Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура 0°C ~ 70°C(TA) корпус TSOP-48-12.0mm NAND FLASH бренд KIOXIAартикул TC58BVG1S3HTA00
Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус VFBGA-63 NAND FLASH бренд KIOXIAартикул TC58BVG1S3HBAI4
Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти 512M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура 0°C ~ 70°C(TA) корпус TSOP-48-18.4mm NAND FLASH бренд KIOXIAартикул TC58NVG2S0HTA00
Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти 512M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C корпус WSON-8-EP(6x8) NAND FLASH бренд KIOXIAартикул TC58CVG2S0HRAIJ
Описаниеобъём памяти 32Gb организация памяти 4G x 8 частота тактирования 52 MHz напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -25°C ~ 85°C(TA) корпус WFBGA-153 NAND FLASH бренд KIOXIAартикул THGBMNG5D1LBAIT
Описаниеобъём памяти 256Gb организация памяти 32G x 8 частота тактирования 200 MHz напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -20°C ~ 85°C(TC) корпус WBGA-153 NAND FLASH бренд KIOXIAартикул THGAMVG8T13BAIL
Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 128M x 8 частота тактирования - напряжение 1.7V ~ 1.95V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус VFBGA-67 NAND FLASH бренд KIOXIAартикул TC58NYG0S3HBAI6
Описаниеобъём памяти 8Gb организация памяти 1G x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура 0°C ~ 70°C(TA) корпус TSOP-48 NAND FLASH бренд KIOXIA артикул TH58NVG3S0HTA00
Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус TFBGA-63 NAND FLASH бренд KIOXIA артикул TC58NVG1S3HBAI4
Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти 512M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус TFBGA-63(9x11) NAND FLASH бренд KIOXIA артикул TC58NVG2S0HBAI4