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首页 > 商品目录 > 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
STD13NM60N

STD13NM60N-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD13NM60N
  • 封装规格TO-252-2(DPAK)
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD13NM60N封装TO-252-2(DPAK)类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)11A功率(Pd)90W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)360mΩ@5.5A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)30nC@10V输入电容(Ciss@Vds)790pF@50V
  • PDF STD13NM60N.pdf
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STD20NF06LT4

STD20NF06LT4-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD20NF06LT4
  • 封装规格DPAK
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD20NF06LT4封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)24A功率(Pd)60W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ@10V,12A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)13nC@10V输入电容(Ciss@Vds)660pF@25V工作温度-55…
  • PDF STD20NF06LT4.pdf
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STD110N8F6

STD110N8F6-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD110N8F6
  • 封装规格DPAK
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD110N8F6封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)80V连续漏极电流(Id)80A功率(Pd)167W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6.5mΩ@40A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)150nC@10V输入电容(Ciss@Vds)9.13nF@40V反向传输电…
  • PDF STD110N8F6.pdf
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STP90NF03L

STP90NF03L-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP90NF03L
  • 封装规格TO-220
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP90NF03L封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)90A功率(Pd)150W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6.5mΩ@10V,45A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)47nC@5V输入电容(Ciss@Vds)2.7nF@25V工作温度-6…
  • PDF STP90NF03L.pdf
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STD2NK90ZT4

STD2NK90ZT4-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD2NK90ZT4
  • 封装规格TO-252
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD2NK90ZT4封装TO-252类型1个N沟道漏源电压(Vdss)900V连续漏极电流(Id)2.1A功率(Pd)70W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5Ω@10V,1.05A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)27nC@10V输入电容(Ciss@Vds)485pF@25V反向传输电…
  • PDF STD2NK90ZT4.pdf
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STD5N20LT4

STD5N20LT4-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD5N20LT4
  • 封装规格DPAK
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD5N20LT4封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)200V连续漏极电流(Id)5A功率(Pd)33W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)700mΩ@5V,2.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)6nC@5V输入电容(Ciss@Vds)242pF@25V工作温度-55℃~+…
  • PDF STD5N20LT4.pdf
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STW70N60M2

STW70N60M2-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STW70N60M2
  • 封装规格TO-247-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW70N60M2封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)68A功率(Pd)450W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ@10V,34A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)118nC@10V输入电容(Ciss@Vds)5.2nF@100V工作温度…
  • PDF STW70N60M2.pdf
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STD2N95K5

STD2N95K5-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STD2N95K5
  • 封装规格DPAK
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD2N95K5封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)2A功率(Pd)45W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5Ω@10V,1A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)10nC@10V输入电容(Ciss@Vds)105pF@100V工作温度-55℃~+150…
  • PDF STD2N95K5.pdf
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STF8N80K5

STF8N80K5-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STF8N80K5
  • 封装规格TO-220F-3
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF8N80K5封装TO-220F-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)6A功率(Pd)25W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)950mΩ@10V,3A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA
  • PDF STF8N80K5.pdf
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STP15810

STP15810-ST(意法半导体)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号STP15810
  • 封装规格TO-220
  • 品牌ST(意法半导体)
  • 描述生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP15810封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)110A功率(Pd)250W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.2mΩ@10V,55A阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA
  • PDF STP15810.pdf
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