19865874889
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NCE70T1K2I-NCE(无锡新洁能)
- 产品类型场效应管(MOSFET)
- 型号NCE70T1K2I
- 封装规格TO-251
- 品牌NCE(无锡新洁能)
- 描述耐压 700V 阈值电压 4V@250uA 电流 4A 功率(Pd) 41W 沟道 N导通电阻 1.1Ω@10V,2A 封装 TO-251 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE70T1K2I
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NCE70T1K2I.pdf
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NCEP060N10D-NCE(无锡新洁能)
- 产品类型场效应管(MOSFET)
- 型号NCEP060N10D
- 封装规格TO-263
- 品牌NCE(无锡新洁能)
- 描述耐压 100V 阈值电压 - 电流 100A 功率(Pd) 140W 沟道 N导通电阻 5.4mΩ 封装 TO-263 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP060N10D
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NCEP060N10D.pdf
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NCEP055N10D-NCE(无锡新洁能)
- 产品类型场效应管(MOSFET)
- 型号NCEP055N10D
- 封装规格TO-263
- 品牌NCE(无锡新洁能)
- 描述耐压 100V 阈值电压 - 电流 110A 功率(Pd) 150W 沟道 N导通电阻 5.2mΩ 封装 TO-263 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP055N10D
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NCEP055N10D.pdf
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NCEP12N12-NCE(无锡新洁能)
- 产品类型场效应管(MOSFET)
- 型号NCEP12N12
- 封装规格TO-220
- 品牌NCE(无锡新洁能)
- 描述耐压 120V 阈值电压 - 电流 63A 功率(Pd) 100W 沟道 N导通电阻 11.5mΩ 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP12N12
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NCEP12N12.pdf
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NCEP040N12-NCE(无锡新洁能)
- 产品类型场效应管(MOSFET)
- 型号NCEP040N12
- 封装规格TO-220
- 品牌NCE(无锡新洁能)
- 描述耐压 120V 阈值电压 - 电流 150A 功率(Pd) 245W 沟道 N导通电阻 3.5mΩ 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP040N12
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NCEP040N12D-NCE(无锡新洁能)
- 产品类型场效应管(MOSFET)
- 型号NCEP040N12D
- 封装规格TO-263
- 品牌NCE(无锡新洁能)
- 描述耐压 120V 阈值电压 - 电流 150A 功率(Pd) 245W 沟道 N导通电阻 3.3mΩ 封装 TO-263 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP040N12D
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NCEP040N12D.pdf
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NCEP025N12LL-NCE(无锡新洁能)
- 产品类型场效应管(MOSFET)
- 型号NCEP025N12LL
- 封装规格TOLL
- 品牌NCE(无锡新洁能)
- 描述耐压 120V 阈值电压 - 电流 255A 功率(Pd) 400W 沟道 N 导通电阻 1.85mΩ , typical@ VGS=10V 封装 TOLL 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP025N12LL
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NCE70T1K2F-NCE(无锡新洁能)
- 产品类型场效应管(MOSFET)
- 型号NCE70T1K2F
- 封装规格TO-220F
- 品牌NCE(无锡新洁能)
- 描述耐压 700 V 阈值电压 - 电流 4 A 功率(Pd) 28.4W 沟道 N导通电阻 1100 mΩ 封装 TO-220F 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE70T1K2F
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NCE70T1K2F.pdf
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NCE0140I2-NCE(无锡新洁能)
- 产品类型场效应管(MOSFET)
- 型号NCE0140I2
- 封装规格TO-251
- 品牌NCE(无锡新洁能)
- 描述耐压 100V 阈值电压 - 电流 40A 功率(Pd) 140W 沟道 N导通电阻 15mΩ @ VGS=10V 封装 TO-251 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE0140I2
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STB15810-ST(意法半导体)
- 产品类型场效应管(MOSFET)
- 型号STB15810
- 封装规格D2PAK
- 品牌ST(意法半导体)
- 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STB15810封装D2PAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)110A功率(Pd)250W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.4mΩ@10V,55A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)117nC@0~10V输入电容(Ciss@Vds)8.115nF@50V反向传…
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STB15810.pdf
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