О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > ISSI(美国芯成)
ISSI(美国芯成)

ISSI(美国芯成)

Категория：
NAND FLASH
Мультивыбор
Корпус：
TSOP-48TSOP-48-12.0mmTSOP-48-18.4mmVFBGA-153(11.5x13)WSON-8-EP(6x8)
Мультивыбор
IS34ML02G084-TLI

IS34ML02G084-TLI-ISSI

  • ТипNAND FLASH
  • МодельIS34ML02G084-TLI
  • КорпусTSOP-48-12.0mm
  • ПроизводительISSI
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус TSOP-48-12.0mm NAND FLASH бренд  ISSIартикул IS34ML02G084-TLI
  • PDF IS34ML02G084-TLI.pdf
Консультация
IS37SML01G1-LLI

IS37SML01G1-LLI-ISSI

  • ТипNAND FLASH
  • МодельIS37SML01G1-LLI
  • КорпусWSON-8-EP(6x8)
  • ПроизводительISSI
  • Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 128M x 8 частота тактирования 104 MHz напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус WSON-8-EP(6x8) NAND FLASH бренд ISSIартикул IS37SML01G1-LLI
  • PDF IS37SML01G1-LLI.pdf
Консультация
IS34ML01G084-TLI-TR

IS34ML01G084-TLI-TR-ISSI

  • ТипNAND FLASH
  • МодельIS34ML01G084-TLI-TR
  • КорпусTSOP-48-18.4mm
  • ПроизводительISSI
  • Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 128M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус TSOP-48-18.4mm NAND FLASH бренд ISSIартикул IS34ML01G084-TLI-TR
  • PDF IS34ML01G084-TLI-TR.pdf
Консультация
IS34ML04G084-TLI

IS34ML04G084-TLI-ISSI

  • ТипNAND FLASH
  • МодельIS34ML04G084-TLI
  • КорпусTSOP-48-12.0mm
  • ПроизводительISSI
  • Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти 512M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус TSOP-48-12.0mm NAND FLASH бренд ISSIартикул IS34ML04G084-TLI
  • PDF IS34ML04G084-TLI.pdf
Консультация
IS34ML01G081-TLI

IS34ML01G081-TLI-ISSI

  • ТипNAND FLASH
  • МодельIS34ML01G081-TLI
  • КорпусTSOP-48-18.4mm
  • ПроизводительISSI
  • Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 128M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус TSOP-48-18.4mm NAND FLASH бренд ISSIартикул IS34ML01G081-TLI
  • PDF IS34ML01G081-TLI.pdf
Консультация
IS34ML01G081-TLI-TR

IS34ML01G081-TLI-TR-ISSI

  • ТипNAND FLASH
  • МодельIS34ML01G081-TLI-TR
  • КорпусTSOP-48-18.4mm
  • ПроизводительISSI
  • Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 128M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус TSOP-48-18.4mm NAND FLASH бренд ISSIартикул IS34ML01G081-TLI-TR
  • PDF IS34ML01G081-TLI-TR.pdf
Консультация
IS34ML04G081-TLI

IS34ML04G081-TLI-ISSI

  • ТипNAND FLASH
  • МодельIS34ML04G081-TLI
  • КорпусTSOP-48
  • ПроизводительISSI
  • Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти 512M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус TSOP-48 NAND FLASH бренд ISSIартикул IS34ML04G081-TLI
  • PDF IS34ML04G081-TLI.pdf
Консультация
IS21ES08G-JCLI-TR

IS21ES08G-JCLI-TR-ISSI

  • ТипNAND FLASH
  • МодельIS21ES08G-JCLI-TR
  • КорпусVFBGA-153(11.5x13)
  • ПроизводительISSI
  • Описаниеобъём памяти 64Gb организация памяти 8G x 8 частота тактирования 200 MHz напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус VFBGA-153(11.5x13) NAND FLASH бренд ISSIартикул IS21ES08G-JCLI-TR
  • PDF IS21ES08G-JCLI-TR.pdf
Консультация
IS34ML01G084-TLI

IS34ML01G084-TLI-ISSI

  • ТипNAND FLASH
  • МодельIS34ML01G084-TLI
  • КорпусTSOP-48
  • ПроизводительISSI
  • Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 128M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус TSOP-48 NAND FLASH бренд ISSIартикул IS34ML01G084-TLI
  • PDF IS34ML01G084-TLI.pdf
Консультация
IS21ES64G-JCLI

IS21ES64G-JCLI-ISSI

  • ТипNAND FLASH
  • МодельIS21ES64G-JCLI
  • КорпусVFBGA-153(11.5x13)
  • ПроизводительISSI
  • Описаниеобъём памяти 512Gb организация памяти 64G x 8 частота тактирования 200 MHz напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус VFBGA-153(11.5x13) NAND FLASH бренд ISSIартикул IS21ES64G-JCLI
  • PDF IS21ES64G-JCLI.pdf
Консультация
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd