О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > UTC(友顺)
UTC(友顺)

UTC(友顺)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Мультивыбор
Корпус：
SOP-8SOT-223SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-363SOT-89TO-220TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-247TO-251TO-252TO-263TO-92TO-92-3TSSOP-8
Ещё ⤵Мультивыбор
2N7002ZDWG-AL6-R

2N7002ZDWG-AL6-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002ZDWG-AL6-R
  • КорпусSOT-363
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@1mA ток 300mA мощность (Pd) 200mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5Ω@300m,10V корпус SOT-363 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N7002ZDWG-AL6-R 系列 2N7002
  • PDF 2N7002ZDWG-AL6-R.pdf
Консультация
15NM70G-U2-TN3-R

15NM70G-U2-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель15NM70G-U2-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 700V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4.5V@250uA ток 15A мощность (Pd) 77W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 450mΩ@10V,7.5A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 15NM70G-U2-TN3-R 系列 15NM70G
  • PDF 15NM70G-U2-TN3-R.pdf
Консультация
UTM6016G-SO8-R

UTM6016G-SO8-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUTM6016G-SO8-R
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 8A мощность (Pd) 5.2W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 12mΩ@10V,8A корпус SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UTM6016G-SO8-R 系列 UTM6016G
  • PDF UTM6016G-SO8-R.pdf
Консультация
15N10L-TN3-R

15N10L-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель15N10L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 14.7A мощность (Pd) 37.4W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 100mΩ@10V,8A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 15N10L-TN3-R 系列 15N10L
  • PDF 15N10L-TN3-R.pdf
Консультация
10N65L-TF1-T

10N65L-TF1-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель10N65L-TF1-T
  • КорпусTO-220F1
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) < 0.86Ω@VGS =10V ток 10A мощность (Pd) 50W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.2Ω@10V,5A корпус TO-220F1 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 10N65L-TF1-T 系列 10N65L
  • PDF 10N65L-TF1-T.pdf
Консультация
10N65L-TC-TF1-T

10N65L-TC-TF1-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель10N65L-TC-TF1-T
  • КорпусTO-220F-3
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) < 0.86Ω@VGS =10V ток 10A мощность (Pd) 50W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.2Ω@10V,5A корпус TO-220F-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 10N65L-TC-TF1-T 系列 10N65L
  • PDF 10N65L-TC-TF1-T.pdf
Консультация
10N65L-ML-TF1-T

10N65L-ML-TF1-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель10N65L-ML-TF1-T
  • КорпусTO-220F-1
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 650V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) < 0.86Ω@VGS =10V ток 10A мощность (Pd) 50W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 1.2Ω@10V,5A корпус TO-220F-1 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 10N65L-ML-TF1-T 系列 10N65L
  • PDF 10N65L-ML-TF1-T.pdf
Консультация
14N50L-TQ2-R

14N50L-TQ2-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель14N50L-TQ2-R
  • КорпусTO-263
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 500V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4.5V@100uA ток 14A мощность (Pd) 150W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 500mΩ@10V,7A корпус TO-263 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 14N50L-TQ2-R 系列 14N50L
  • PDF 14N50L-TQ2-R.pdf
Консультация
14N50L-TF3-T

14N50L-TF3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель14N50L-TF3-T
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 500V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4.5V@100uA ток 14A мощность (Pd) 150W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 500mΩ@10V,7A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 14N50L-TF3-T 系列 14N50L
  • PDF 14N50L-TF3-T.pdf
Консультация
1N60L-T92-K

1N60L-T92-K-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель1N60L-T92-K
  • КорпусTO-92-3
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 1.2A мощность (Pd) 1W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11.5Ω@10V,600mA корпус TO-92-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 1N60L-T92-K 系列 1N60L
  • PDF 1N60L-T92-K.pdf
Консультация
1N60G-AA3-R

1N60G-AA3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель1N60G-AA3-R
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 1A мощность (Pd) 8W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 12Ω@10V,500mA корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 1N60G-AA3-R 系列 1N60L
  • PDF 1N60G-AA3-R.pdf
Консультация
1N60L-TN3-R

1N60L-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель1N60L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 1.2A мощность (Pd) 28W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11.5Ω@10V,600mA корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 1N60L-TN3-R 系列 1N60L
  • PDF 1N60L-TN3-R.pdf
Консультация
1N60L-T92-B

1N60L-T92-B-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель1N60L-T92-B
  • КорпусTO-92
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 600V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 1.2A мощность (Pd) 28W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 11.5Ω@10V,600mA корпус TO-92 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 1N60L-T92-B 系列 1N60L
  • PDF 1N60L-T92-B.pdf
Консультация
UT3404G-AE3-R

UT3404G-AE3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT3404G-AE3-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 5.8A мощность (Pd) 1.4W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 28mΩ@10V,5.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT3404G-AE3-R 系列 UT3404G
  • PDF UT3404G-AE3-R.pdf
Консультация
UTM2054G-AB3-R

UTM2054G-AB3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUTM2054G-AB3-R
  • КорпусSOT-89
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 1.5V@250uA ток 5A мощность (Pd) 1.47W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 40mΩ@10V,5A корпус SOT-89 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UTM2054G-AB3-R 系列 UTM2054G
  • PDF UTM2054G-AB3-R.pdf
Консультация
2N80L-TN3-R

2N80L-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N80L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 800V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 2.4A мощность (Pd) 24W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6.3Ω@10V,1.2A корпус  TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N80L-TN3-R 系列 2N80L
  • PDF 2N80L-TN3-R.pdf
Консультация
2N80L-TF1-T

2N80L-TF1-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N80L-TF1-T
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 800V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 2.4A мощность (Pd) 24W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 6.3Ω@10V,1.2A корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N80L-TF1-T 系列 2N80L
  • PDF 2N80L-TF1-T.pdf
Консультация
05N30G-AE3-R

05N30G-AE3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель05N30G-AE3-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 300V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 0.5A мощность (Pd) 0.6W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5.0 Ω @ VGS=10V, ID=0.25A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 05N30G-AE3-R 系列 05N30G
  • PDF 05N30G-AE3-R.pdf
Консультация
3N100G-TN3-R

3N100G-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель3N100G-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 1000V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) - ток 3A мощность (Pd) 50W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 5.5Ω @ VGS=10V, ID=1.5A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 3N100G-TN3-R 系列 3N100G
  • PDF 3N100G-TN3-R.pdf
Консультация
UT2301G-AE2-R

UT2301G-AE2-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT2301G-AE2-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 450mV@250uA ток 2.8A мощность (Pd) 1.14W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 130mΩ@4.5V,2.8A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT2301G-AE2-R 系列 UT2301G
  • PDF UT2301G-AE2-R.pdf
Консультация
Всего записей: 93«Предыдущая12345Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd