О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > UTC(友顺)
UTC(友顺)

UTC(友顺)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Мультивыбор
Корпус：
SOP-8SOT-223SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-363SOT-89TO-220TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-247TO-251TO-252TO-263TO-92TO-92-3TSSOP-8
Ещё ⤵Мультивыбор
UT2301G-AE3-R

UT2301G-AE3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT2301G-AE3-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 450mV@250uA ток 2.8A мощность (Pd) 1.14W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 130mΩ@4.5V,2.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT2301G-AE3-R 系列 UT2301G
  • PDF UT2301G-AE3-R.pdf
Консультация
UT3401G-AE3-R

UT3401G-AE3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT3401G-AE3-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.3V@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 1.4W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,4.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT3401G-AE3-R 系列 UT3401G
  • PDF UT3401G-AE3-R.pdf
Консультация
UT3401ZG-AE3-R

UT3401ZG-AE3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT3401ZG-AE3-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.3V@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 1.4W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,4.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT3401ZG-AE3-R 系列 UT3401G
  • PDF UT3401ZG-AE3-R.pdf
Консультация
4N65L-ML-TF3-T

4N65L-ML-TF3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель4N65L-ML-TF3-T
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 4A мощность (Pd) 32W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.6 Ω @ VGS=10V, ID=2.0A корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N65L-ML-TF3-T 系列 4N65L
  • PDF 4N65L-ML-TF3-T.pdf
Консультация
4N65L-Q-TM3-T

4N65L-Q-TM3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель4N65L-Q-TM3-T
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 4A мощность (Pd) 50W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.5Ω@10V,2.2A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N65L-Q-TM3-T 系列 4N65L
  • PDF 4N65L-Q-TM3-T.pdf
Консультация
4N65L-TA3-T

4N65L-TA3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель4N65L-TA3-T
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 4A мощность (Pd) 50W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2.5Ω@10V,2.2A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N65L-TA3-T 系列 4N65L
  • PDF 4N65L-TA3-T.pdf
Консультация
UT2305G-AE3-R

UT2305G-AE3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT2305G-AE3-R
  • КорпусSOT-23-3L
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 1.38W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 53mΩ@10V,4.5A корпус SOT-23-3L MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT2305G-AE3-R 系列 UT2305G
  • PDF UT2305G-AE3-R.pdf
Консультация
UT2305G-AE2-R

UT2305G-AE2-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT2305G-AE2-R
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.2V@250uA ток 4.2A мощность (Pd) 830mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 65mΩ@4.5V,4.2A корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT2305G-AE2-R 系列 UT2305G
  • PDF UT2305G-AE2-R.pdf
Консультация
UF630G-TN3-R

UF630G-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUF630G-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 200V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 9A мощность (Pd) 46W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 400mΩ@10V,5A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UF630G-TN3-R 系列 UF630G
  • PDF UF630G-TN3-R.pdf
Консультация
4N120L-TA3-T

4N120L-TA3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель4N120L-TA3-T
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 1200V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 4A мощность (Pd) 140W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 4.0 Ω @ VGS=10V, ID=2.0A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N120L-TA3-T 系列 4N120L
  • PDF 4N120L-TA3-T.pdf
Консультация
UF630L-TA3-T

UF630L-TA3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUF630L-TA3-T
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 200V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 9A мощность (Pd) 73W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 400mΩ@10V,5A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UF630L-TA3-T 系列 UF630L
  • PDF UF630L-TA3-T.pdf
Консультация
7NM65G-TN3-R

7NM65G-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель7NM65G-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4.5V@250uA ток 7A мощность (Pd) 60W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 900mΩ@10V,3.5A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 7NM65G-TN3-R 系列 7NM65G
  • PDF 7NM65G-TN3-R.pdf
Консультация
2N60L-TN3-R

2N60L-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N60L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 2A мощность (Pd) 44W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,1A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N60L-TN3-R 系列 2N60L
  • PDF 2N60L-TN3-R.pdf
Консультация
2N60L-TM3-T

2N60L-TM3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N60L-TM3-T
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 2A мощность (Pd) 44W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,1A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N60L-TM3-T 系列 2N60L
  • PDF 2N60L-TM3-T.pdf
Консультация
3N90L-TQ2-R

3N90L-TQ2-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель3N90L-TQ2-R
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 900V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 3A мощность (Pd) 90W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) ≤ 3.5 Ω @ VGS=10V, ID=1.5A корпус TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 3N90L-TQ2-R 系列 3N90L
  • PDF 3N90L-TQ2-R.pdf
Консультация
3N90L-TN3-R

3N90L-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель3N90L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 900V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 3A мощность (Pd) 90W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) ≤ 3.5 Ω @ VGS=10V, ID=1.5A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 3N90L-TN3-R 系列 3N90L
  • PDF 3N90L-TN3-R.pdf
Консультация
UT3400G-AE3-R

UT3400G-AE3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT3400G-AE3-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 5.8A мощность (Pd) 1.4W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28 mΩ @ VGS=10V, ID=5.8A 33 mΩ @ VGS=4.5V, ID=5.0A 52 mΩ @ VGS=2.5V, ID=4.0A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT3400G-AE3-R 系列 UT3400G
  • PDF UT3400G-AE3-R.pdf
Консультация
30N06-TN3-R

30N06-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель30N06-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 30A мощность (Pd) 46W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 40mΩ@10V,15A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 30N06-TN3-R 系列 30N06
  • PDF 30N06-TN3-R.pdf
Консультация
2N60G-CB-AA3-R

2N60G-CB-AA3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N60G-CB-AA3-R
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 2A мощность (Pd) 44W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5Ω@10V,1A корпус  SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N60G-CB-AA3-R 系列 2N60G
  • PDF 2N60G-CB-AA3-R.pdf
Консультация
7N65KL-TN3-R

7N65KL-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель7N65KL-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 7A мощность (Pd) 55W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.6Ω@10V,3.5A корпус  TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 7N65KL-TN3-R 系列 7N65
  • PDF 7N65KL-TN3-R.pdf
Консультация
Всего записей: 93«Предыдущая12345Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd