О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > память  > NAND FLASH
TC58BVG1S3HTA00

TC58BVG1S3HTA00-KIOXIA

  • ТипNAND FLASH
  • МодельTC58BVG1S3HTA00
  • КорпусTSOP-48-12.0mm
  • ПроизводительKIOXIA
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура 0°C ~ 70°C(TA) корпус TSOP-48-12.0mm NAND FLASH бренд KIOXIAартикул TC58BVG1S3HTA00
  • PDF TC58BVG1S3HTA00.pdf
TC58BVG1S3HBAI4

TC58BVG1S3HBAI4-KIOXIA

  • ТипNAND FLASH
  • МодельTC58BVG1S3HBAI4
  • КорпусVFBGA-63
  • ПроизводительKIOXIA
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус VFBGA-63 NAND FLASH бренд KIOXIAартикул TC58BVG1S3HBAI4
  • PDF TC58BVG1S3HBAI4.pdf
TC58NVG2S0HTA00

TC58NVG2S0HTA00-KIOXIA

  • ТипNAND FLASH
  • МодельTC58NVG2S0HTA00
  • КорпусTSOP-48-18.4mm
  • ПроизводительKIOXIA
  • Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти 512M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура 0°C ~ 70°C(TA) корпус TSOP-48-18.4mm NAND FLASH бренд KIOXIAартикул TC58NVG2S0HTA00
  • PDF TC58NVG2S0HTA00.pdf
TC58CVG2S0HRAIJ

TC58CVG2S0HRAIJ-KIOXIA

  • ТипNAND FLASH
  • МодельTC58CVG2S0HRAIJ
  • КорпусWSON-8-EP(6x8)
  • ПроизводительKIOXIA
  • Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти 512M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C корпус WSON-8-EP(6x8) NAND FLASH бренд KIOXIAартикул TC58CVG2S0HRAIJ
  • PDF TC58CVG2S0HRAIJ.pdf
THGBMNG5D1LBAIT

THGBMNG5D1LBAIT-KIOXIA

  • ТипNAND FLASH
  • МодельTHGBMNG5D1LBAIT
  • КорпусWFBGA-153
  • ПроизводительKIOXIA
  • Описаниеобъём памяти 32Gb организация памяти 4G x 8 частота тактирования 52 MHz напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -25°C ~ 85°C(TA) корпус WFBGA-153 NAND FLASH бренд KIOXIAартикул THGBMNG5D1LBAIT
  • PDF THGBMNG5D1LBAIT.pdf
THGAMVG8T13BAIL

THGAMVG8T13BAIL-KIOXIA

  • ТипNAND FLASH
  • МодельTHGAMVG8T13BAIL
  • КорпусWBGA-153
  • ПроизводительKIOXIA
  • Описаниеобъём памяти 256Gb организация памяти 32G x 8 частота тактирования 200 MHz напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -20°C ~ 85°C(TC) корпус WBGA-153 NAND FLASH бренд KIOXIAартикул THGAMVG8T13BAIL
  • PDF THGAMVG8T13BAIL.pdf
TC58NYG0S3HBAI6

TC58NYG0S3HBAI6-KIOXIA

  • ТипNAND FLASH
  • МодельTC58NYG0S3HBAI6
  • КорпусVFBGA-67
  • ПроизводительKIOXIA
  • Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 128M x 8 частота тактирования - напряжение 1.7V ~ 1.95V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус VFBGA-67 NAND FLASH бренд KIOXIAартикул TC58NYG0S3HBAI6
  • PDF TC58NYG0S3HBAI6.pdf
TH58NVG3S0HTA00

TH58NVG3S0HTA00-KIOXIA

  • ТипNAND FLASH
  • МодельTH58NVG3S0HTA00
  • КорпусTSOP-48
  • ПроизводительKIOXIA
  • Описаниеобъём памяти 8Gb организация памяти 1G x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура 0°C ~ 70°C(TA) корпус TSOP-48 NAND FLASH бренд KIOXIA артикул TH58NVG3S0HTA00
  • PDF TH58NVG3S0HTA00.pdf
TC58NVG1S3HBAI4

TC58NVG1S3HBAI4-KIOXIA

  • ТипNAND FLASH
  • МодельTC58NVG1S3HBAI4
  • КорпусTFBGA-63
  • ПроизводительKIOXIA
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус TFBGA-63 NAND FLASH бренд KIOXIA артикул TC58NVG1S3HBAI4
  • PDF TC58NVG1S3HBAI4.pdf
TC58NVG2S0HBAI4

TC58NVG2S0HBAI4-KIOXIA

  • ТипNAND FLASH
  • МодельTC58NVG2S0HBAI4
  • КорпусTFBGA-63(9x11)
  • ПроизводительKIOXIA
  • Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти 512M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус TFBGA-63(9x11) NAND FLASH бренд KIOXIA артикул TC58NVG2S0HBAI4
  • PDF TC58NVG2S0HBAI4.pdf
Всего записей: 111«Предыдущая1234567...12Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd