBGA-63(9x11)
  • ПроизводительWINBOND
  • Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 128M x 8 частота тактирования - 电压 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) 封装 VFBGA-63(9x11) NAND FLASH 品牌 WINBOND 型号 W29N01HVBINF
  • PDF W29N01HVBINF.pdf
W25M02GVZEIG

W25M02GVZEIG-WINBOND

  • ТипNAND FLASH
  • МодельW25M02GVZEIG
  • КорпусWSON-8-EP(6x8)
  • ПроизводительWINBOND
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования 104 MHz 电压 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) 封装 WSON-8-EP(6x8) NAND FLASH 品牌 WINBOND型号 W25M02GVZEIG
  • PDF W25M02GVZEIG.pdf
W29N04GZBIBA

W29N04GZBIBA-WINBOND

  • ТипNAND FLASH
  • МодельW29N04GZBIBA
  • КорпусVFBGA-63(9x11)
  • ПроизводительWINBOND
  • Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти 512M x 8 частота тактирования - 电压 1.7V ~ 1.95V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) 封装 VFBGA-63(9x11) NAND FLASH 品牌 WINBOND 型号 W29N04GZBIBA
  • PDF W29N04GZBIBA.pdf
W29N08GVSIAA

W29N08GVSIAA-WINBOND

  • ТипNAND FLASH
  • МодельW29N08GVSIAA
  • КорпусTSOP-48-12.0mm
  • ПроизводительWINBOND
  • Описаниеобъём памяти 8Gb организация памяти 1G x 8 частота тактирования - 电压 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) 封装 TSOP-48-12.0mm NAND FLASH 品牌 WINBOND 型号 W29N08GVSIAA
  • PDF W29N08GVSIAA.pdf
Всего записей: 111«Предыдущая1234...12Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd