О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > micron(镁光)
micron(镁光)

micron(镁光)

Категория：
NAND FLASH
Мультивыбор
Корпус：
BGA153TSOP-48TSOP-48-12.0mmTSOP-48-12.2mmTSOP-48-18.4mmU-PDFN-8(6x8)UDFN-8UPDFN-8VFBGA-63
Мультивыбор
MT29F2G08ABAEAWP:E

MT29F2G08ABAEAWP:E-micron

  • ТипNAND FLASH
  • МодельMT29F2G08ABAEAWP:E
  • КорпусTSOP-48-12.2mm
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура 0°C ~ 70°C( TA) корпус TSOP-48-12.2mm NAND FLASH бренд micron артикул MT29F2G08ABAEAWP:E
  • PDF MT29F2G08ABAEAWP:E.pdf
Консультация
MT29F4G01ABAFDWB-IT:F

MT29F4G01ABAFDWB-IT:F-micron

  • ТипNAND FLASH
  • МодельMT29F4G01ABAFDWB-IT:F
  • КорпусUDFN-8
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти 4G x 1 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C( TA) корпус UDFN-8 NAND FLASH бренд micron артикул MT29F4G01ABAFDWB-IT:F
  • PDF
Консультация
MT29F4G08ABAEAWP:E

MT29F4G08ABAEAWP:E-micron

  • ТипNAND FLASH
  • МодельMT29F4G08ABAEAWP:E
  • КорпусTSOP-48-18.4mm
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти 512M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура 0°C ~ 70°C( TA) корпус TSOP-48-18.4mm NAND FLASH бренд micron артикул MT29F4G08ABAEAWP:E
  • PDF
Консультация
MT29F8G08ABACAWP-IT:C

MT29F8G08ABACAWP-IT:C-micron

  • ТипNAND FLASH
  • МодельMT29F8G08ABACAWP-IT:C
  • КорпусTSOP-48-18.4mm
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 8Gb организация памяти 1G x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C( TA) корпус TSOP-48-18.4mm NAND FLASH бренд micron артикул MT29F8G08ABACAWP-IT:C
  • PDF MT29F8G08ABACAWP-IT:C.pdf
Консультация
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E-micron

  • ТипNAND FLASH
  • МодельMT29F2G08ABAEAWP-IT:E
  • КорпусTSOP-48-12.0mm
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C( TA) корпус TSOP-48-12.0mm NAND FLASH бренд micron артикул MT29F2G08ABAEAWP-IT:E
  • PDF MT29F2G08ABAEAWP-IT:E.pdf
Консультация
MT29F1G01ABAFDWB-IT:F

MT29F1G01ABAFDWB-IT:F-micron

  • ТипNAND FLASH
  • МодельMT29F1G01ABAFDWB-IT:F
  • КорпусUPDFN-8
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 1G x 1 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C( TA) корпус UPDFN-8 NAND FLASH бренд micron артикул MT29F1G01ABAFDWB-IT:F
  • PDF MT29F1G01ABAFDWB-IT:F.pdf
Консультация
MT29F1G08ABAEAWP:E

MT29F1G08ABAEAWP:E-micron

  • ТипNAND FLASH
  • МодельMT29F1G08ABAEAWP:E
  • КорпусTSOP-48-12.0mm
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 128M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура 0°C ~ 70°C( TA) корпус TSOP-48-12.0mm NAND FLASH бренд micron артикул MT29F1G08ABAEAWP:E
  • PDF MT29F1G08ABAEAWP:E.pdf
Консультация
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E

MT29F2G08ABAEAH4-IT:E-micron

  • ТипNAND FLASH
  • МодельMT29F2G08ABAEAH4-IT:E
  • КорпусVFBGA-63
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C( TA) корпус VFBGA-63 NAND FLASH бренд micron артикул MT29F2G08ABAEAH4-IT:E
  • PDF MT29F2G08ABAEAH4-IT:E.pdf
Консультация
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G

