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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
STW20NM60

STW20NM60-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STW20NM60
  • 封装规格TO-247-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW20NM60封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)20A功率(Pd)192W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)290mΩ@10V,10A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)54nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.5nF@25V
  • PDF STW20NM60.pdf
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STW20NM60

STW20NM60-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STW20NM60
  • 封装规格TO-247-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW20NM60封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)20A功率(Pd)192W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)290mΩ@10V,10A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)54nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.5nF@25V
  • PDF STW20NM60.pdf
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STN1NK60Z

STN1NK60Z-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STN1NK60Z
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STN1NK60Z封装SOT-223类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)300mA功率(Pd)3.3W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15Ω@400mA,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)6.9nC@10V输入电容(Ciss@Vds)94pF@25V反向传输…
  • PDF STN1NK60Z.pdf
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STN1NK80Z

STN1NK80Z-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STN1NK80Z
  • 封装规格SOT-223-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STN1NK80Z封装SOT-223-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)250mA功率(Pd)2.5W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)16Ω@10V,500mA阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)7.7nC@10V输入电容(Ciss@Vds)160pF@25V工作…
  • PDF STN1NK80Z.pdf
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STD100N10F7

STD100N10F7-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD100N10F7
  • 封装规格DPAK
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD100N10F7封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)80A功率(Pd)120W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8mΩ@10V,40A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)61nC@10V输入电容(Ciss@Vds)4.369nF@50V工作温度-…
  • PDF STD100N10F7.pdf
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STD10NF10T4

STD10NF10T4-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD10NF10T4
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD10NF10T4封装TO-252-2(DPAK)类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)13A功率(Pd)50W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)130mΩ@10V,5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)21nC@10V输入电容(Ciss@Vds)460pF@25V工作…
  • PDF STD10NF10T4.pdf
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STF13N60M2

STF13N60M2-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STF13N60M2
  • 封装规格TO-220FPAB-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF13N60M2封装TO-220FPAB-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)11A功率(Pd)25W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)380mΩ@10V,5.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V输入电容(Ciss@Vds)580pF@100V工作…
  • PDF STF13N60M2.pdf
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STB55NF06T4

STB55NF06T4-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STB55NF06T4
  • 封装规格D2PAK
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STB55NF06T4封装D2PAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)50A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)18mΩ@10V,27.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)60nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.3nF@25V工作温度-5…
  • PDF STB55NF06T4.pdf
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STP110N7F6

STP110N7F6-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP110N7F6
  • 封装规格TO-220
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP110N7F6封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)68V连续漏极电流(Id)110A功率(Pd)176W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.5mΩ@10V,55A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)100nC@10V输入电容(Ciss@Vds)5.85nF@25V反向传输…
  • PDF STP110N7F6.pdf
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STP5NK52ZD

STP5NK52ZD-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP5NK52ZD
  • 封装规格TO-220
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP5NK52ZD封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)520V连续漏极电流(Id)4.4A功率(Pd)25W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.22Ω@10V,2.2A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)16.9nC@10V输入电容(Ciss@Vds)529pF@25V反向传…
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