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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
STL130N6F7

STL130N6F7-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STL130N6F7
  • 封装规格PowerFLAT-5x6
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STL130N6F7封装PowerFLAT-5x6类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)130A功率(Pd)4.8W；125W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5mΩ@13A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)42nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2.6nF@…
  • PDF STL130N6F7.pdf
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STL9P3LLH6

STL9P3LLH6-TI(德州仪器)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STL9P3LLH6
  • 封装规格PowerFLAT(3.3x3.3)
  • 品牌TI(德州仪器)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STL9P3LLH6封装PowerFLAT(3.3x3.3)类型1个P沟道漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)9A功率(Pd)3W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ@4.5A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)24nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)2.615nF@25…
  • PDF STL9P3LLH6.pdf
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STD25N10F7

STD25N10F7-TI(德州仪器)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD25N10F7
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌TI(德州仪器)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD25N10F7封装TO-252-2(DPAK)类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)25A功率(Pd)40W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)35mΩ@10V,12.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)14nC@10V输入电容(Ciss@Vds)920pF@50V…
  • PDF STD25N10F7.pdf
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STF13NM60N

STF13NM60N-TI(德州仪器)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STF13NM60N
  • 封装规格TO-220F-3
  • 品牌TI(德州仪器)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF13NM60N封装TO-220F-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)11A功率(Pd)25W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)360mΩ@10V,5.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
  • PDF STF13NM60N.pdf
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STF24N60M2

STF24N60M2-TI(德州仪器)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STF24N60M2
  • 封装规格TO-220FP
  • 品牌TI(德州仪器)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF24N60M2封装TO-220FP类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)18A功率(Pd)30W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)190mΩ@10V,9A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)29nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.06nF@100V工作温度…
  • PDF STF24N60M2.pdf
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STN2NF10

STN2NF10-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STN2NF10
  • 封装规格SOT-223-4
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STN2NF10封装SOT-223-4类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)2.4A功率(Pd)3.3W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)260mΩ@10V,1.2A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)14nC@10V输入电容(Ciss@Vds)280pF@25V工作温度…
  • PDF STN2NF10.pdf
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STD6N95K5

STD6N95K5-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD6N95K5
  • 封装规格DPAK
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD6N95K5封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)9A功率(Pd)90W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.25Ω@10V,3A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)13nC@10V输入电容(Ciss@Vds)450pF@100V工作温度-55℃~+…
  • PDF STD6N95K5.pdf
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STF14N80K5

STF14N80K5-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STF14N80K5
  • 封装规格TO-220FP
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF14N80K5封装TO-220FP类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)12A功率(Pd)30W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)445mΩ@6A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@10V输入电容(Ciss@Vds)620pF@100V工作温度-…
  • PDF STF14N80K5.pdf
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STD35P6LLF6

STD35P6LLF6-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD35P6LLF6
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD35P6LLF6封装TO-252-2(DPAK)类型1个P沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)35A功率(Pd)70W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)28mΩ@10V,17.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)30nC@4.5V输入电容(Ciss@Vds)3.78nF@2…
  • PDF STD35P6LLF6.pdf
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STD17NF03LT4

STD17NF03LT4-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD17NF03LT4
  • 封装规格DPAK
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD17NF03LT4封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)17A功率(Pd)30W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)50mΩ@10V,8.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.2V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)6.5nC@5V输入电容(Ciss@Vds)320pF@25V工作温度-5…
  • PDF STD17NF03LT4.pdf
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