MT29F2G01ABAGDWB-IT:G-micron

  • ТипNAND FLASH
  • МодельMT29F2G01ABAGDWB-IT:G
  • КорпусU-PDFN-8(6x8)
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 2G x 1 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C( TA) корпус U-PDFN-8(6x8) NAND FLASH бренд micron артикул MT29F2G01ABAGDWB-IT:G
  • PDF MT29F2G01ABAGDWB-IT:G.pdf
Консультация
MT29F8G08ABBCAH4-IT:C

MT29F8G08ABBCAH4-IT:C-micron

  • ТипNAND FLASH
  • МодельMT29F8G08ABBCAH4-IT:C
  • КорпусVFBGA-63
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 8Gb организация памяти 1G x 8 частота тактирования - напряжение 1.7V ~ 1.95V рабочая температура -40°C ~ 85°C( TA) корпус VFBGA-63 NAND FLASH бренд micron артикул MT29F8G08ABBCAH4-IT:C
  • PDF
Консультация
MT29F2G08ABAGAWP-IT:G

MT29F2G08ABAGAWP-IT:G-micron

  • ТипNAND FLASH
  • МодельMT29F2G08ABAGAWP-IT:G
  • КорпусTSOP-48
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C( TA) корпус TSOP-48 NAND FLASH бренд micron артикул MT29F2G08ABAGAWP-IT:G
  • PDF
Консультация
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E-micron

  • ТипNAND FLASH
  • МодельMT29F1G08ABAEAWP-IT:E
  • КорпусTSOP-48-12.0mm
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 1Gb организация памяти 128M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C( TA) корпус TSOP-48-12.0mm NAND FLASH бренд micron артикул MT29F1G08ABAEAWP-IT:E
  • PDF
Консультация
MT29F4G08ABADAWP:D

MT29F4G08ABADAWP:D-micron

  • ТипNAND FLASH
  • МодельMT29F4G08ABADAWP:D
  • КорпусTSOP-48-12.2mm
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 4Gb организация памяти 512M x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура 0°C ~ 70°C( TA) корпус TSOP-48-12.2mm NAND FLASH бренд micron артикул MT29F4G08ABADAWP:D
  • PDF MT29F4G08ABADAWP:D.pdf
Консультация
MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A

MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A-micron

  • ТипNAND FLASH
  • МодельMT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A
  • КорпусTSOP-48
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 64Gb организация памяти 8G x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C( TA) корпус TSOP-48 NAND FLASH бренд micron артикул MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A
  • PDF MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A.pdf
Консультация
MT29F2G08ABBGAH4-IT:G

MT29F2G08ABBGAH4-IT:G-micron

  • ТипNAND FLASH
  • МодельMT29F2G08ABBGAH4-IT:G
  • КорпусVFBGA-63
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 256M x 8 частота тактирования - напряжение 1.7V ~ 1.95V рабочая температура 40°C ~ 85°C( TA) корпус VFBGA-63 NAND FLASH бренд micron артикул MT29F2G08ABBGAH4-IT:G
  • PDF
Консультация
MTFC8GAMALBH-AIT

MTFC8GAMALBH-AIT-micron

  • ТипNAND FLASH
  • МодельMTFC8GAMALBH-AIT
  • КорпусBGA153
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 64Gb организация памяти 8G x 8 частота тактирования - напряжение - рабочая температура 40°C ~ 85°C( TA) корпус BGA153 NAND FLASH бренд micron артикул MTFC8GAMALBH-AIT
  • PDF
Консультация
MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A

MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A-micron

  • ТипNAND FLASH
  • МодельMT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A
  • КорпусTSOP-48
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 128Gb организация памяти 16G x 8 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура 40°C ~ 85°C( TA) корпус TSOP-48 NAND FLASH бренд micron артикул MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A
  • PDF MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A.pdf
Консультация
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G

MT29F2G01ABAGDWB-IT:G-micron

  • ТипNAND FLASH
  • МодельMT29F2G01ABAGDWB-IT:G
  • КорпусUDFN-8
  • Производительmicron
  • Описаниеобъём памяти 2Gb организация памяти 2G x 1 частота тактирования - напряжение 2.7V ~ 3.6V рабочая температура -40°C ~ 85°C( TA) корпус UDFN-8 NAND FLASH бренд micron артикул MT29F2G01ABAGDWB-IT:G
  • PDF
Консультация
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd