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DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
BSS123TA

BSS123TA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BSS123TA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@1mA 电流 170mA 功率(Pd) 360mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 6Ω@10V,100mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BSS123TA 系列 BSS123TA
  • PDF BSS123TA.pdf
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DMN61D9UW-7

DMN61D9UW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN61D9UW-7
  • 封装规格SOT-323
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 340mA 功率(Pd) 320mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2Ω@5V,50mA 封装 SOT-323 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN61D9UW-7 系列 DMN61D9UW
  • PDF DMN61D9UW-7.pdf
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DMN2004K-7

DMN2004K-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2004K-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 630mA 功率(Pd) 350mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 550mΩ@4.5V,540mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2004K-7 系列 DMN2004K
  • PDF DMN2004K-7.pdf
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DMP4013LFG-7

DMP4013LFG-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP4013LFG-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 10.3A 功率(Pd) 1W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 13mΩ@10V,10A 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP4013LFG-7 系列 DMP4013LFG
  • PDF DMP4013LFG-7.pdf
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DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN53D0LDW-13
  • 封装规格SOT-363
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 50V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 360mA 功率(Pd) 310mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.6Ω@500mA,10V 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN53D0LDW-13 系列 DMN53D0LDW
  • PDF DMN53D0LDW-13.pdf
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DMP10H4D2S-7

DMP10H4D2S-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP10H4D2S-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 270mA 功率(Pd) 380mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 4.2Ω@10V,500mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP10H4D2S-7 系列 DMP10H4D2S
  • PDF DMP10H4D2S-7.pdf
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DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG4800LSD-13
  • 封装规格SOP-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.6V@250uA 电流 7.5A 功率(Pd) 1.17W 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 16mΩ@10V,9A 封装 SOP-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG4800LSD-13 系列 DMG4800LSD
  • PDF DMG4800LSD-13.pdf
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DMP4047SK3-13

DMP4047SK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP4047SK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 40V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 20A 功率(Pd) 1.6W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 45mΩ@10V,4.4A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP4047SK3-13 系列 DMP4047SK3
  • PDF DMP4047SK3-13.pdf
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ZVN3310FTA

ZVN3310FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVN3310FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.4V@1mA 电流 100mA 功率(Pd) 330mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10Ω@10V,500mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVN3310FTA 系列 ZVN3310FTA
  • PDF ZVN3310FTA.pdf
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DMP6185SE-13

DMP6185SE-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP6185SE-13
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 3A 功率(Pd) 1.2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 150mΩ@10V,2.2A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP6185SE-13 系列 DMP6185SE
  • PDF DMP6185SE-13.pdf
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BS170FTA

BS170FTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号BS170FTA
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@1mA 电流 150uA 功率(Pd) 330mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 5Ω@10V,200mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) BS170FTA 系列 BS170FTA
  • PDF BS170FTA.pdf
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DMN6068LK3-13

DMN6068LK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN6068LK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 6A 功率(Pd) 2.12W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 68mΩ@10V,12A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN6068LK3-13 系列 DMN6068LK3
  • PDF DMN6068LK3-13.pdf
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DMG2302UKQ-7

DMG2302UKQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG2302UKQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 2.8A 功率(Pd) 660mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 90mΩ@3.6A,4.5V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG2302UKQ-7 系列 DMG2302UKQ
  • PDF DMG2302UKQ-7.pdf
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ZXMP7A17KTC

ZXMP7A17KTC-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZXMP7A17KTC
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 70V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1V@250uA 电流 3.8A 功率(Pd) 2.11W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 160mΩ@10V,2.1A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZXMP7A17KTC 系列 ZXMP7A17KTC
  • PDF ZXMP7A17KTC.pdf
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DMP2035UVT-7

DMP2035UVT-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP2035UVT-7
  • 封装规格SOT-23-6
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 6A 功率(Pd) 1.2W 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 35mΩ@4.5V,4A 封装 SOT-23-6 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP2035UVT-7 系列 DMP2035UVT
  • PDF DMP2035UVT-7.pdf
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DMP610DL-7

DMP610DL-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMP610DL-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2V@1mA 电流 180mA 功率(Pd) 310mW 沟道 P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 10Ω@5V,100mA 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMP610DL-7 系列 DMP610DL
  • PDF DMP610DL-7.pdf
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DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN10H170SK3-13
  • 封装规格TO-252
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 3V@250uA 电流 12A 功率(Pd) 42W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 140mΩ@10V,5A 封装 TO-252 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN10H170SK3-13 系列 DMN10H170SK3
  • PDF DMN10H170SK3-13.pdf
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DMG1029SV-7

DMG1029SV-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG1029SV-7
  • 封装规格SOT-563
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 500mA；360mA 功率(Pd) 450mW 沟道 1个N和1个P导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 1.7Ω@500mA,10V 封装 SOT-563 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG1029SV-7 系列 DMG1029SV
  • PDF DMG1029SV-7.pdf
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DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN63D8LDW-7
  • 封装规格SOT-363
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.5V@250uA 电流 220mA 功率(Pd) 300mW 沟道 2个N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 2.8Ω@10V,250mA 封装 SOT-363 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN63D8LDW-7 系列 DMN63D8LDW
  • PDF DMN63D8LDW-7.pdf
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ZVN4525GTA

ZVN4525GTA-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号ZVN4525GTA
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 250V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.8V@1mA 电流 310mA 功率(Pd) 2W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 8.5Ω@10V,500mA 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) ZVN4525GTA 系列 ZVN4525GTA
  • PDF ZVN4525GTA.pdf
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