О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Все товары > память
Бренд：
WINBONDISSISAMSUNGGigaDeviceKIOXIAMXICChipONCYPRESSmicronHYNIX
Мультивыбор
Корпус：
BGA-200(10x15)BGA-63BGA-63(9x11)BGA-96(7.5x13)BGA153FBGA-153FBGA-63(9x11.5)FBGA-78FBGA-96LGA-8(6x8)SOP-16-300milTFBGA-63TFBGA-63(9x11)TFSOP-48TSOP-48TSOP-48-12.0mmTSOP-48-12.2mmTSOP-48-18.4mmTSOP48TSOPI-48TSSOP-48U-PDFN-8(6x8)UDFN-8UPDFN-8VFBGA-153(11.5x13)VFBGA-63VFBGA-63(9x11)VFBGA-67VFBGA-67(6.5x8)WBGA-153WFBGA-153WSON-8WSON-8(6x8)WSON-8-EP(6.1x8)WSON-8-EP(6x8)
Ещё ⤵Мультивыбор
S34ML01G100BHI000

S34ML01G100BHI000-CYPRESS

  • Типпамять
  • МодельS34ML01G100BHI000
  • КорпусBGA-63
  • ПроизводительCYPRESS
  • Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 128M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус BGA-63 NAND FLASH бренд CYPRESS артикул S34ML01G100BHI000
  • PDF S34ML01G100BHI000.pdf
Консультация
MT29F2G08ABAEAWP:E

MT29F2G08ABAEAWP:E-micron

  • Типпамять
  • МодельMT29F2G08ABAEAWP:E
  • КорпусTSOP-48-12.2mm
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура 0°C ~ 70°C（TA） корпус TSOP-48-12.2mm NAND FLASH бренд micron артикул MT29F2G08ABAEAWP:E
  • PDF MT29F2G08ABAEAWP:E.pdf
Консультация
MT29F4G01ABAFDWB-IT:F

MT29F4G01ABAFDWB-IT:F-micron

  • Типпамять
  • МодельMT29F4G01ABAFDWB-IT:F
  • КорпусUDFN-8
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти 4G x 1 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус UDFN-8 NAND FLASH бренд micron артикул MT29F4G01ABAFDWB-IT:F
  • PDF MT29F4G01ABAFDWB-IT:F.pdf
Консультация
MT29F4G08ABAEAWP:E

MT29F4G08ABAEAWP:E-micron

  • Типпамять
  • МодельMT29F4G08ABAEAWP:E
  • КорпусTSOP-48-18.4mm
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти 512M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура 0°C ~ 70°C（TA） корпус TSOP-48-18.4mm NAND FLASH бренд micron артикул MT29F4G08ABAEAWP:E
  • PDF MT29F4G08ABAEAWP:E.pdf
Консультация
MT29F8G08ABACAWP-IT:C

MT29F8G08ABACAWP-IT:C-micron

  • Типпамять
  • МодельMT29F8G08ABACAWP-IT:C
  • КорпусTSOP-48-18.4mm
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 8Gb организация памяти 1G x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус TSOP-48-18.4mm NAND FLASH бренд micron артикул MT29F8G08ABACAWP-IT:C
  • PDF MT29F8G08ABACAWP-IT:C.pdf
Консультация
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E-micron

  • Типпамять
  • МодельMT29F2G08ABAEAWP-IT:E
  • КорпусTSOP-48-12.0mm
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус TSOP-48-12.0mm NAND FLASH бренд micron артикул MT29F2G08ABAEAWP-IT:E
  • PDF MT29F2G08ABAEAWP-IT:E.pdf
Консультация
MT29F1G01ABAFDWB-IT:F

MT29F1G01ABAFDWB-IT:F-micron

  • Типпамять
  • МодельMT29F1G01ABAFDWB-IT:F
  • КорпусUPDFN-8
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 1G x 1 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус UPDFN-8 NAND FLASH бренд micron артикул MT29F1G01ABAFDWB-IT:F
  • PDF MT29F1G01ABAFDWB-IT:F.pdf
Консультация
MT29F1G08ABAEAWP:E

MT29F1G08ABAEAWP:E-micron

  • Типпамять
  • МодельMT29F1G08ABAEAWP:E
  • КорпусTSOP-48-12.0mm
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 128M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура 0°C ~ 70°C（TA） корпус TSOP-48-12.0mm NAND FLASH бренд micron артикул MT29F1G08ABAEAWP:E
  • PDF MT29F1G08ABAEAWP:E.pdf
Консультация
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E

MT29F2G08ABAEAH4-IT:E-micron

  • Типпамять
  • МодельMT29F2G08ABAEAH4-IT:E
  • КорпусVFBGA-63
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус VFBGA-63 NAND FLASH бренд micron артикул MT29F2G08ABAEAH4-IT:E
  • PDF MT29F2G08ABAEAH4-IT:E.pdf
Консультация
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G

MT29F2G01ABAGDWB-IT:G-micron

  • Типпамять
  • МодельMT29F2G01ABAGDWB-IT:G
  • КорпусU-PDFN-8(6x8)
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 2G x 1 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C（TA） корпус U-PDFN-8(6x8) NAND FLASH бренд micron артикул MT29F2G01ABAGDWB-IT:G
  • PDF MT29F2G01ABAGDWB-IT:G.pdf
Консультация
Всего записей: 127«Предыдущая1... 678910111213Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd