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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
NCE3080IA

NCE3080IA-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE3080IA
  • 封装规格TO-251
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 1.4V@250uA 电流 80A 功率(Pd)  83W 沟道 N导通电阻 6.5mΩ@10V,30A 封装 TO-251 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE3080IA
  • PDF NCE3080IA.pdf
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NCE65T900F

NCE65T900F-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE65T900F
  • 封装规格TO-220F-3
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 650V 阈值电压 4V@250uA 电流 5A 功率(Pd)  29W 沟道 N 导通电阻 750mΩ@10V,2.5A 封装 TO-220F-3 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE65T900F
  • PDF NCE65T900F.pdf
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NCE6075

NCE6075-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE6075
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 60V 阈值电压 4V@250uA 电流 75A 功率(Pd)  110W 沟道 N导通电阻 11.5mΩ@10V,30A 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE6075
  • PDF NCE6075.pdf
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NCE55P30F

NCE55P30F-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE55P30F
  • 封装规格TO-220F
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 -55V 阈值电压 - 电流 -55V 功率(Pd)  30W 沟道 P导通电阻 40mΩ @ VGS=-10V 封装 TO-220F 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE55P30F
  • PDF NCE55P30F.pdf
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NCE70T900I

NCE70T900I-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE70T900I
  • 封装规格TO-251
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 700V 阈值电压 4V@250uA 电流 5A 功率(Pd)  46W 沟道 N 导通电阻 820mΩ@10V,2.5A 封装 TO-251 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE70T900I
  • PDF NCE70T900I.pdf
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NCE4080D

NCE4080D-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE4080D
  • 封装规格TO-263-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 40V 阈值电压 - 电流 80A 功率(Pd)  90W 沟道 N 导通电阻 6.5mΩ @ VGS=10V 封装 TO-263-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE4080D
  • PDF NCE4080D.pdf
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NCE70T360K

NCE70T360K-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE70T360K
  • 封装规格TO-252-2
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 700 V 阈值电压 - 电流 11.5 A 功率(Pd)  101W 沟道 N 导通电阻 330 mΩ 封装 TO-252-2 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE70T360K
  • PDF NCE70T360K.pdf
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NCEP028N85

NCEP028N85-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP028N85
  • 封装规格TO-220
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 85V 阈值电压 - 电流 200A 功率(Pd)  245W 沟道 N导通电阻 2.55mΩ 封装 TO-220 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP028N85
  • PDF NCEP028N85.pdf
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NCE40H12I

NCE40H12I-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCE40H12I
  • 封装规格TO-251
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 40V 阈值电压 1.8V@250uA 电流 120A 功率(Pd)  120W 沟道 N导通电阻 3.6mΩ@10V,20A 封装 TO-251 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCE40H12I
  • PDF NCE40H12I.pdf
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NCEP020N30GU

NCEP020N30GU-NCE(无锡新洁能)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号NCEP020N30GU
  • 封装规格DFN-8(5.8x4.9)
  • 品牌NCE(无锡新洁能)
  • 描述耐压 30V 阈值电压 1.6V@250uA 电流 100A 功率(Pd)  70W 沟道 N导通电阻 1.75mΩ@10V,50A 封装 DFN-8(5.8x4.9) 场效应管(MOSFET) 品牌 NCE(无锡新洁能) 型号 NCEP020N30GU
  • PDF NCEP020N30GU.pdf
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