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DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
DMT3009LDT-7

DMT3009LDT-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT3009LDT-7
  • 封装规格V-DFN3030-8K
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 30A 功率(Pd) 1.2W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 11.1mΩ@10V,14.4A 封装 V-DFN3030-8K 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT3009LDT-7 系列 DMT3009LDT
  • PDF DMT3009LDT-7.pdf
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ZVP1320FTA

ZVP1320FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVP1320FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 200V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3.5V@1mA 电流 35mA 功率(Pd) 350mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 80Ω@10V,50A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVP1320FTA 系列 ZVP1320FTA
  • PDF ZVP1320FTA.pdf
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DMP2200UDW-7

DMP2200UDW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2200UDW-7
  • 封装规格SOT-363
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2V@250uA 电流 900mA 功率(Pd) 450mW 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 260mΩ@4.5V,880mA 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2200UDW-7 系列 DMP2200UDW
  • PDF DMP2200UDW-7.pdf
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DMP6180SK3Q-13

DMP6180SK3Q-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP6180SK3Q-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.7V@250uA 电流 14A 功率(Pd) 1.7W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 110mΩ@10V,12A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6180SK3Q-13 系列 DMP6180SK3Q
  • PDF DMP6180SK3Q-13.pdf
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DMN3032LE-13

DMN3032LE-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3032LE-13
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@250uA 电流 5.6A 功率(Pd) 1.8W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 29mΩ@10V,3.2A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3032LE-13 系列 DMN3032LE
  • PDF DMN3032LE-13.pdf
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BS250FTA

BS250FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BS250FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 45V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3.5V@1mA 电流 90mA 功率(Pd) 330mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 14Ω@10V,200mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BS250FTA 系列 BS250FTA
  • PDF BS250FTA.pdf
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DMN6068SE-13

DMN6068SE-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN6068SE-13
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 4.1A 功率(Pd) 2W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 68mΩ@10V,12A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN6068SE-13 系列 DMN6068SE
  • PDF DMN6068SE-13.pdf
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DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3190LDW-7
  • 封装规格SOT-363
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.8V@250uA 电流 1A 功率(Pd) 320mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 190mΩ@10V,1.3A 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3190LDW-7 系列 DMN3190LDW
  • PDF DMN3190LDW-7.pdf
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DMN3042L-7

DMN3042L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN3042L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.4V@250uA 电流 5.8A 功率(Pd) 720mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 26.5mΩ@10V,5.8A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN3042L-7 系列 DMN3042L
  • PDF DMN3042L-7.pdf
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DMP6023LSS-13

DMP6023LSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP6023LSS-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 6.6A 功率(Pd) 1.2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@10V,5A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6023LSS-13 系列 DMP6023LSS
  • PDF DMP6023LSS-13.pdf
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ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMN10A07FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA 电流 700mA 功率(Pd) 625mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 700mΩ@10V,1.5A 封装  SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMN10A07FTA 系列 ZXMN10A07FTA
  • PDF ZXMN10A07FTA.pdf
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DMP3068L-7

DMP3068L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3068L-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.3V@250uA 电流 3.3A 功率(Pd) 700mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 72mΩ@10V,4.2A 封装  SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3068L-7 系列 DMP3068L
  • PDF DMP3068L-7.pdf
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DMP45H4D9HK3-13

DMP45H4D9HK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP45H4D9HK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 450V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5V@250uA 电流 4.7A 功率(Pd) 104W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 4.9Ω@1.05A,10V 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP45H4D9HK3-13 系列 DMP45H4D9HK3
  • PDF DMP45H4D9HK3-13.pdf
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DMP3098LQ-7

DMP3098LQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3098LQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 3.8A 功率(Pd) 1.08W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 70mΩ@10V,3.8A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3098LQ-7 系列 DMP3098LQ
  • PDF DMP3098LQ-7.pdf
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DMP6180SK3-13

DMP6180SK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP6180SK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.7V@250uA 电流 14A 功率(Pd) 1.7W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 110mΩ@10V,12A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6180SK3-13 系列 DMP6180SK3
  • PDF DMP6180SK3-13.pdf
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ZXMN6A07FTA

ZXMN6A07FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMN6A07FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 1.2A 功率(Pd) 625mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 250mΩ@1.8A,10V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMN6A07FTA 系列 ZXMN6A07FTA
  • PDF ZXMN6A07FTA.pdf
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DMG3420U-7

DMG3420U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG3420U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2V@250uA 电流 5.47A 功率(Pd) 740mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 29mΩ@10V,6A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG3420U-7 系列 DMG3420U
  • PDF DMG3420U-7.pdf
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DMP3028LFDE-13

DMP3028LFDE-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3028LFDE-13
  • 封装规格DFN-6(2x2)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.4V@250uA 电流 6.8A 功率(Pd) 660mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 32mΩ@10V,7A 封装 DFN-6(2x2) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3028LFDE-13 系列 DMP3028LFDE
  • PDF DMP3028LFDE-13.pdf
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DMG2307LQ-7

DMG2307LQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG2307LQ-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 2.5A 功率(Pd) 760mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 90mΩ@2.5A,10V 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG2307LQ-7 系列 DMG2307LQ
  • PDF DMG2307LQ-7.pdf
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DMN4035L-7

DMN4035L-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN4035L-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 4.6A 功率(Pd) 720mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 42mΩ@10V,4.3A 封装  SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN4035L-7 系列 DMN4035L
  • PDF DMN4035L-7.pdf
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