Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти 512M*8 частота тактирования 800M напряжение 1.5V рабочая температура 0°~ 95° корпус FBGA-96 DDR SDRAM бренд HYNIX артикул H5TQ4G63EFR-TEC
Описаниеобъём памяти 8Gb организация памяти - частота тактирования - напряжение 1.8V рабочая температура -20°~ 85° корпус BGA-200(10x15) DDR SDRAM бренд HYNIX артикул H9HCNNN8KUMLHR-NME
Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти - частота тактирования - напряжение 1.35V рабочая температура 0°~ 95° корпус FBGA-96 DDR SDRAM бренд HYNIX артикул H5TQ2G63GFR-TEC
Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти - частота тактирования - напряжение 1.35V рабочая температура 0°~ 95° корпус FBGA-96 DDR SDRAM бренд HYNIX артикул H5TC2G63GFR-PBK
Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти 512M*8 частота тактирования 800M напряжение 1.5V рабочая температура 0°~ 95° корпус FBGA-78 DDR SDRAM бренд HYNIXартикул H5TC4G83EFR-PBA
Описаниеобъём памяти 8Gb организация памяти - частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -20°C ~ 85°C(TC) корпус FBGA-153 NAND FLASH бренд HYNIXартикул H26M41208HPRA