О компании Контакты 1986587488919865874889 Единая платформа услуг по электронным компонентам
Главная > Производитель > UTC(友顺)
UTC(友顺)

UTC(友顺)

4N90CL-TF3-T

4N90CL-TF3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель4N90CL-TF3-T
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 900V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 4.0A мощность (Pd) 28W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4.5 Ω @ VGS=10V, ID=2.0A корпус  SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N90CL-TF3-T 系列 4N90CL
  • PDF 4N90CL-TF3-T.pdf
UT8205AG-P08-R

UT8205AG-P08-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT8205AG-P08-R
  • КорпусTSSOP-8
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 6A мощность (Pd) 1.5W канал 2个Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@4.5V,6A корпус   TSSOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT8205AG-P08-R 系列 UT8205AG
  • PDF UT8205AG-P08-R.pdf
7N65L-TN3-R

7N65L-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель7N65L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 7A мощность (Pd) 48W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.3 Ω @ VGS=10V, ID=3.5A корпус  TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 7N65L-TN3-R 系列 7N65L
  • PDF 7N65L-TN3-R.pdf
2N60G-LC1-AA3-R

2N60G-LC1-AA3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N60G-LC1-AA3-R
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 2A мощность (Pd) 2.3W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) ≤ 5.0 Ω @ VGS=10V, ID=1.0A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N60G-LC1-AA3-R 系列 2N60G
  • PDF 2N60G-LC1-AA3-R.pdf
4N60G-TN3-R

4N60G-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель4N60G-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 4A мощность (Pd) 50W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.5 Ω @ VGS = 10 V, ID = 2.2A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N60G-TN3-R 系列 4N60G
  • PDF 4N60G-TN3-R.pdf
14N65L-ML-TF3-T

14N65L-ML-TF3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель14N65L-ML-TF3-T
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 14A мощность (Pd) 52W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 0.65 Ω @ VGS=10V, ID=7.0A корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 14N65L-ML-TF3-T 系列 14N65L
  • PDF 14N65L-ML-TF3-T.pdf
UF840KG-TN3-R

UF840KG-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUF840KG-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 500V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 8A мощность (Pd) 107W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 870mΩ@10V,4.4A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UF840KG-TN3-R 系列 UF840KG
  • PDF UF840KG-TN3-R.pdf
2N65L-TM3-T

2N65L-TM3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N65L-TM3-T
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) ток 2A мощность (Pd) 45W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) ≤ 5.5 Ω @ VGS=10V, ID=1.0A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N65L-TM3-T 系列 2N65L
  • PDF 2N65L-TM3-T.pdf
UT9564G-SO8-R

UT9564G-SO8-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT9564G-SO8-R
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 40V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 7.3A мощность (Pd) 2.5W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@10V,7A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT9564G-SO8-R 系列 UT9564G
  • PDF UT9564G-SO8-R.pdf
UT20N03L-TN3-R

UT20N03L-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT20N03L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@25uA ток 20A мощность (Pd) 60W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 31mΩ@4.5V,15A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT20N03L-TN3-R 系列 UT20N03L
  • PDF UT20N03L-TN3-R.pdf
8N80L-TF1-T

8N80L-TF1-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель8N80L-TF1-T
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 800V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 5V@250uA ток 8A мощность (Pd) 59W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.45Ω@10V,4A корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 8N80L-TF1-T 系列 8N80L
  • PDF 8N80L-TF1-T.pdf
UF740L-TA3-T

UF740L-TA3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUF740L-TA3-T
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 400V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 10A мощность (Pd) 125W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 550mΩ@10V,5.2A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UF740L-TA3-T 系列 UF740L
  • PDF UF740L-TA3-T.pdf
4N65KG-TN3-R

4N65KG-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель4N65KG-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 4A мощность (Pd) 50W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.5Ω @ VGS = 10 V, ID = 2.2A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N65KG-TN3-R 系列 4N65KG
  • PDF 4N65KG-TN3-R.pdf
4N70KL-MT-TF1-T

4N70KL-MT-TF1-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель4N70KL-MT-TF1-T
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 700V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 4.4A мощность (Pd) 36W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.2Ω@10V,2.2A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N70KL-MT-TF1-T 系列 4N70KL
  • PDF 4N70KL-MT-TF1-T.pdf
1N65G-AA3-R

1N65G-AA3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель1N65G-AA3-R
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 1.2A мощность (Pd) 8W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 12.5Ω@10V,600mA корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 1N65G-AA3-R 系列 1N65G
  • PDF 1N65G-AA3-R.pdf
7N70G-TC-TN3-R

7N70G-TC-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель7N70G-TC-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 700V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 7A мощность (Pd) 57W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) ≤ 1.7 Ω @ VGS=10V, ID=3.5A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 7N70G-TC-TN3-R 系列 7N70G
  • PDF 7N70G-TC-TN3-R.pdf
50N06L-TA3-T

50N06L-TA3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель50N06L-TA3-T
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 50A мощность (Pd) 120W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 23mΩ@10V,25A корпус  TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 50N06L-TA3-T 系列 50N06L
  • PDF 50N06L-TA3-T.pdf
12N80L-T47-T

12N80L-T47-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель12N80L-T47-T
  • КорпусTO-247
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 800V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 5V@250uA ток 12A мощность (Pd) 360W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1Ω@10V,6A корпус  TO-247 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 12N80L-T47-T 系列 12N80L
  • PDF 12N80L-T47-T.pdf
12N70L-TF1-T

12N70L-TF1-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель12N70L-TF1-T
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 700V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 12A мощность (Pd) 36W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 0.9Ω @ VGS=10V, ID=6.0A корпус  TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 12N70L-TF1-T 系列 12N70L
  • PDF 12N70L-TF1-T.pdf
2N65G-TM3-T

2N65G-TM3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N65G-TM3-T
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) ток 2A мощность (Pd) 45W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) ≤ 5.5 Ω @ VGS=10V, ID=1.0A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N65G-TM3-T 系列 2N65G
  • PDF 2N65G-TM3-T.pdf
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd