Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 128M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус TFBGA-63(9x11) NAND FLASH бренд KIOXIA артикул TC58BVG0S3HBAI4
Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 128M x 8 частота тактирования 133 MHz напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус WSON-8(6x8) NAND FLASH бренд KIOXIA артикул TC58CVG0S3HRAIJ
Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус TSOPI-48 NAND FLASH бренд KIOXIA артикул TC58BVG1S3HTAI0
Описаниеобъём памяти - организация памяти - частота тактирования - напряжение - рабочая температура - корпус TSOP48 NAND FLASH бренд KIOXIA артикул TC58NVG5H2HTAI0
Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 128M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус TFBGA-63(9x11) NAND FLASH бренд KIOXIAартикул TC58NVG0S3HBAI4
Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус VFBGA-67(6.5x8) NAND FLASH бренд KIOXIA артикул TC58NVG1S3HBAI6
Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 128M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус TSOPI-48 NAND FLASH бренд KIOXIA артикул TC58BVG0S3HTAI0
Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 256M x 4 частота тактирования 104 MHz напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус WSON-8-EP(6x8) NAND FLASH бренд MXIC артикул MX35LF1GE4AB-Z4I
Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 512M x 4 частота тактирования 104 MHz напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус WSON-8 NAND FLASH бренд MXIC артикул MX35LF2GE4AD-Z4I
Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти 512M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C(TA) корпус TSOP-48-12.0mm NAND FLASH бренд MXIC артикул MX30LF4G28AD-TI