О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Все товары > память
MX35LF2GE4AB-MI

MX35LF2GE4AB-MI-MXIC

  • Типпамять
  • МодельMX35LF2GE4AB-MI
  • КорпусSOP-16-300mil
  • ПроизводительMXIC
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 512M x 4 частота тактирования 104 MHz напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус SOP-16-300mil NAND FLASH бренд MXICартикул MX35LF2GE4AB-MI
  • PDF MX35LF2GE4AB-MI.pdf
MX35LF2G24AD-Z4I

MX35LF2G24AD-Z4I-MXIC

  • Типпамять
  • МодельMX35LF2G24AD-Z4I
  • КорпусWSON-8
  • ПроизводительMXIC
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 512M x 4 частота тактирования 120 MHz напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус WSON-8 NAND FLASH бренд MXICартикул MX35LF2G24AD-Z4I
  • PDF MX35LF2G24AD-Z4I.pdf
MX30UF4G28AB-XKI

MX30UF4G28AB-XKI-MXIC

  • Типпамять
  • МодельMX30UF4G28AB-XKI
  • КорпусVFBGA-63
  • ПроизводительMXIC
  • Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти 512M x 8 частота тактирования - напряжение 1.7V ~ 1.95V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус VFBGA-63 NAND FLASH бренд MXICартикул MX30UF4G28AB-XKI
  • PDF MX30UF4G28AB-XKI.pdf
MX30LF1208AA-TI

MX30LF1208AA-TI-MXIC

  • Типпамять
  • МодельMX30LF1208AA-TI
  • КорпусTSOP-48
  • ПроизводительMXIC
  • Описаниеобъём памяти 512Mb организация памяти 64M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус TSOP-48 NAND FLASH бренд MXIC артикул MX30LF1208AA-TI
  • PDF MX30LF1208AA-TI.pdf
MX30LF2G18AC-XKI

MX30LF2G18AC-XKI-MXIC

  • Типпамять
  • МодельMX30LF2G18AC-XKI
  • КорпусVFBGA-63
  • ПроизводительMXIC
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус VFBGA-63 NAND FLASH бренд MXICартикул MX30LF2G18AC-XKI
  • PDF MX30LF2G18AC-XKI.pdf
S34ML01G200TFI000

S34ML01G200TFI000-CYPRESS

  • Типпамять
  • МодельS34ML01G200TFI000
  • КорпусTSOP-48-18.4mm
  • ПроизводительCYPRESS
  • Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 128M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус TSOP-48-18.4mm NAND FLASH бренд CYPRESSартикул S34ML01G200TFI000
  • PDF S34ML01G200TFI000.pdf
S34ML02G100TFI000

S34ML02G100TFI000-CYPRESS

  • Типпамять
  • МодельS34ML02G100TFI000
  • КорпусTSOP-48-18.4mm
  • ПроизводительCYPRESS
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус TSOP-48-18.4mm NAND FLASH бренд CYPRESS артикул S34ML02G100TFI000
  • PDF S34ML02G100TFI000.pdf
S34ML02G200TFI000

S34ML02G200TFI000-CYPRESS

  • Типпамять
  • МодельS34ML02G200TFI000
  • КорпусTSOP-48-18.4mm
  • ПроизводительCYPRESS
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус TSOP-48-18.4mm NAND FLASH бренд CYPRESSартикул S34ML02G200TFI000
  • PDF S34ML02G200TFI000.pdf
S34ML02G100BHI003

S34ML02G100BHI003-CYPRESS

  • Типпамять
  • МодельS34ML02G100BHI003
  • КорпусBGA-63
  • ПроизводительCYPRESS
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус BGA-63 NAND FLASH бренд CYPRESS артикул S34ML02G100BHI003
  • PDF S34ML02G100BHI003.pdf
S34ML01G200BHI000

S34ML01G200BHI000-CYPRESS

  • Типпамять
  • МодельS34ML01G200BHI000
  • КорпусBGA-63
  • ПроизводительCYPRESS
  • Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 128M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус BGA-63 NAND FLASH бренд CYPRESS артикул S34ML01G200BHI000
  • PDF S34ML01G200BHI000.pdf
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd