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DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
DMC6040SSD-13

DMC6040SSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMC6040SSD-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 5.1A；3.1A 功率(Pd) 1.24W 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 40mΩ@8A,10V 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMC6040SSD-13 系列 DMC6040SSD
  • PDF DMC6040SSD-13.pdf
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DMN2058U-7

DMN2058U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2058U-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.2V@250uA 电流 4.6A 功率(Pd) 1.13W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 35mΩ@10V,6A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2058U-7 系列 DMN2058U
  • PDF DMN2058U-7.pdf
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BSS123Q-7

BSS123Q-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS123Q-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@1mA 电流 170mA 功率(Pd) 300mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6Ω@10V,170mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS123Q-7 系列 BSS123Q
  • PDF BSS123Q-7.pdf
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DMTH6016LPSQ-13

DMTH6016LPSQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMTH6016LPSQ-13
  • 封装规格PowerDI-5060-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 9.8A；37A 功率(Pd) 37.5W；2.6W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 16mΩ@20A,10V 封装 PowerDI-5060-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMTH6016LPSQ-13 系列 DMTH6016LPSQ
  • PDF DMTH6016LPSQ-13.pdf
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DMP2004K-7

DMP2004K-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2004K-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 600mA 功率(Pd) 550mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 900mΩ@4.5V,430mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2004K-7 系列 DMP2004K
  • PDF DMP2004K-7.pdf
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DMP6023LFGQ-13

DMP6023LFGQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP6023LFGQ-13
  • 封装规格PowerDI-3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 7.7A 功率(Pd) 1W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@5A,10V 封装 PowerDI-3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6023LFGQ-13 系列 DMP6023LFGQ
  • PDF DMP6023LFGQ-13.pdf
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DMG2301LK-7

DMG2301LK-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG2301LK-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 2.4A 功率(Pd) 840mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 160mΩ@4.5V,1A 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG2301LK-7 系列 DMG2301LK
  • PDF DMG2301LK-7.pdf
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DMP4025LSD-13

DMP4025LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP4025LSD-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.8V@250uA 电流 6.9A 功率(Pd) 1.8W 沟道 2个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 25mΩ@10V,3A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP4025LSD-13 系列 DMP4025LSD
  • PDF DMP4025LSD-13.pdf
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ZXMP10A17E6TA

ZXMP10A17E6TA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP10A17E6TA
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA 电流 1.3A 功率(Pd) 1.1W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 350mΩ@10V,1.4A 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP10A17E6TA 系列 ZXMP10A17E6TA
  • PDF ZXMP10A17E6TA.pdf
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DMP6018LPSQ-13

DMP6018LPSQ-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP6018LPSQ-13
  • 封装规格PowerDI5060-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 60A 功率(Pd) 113W；2.6W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 18mΩ@17A,10V 封装 PowerDI5060-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6018LPSQ-13 系列 DMP6018LPSQ
  • PDF DMP6018LPSQ-13.pdf
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DMP3056LDM-7

DMP3056LDM-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP3056LDM-7
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.1V@250uA 电流 4.3A 功率(Pd) 1.25W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 45mΩ@10V,5A 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP3056LDM-7 系列 DMP3056LDM
  • PDF DMP3056LDM-7.pdf
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2N7002H-7

2N7002H-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号2N7002H-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 170mA 功率(Pd) 370mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 7.5Ω@5V,50mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) 2N7002H-7 系列 2N7002H
  • PDF 2N7002H-7.pdf
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DMT6016LSS-13

DMT6016LSS-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT6016LSS-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 9.2A 功率(Pd) 1.5W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 18mΩ@10V,10A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT6016LSS-13 系列 DMT6016LSS
  • PDF DMT6016LSS-13.pdf
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ZXMP6A13FTA

ZXMP6A13FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP6A13FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 900mA 功率(Pd) 625mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 400mΩ@10V,900mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP6A13FTA 系列 ZXMP6A13FTA
  • PDF ZXMP6A13FTA.pdf
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BSS123WQ-7-F

BSS123WQ-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS123WQ-7-F
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@1mA 电流 170mA 功率(Pd) 200mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6Ω@10V,170mA 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS123WQ-7-F 系列 BSS123WQ
  • PDF BSS123WQ-7-F.pdf
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DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG6601LVT-7
  • 封装规格SOT-26
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 3.8A；2.5A 功率(Pd) 850mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 55mΩ@3.4A,10V 封装 SOT-26 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG6601LVT-7 系列 DMG6601LVT
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DMN2230U-7

DMN2230U-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2230U-7
  • 封装规格SOT-23-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 2A 功率(Pd) 600mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 110mΩ@4.5V,2.5A 封装 SOT-23-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2230U-7 系列 DMN2230U
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DMN2300UFB4-7B

DMN2300UFB4-7B-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2300UFB4-7B
  • 封装规格DFN-3(0.6x1)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 950mV@250uA 电流 1.3A 功率(Pd) 500mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 175mΩ@4.5V,300mA 封装 DFN-3(0.6x1) 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2300UFB4-7B 系列 DMN2300UFB4
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DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMT8012LK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 80V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 44A 功率(Pd) 2.7W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 17mΩ@10V,12A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMT8012LK3-13 系列 DMT8012LK3
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DMNH6021SK3Q-13

DMNH6021SK3Q-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMNH6021SK3Q-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 50A 功率(Pd) 2.1W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 23mΩ@10V,12A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMNH6021SK3Q-13 系列 DMNH6021SK3Q
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