О компании Контакты 1986587488919865874889
Язык
Единая платформа услуг по электронным компонентам
STM32F405RGT6 STM32F103C8T6 STM32F103RCT6 STM32F103RBT6 ICM-42688-P
BOMBOM
Все товары
Главная Производитель Товары BOM Решения О компании Контакты
Главная > Производитель > UTC(友顺)
UTC(友顺)

UTC(友顺)

Категория：
MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
Мультивыбор
Корпус：
SOP-8SOT-223SOT-23SOT-23-3SOT-23-3LSOT-363SOT-89TO-220TO-220FTO-220F-1TO-220F-3TO-220F1TO-247TO-251TO-252TO-263TO-92TO-92-3TSSOP-8
Ещё ⤵Мультивыбор
UT3N06G-AB3-R

UT3N06G-AB3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT3N06G-AB3-R
  • КорпусSOT-89
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 3A мощность (Pd) 0.69 W канал N栅源напряжение  VGss ±20 V корпус SOT-89 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC  UT3N06G-AB3-R 系列  UT3N06
  • PDF UT3N06G-AB3-R.pdf
Консультация
UT3N06G-AE3-R

UT3N06G-AE3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT3N06G-AE3-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 3A мощность (Pd) 0.35 W канал N栅源напряжение  VGss ±20 V корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT3N06G-AE3-R 系列  UT3N06
  • PDF UT3N06G-AE3-R.pdf
Консультация
UT2302G-AE2-R

UT2302G-AE2-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT2302G-AE2-R
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 450mV@250uA ток 2.4A мощность (Pd) 1.25W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 95mΩ@2.5V,3.1A корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT2302G-AE2-R 系列 UT2302
  • PDF UT2302G-AE2-R.pdf
Консультация
UT2302G-AE3-R

UT2302G-AE3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT2302G-AE3-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 20V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 450mV@250uA ток 2.4A мощность (Pd) 1.25W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@4.5V,7.2A корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT2302G-AE3-R 系列 UT2302
  • PDF UT2302G-AE3-R.pdf
Консультация
UT4421G-SO8-R

UT4421G-SO8-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT4421G-SO8-R
  • КорпусSOP-8
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 6.2A мощность (Pd) 2W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 40mΩ@10V,6.2A корпус  SOP-8 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT4421G-SO8-R 系列 UT4421
  • PDF UT4421G-SO8-R.pdf
Консультация
UTT18P10L-TN3-R

UTT18P10L-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUTT18P10L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 18A мощность (Pd) 150W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 200mΩ@10V,18A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UTT18P10L-TN3-R 系列 UTT18P10
  • PDF UTT18P10L-TN3-R.pdf
Консультация
4N80L-TN3-R

4N80L-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель4N80L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 800V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 5V@250uA ток 4A мощность (Pd) 50W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3Ω@10V,2A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N80L-TN3-R 系列 4N80L
  • PDF 4N80L-TN3-R.pdf
Консультация
4N80L-FC

4N80L-FC-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель4N80L-FC
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 800V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 5V@250uA ток 4A мощность (Pd) 50W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3Ω@10V,2A корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N80L-FC 系列 4N80L
  • PDF 4N80L-FC.pdf
Консультация
4N80L-TM3-T

4N80L-TM3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель4N80L-TM3-T
  • КорпусTO-251
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 800V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 5V@250uA ток 4A мощность (Pd) 50W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3Ω@10V,2A корпус TO-251 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 4N80L-TM3-T 系列 4N80L
  • PDF 4N80L-TM3-T.pdf
Консультация
12P10L-TN3-R

12P10L-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель12P10L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 100V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 9.4A мощность (Pd) 50W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 290mΩ@10V,4.7A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 12P10L-TN3-R 系列 12P10L
  • PDF 12P10L-TN3-R.pdf
Консультация
UT2955G-AA3-R

UT2955G-AA3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT2955G-AA3-R
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@1mA ток 1.7A мощность (Pd) 1W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 180mΩ@10V,1.5A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT2955G-AA3-R 系列 UT2955
  • PDF UT2955G-AA3-R.pdf
Консультация
UF07P15G-AE3-R

UF07P15G-AE3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUF07P15G-AE3-R
  • КорпусSOT-23
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 150V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 700mA мощность (Pd) 600mW канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 3.1Ω@10V,500mA корпус SOT-23 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UF07P15G-AE3-R 系列 UF07P15
  • PDF UF07P15G-AE3-R.pdf
Консультация
2P50G-TN3-R

2P50G-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2P50G-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 500V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 2A мощность (Pd) 41W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 8.5Ω@10V,1A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2P50G-TN3-R 系列 2P50G
  • PDF 2P50G-TN3-R.pdf
Консультация
UF640L-TN3-R

UF640L-TN3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUF640L-TN3-R
  • КорпусTO-252
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 200V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 18A мощность (Pd) 83W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 180mΩ@10V,10A корпус TO-252 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UF640L-TN3-R 系列 UF640L
  • PDF UF640L-TN3-R.pdf
Консультация
UF640L-TA3-T

UF640L-TA3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUF640L-TA3-T
  • КорпусTO-220
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 200V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 18A мощность (Pd) 123W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 180mΩ@10V,10A корпус TO-220 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UF640L-TA3-T 系列 UF640L
  • PDF UF640L-TA3-T.pdf
Консультация
UF640L-TF3-T

UF640L-TF3-T-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUF640L-TF3-T
  • КорпусTO-220F
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 200V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 4V@250uA ток 18A мощность (Pd) 40W канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 180mΩ@10V,10A корпус TO-220F MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UF640L-TF3-T 系列 UF640L
  • PDF UF640L-TF3-T.pdf
Консультация
UT9435HG-AA3-R

UT9435HG-AA3-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUT9435HG-AA3-R
  • КорпусSOT-223
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 30V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 3V@250uA ток 5.3A мощность (Pd) 2.5W канал Pсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 50mΩ@10V,5.3A корпус SOT-223 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UT9435HG-AA3-R 系列 UT9435
  • PDF UT9435HG-AA3-R.pdf
Консультация
UK2962L-T9N-B

UK2962L-T9N-B-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • МодельUK2962L-T9N-B
  • КорпусTO-92
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 100V 雪崩ток 3A ток 1A мощность (Pd) 0.9W канал N栅极напряжение ±20 V корпус TO-92 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC UK2962L-T9N-B 系列 UK2962L
  • PDF UK2962L-T9N-B.pdf
Консультация
2N7002KG-AE2-R

2N7002KG-AE2-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002KG-AE2-R
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@1mA ток 300mA мощность (Pd) 350mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 2Ω@10V,300mA корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N7002KG-AE2-R 系列 2N7002
  • PDF 2N7002KG-AE2-R.pdf
Консультация
2N7002G-AE2-R

2N7002G-AE2-R-UTC

  • ТипMOSFET (полевой транзистор) (MOSFET)
  • Модель2N7002G-AE2-R
  • КорпусSOT-23-3
  • ПроизводительUTC
  • Описание耐压 60V пороговое напряжение (Vgs(th) @Id) 2.5V@250uA ток 300mA мощность (Pd) 200mW канал Nсопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) @Vgs,Id) 7.5Ω@300m,10V корпус SOT-23-3 MOSFET (полевой транзистор) (MOSFET) бренд UTC 2N7002G-AE2-R 系列 2N7002
  • PDF 2N7002G-AE2-R.pdf
Консультация
Всего записей: 93«Предыдущая12345Следующая»
Shenzhen Huaxin chuangyou electronics co., ltd