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DIODES(美台)

DIODES(美台)

Diodes 公司总部及美洲销售办公室位于美国德州普拉诺 (Plano) 与加州米尔皮塔斯 (Milpitas).设计\营销与工程中心位于普拉诺\米尔皮塔斯\台北\桃园\竹北\上海\扬州\英国奥尔德姆及德国纽豪斯;Diodes 的产品包括二极管\整流器\晶体管\MOSFET\GPP桥\GPP整流器\保护装置\特定功能数组\单闸极逻辑\放大器与比较器\霍尔效应与温度传感器\电源管理设备,包括AC-DC 转换器与控制器\DC-DC 开关与线性稳压器,以及电压参考与LED驱动器;以及特殊功能装置,例如 USB 电源开关\负载开关\电压监控器及马达控制器. Diodes 亦提供高速信号的定时\连接\开关与信号完整性解决方案.
DMN2400UFB4-7

DMN2400UFB4-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN2400UFB4-7
  • 封装规格X2-DFN1006-3
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 20V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 900mV@250uA 电流 750mA 功率(Pd) 470mW 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 550mΩ@4.5V,600mA 封装 X2-DFN1006-3 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN2400UFB4-7 系列 DMN2400UFB4
  • PDF DMN2400UFB4-7.pdf
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DMTH6016LFVWQ-7

DMTH6016LFVWQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMTH6016LFVWQ-7
  • 封装规格PowerDI3333-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 60V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 41A 功率(Pd) 1.17W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 16mΩ@20A,10V 封装 PowerDI3333-8 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMTH6016LFVWQ-7 系列 DMTH6016LFVWQ
  • PDF DMTH6016LFVWQ-7.pdf
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DMG3402LQ-7

DMG3402LQ-7-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMG3402LQ-7
  • 封装规格SOT-23
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 30V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.4V@250uA 电流 4A 功率(Pd) 1.4W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 52mΩ@4A,10V 封装 SOT-23 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMG3402LQ-7 系列 DMG3402LQ
  • PDF DMG3402LQ-7.pdf
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DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13-DIODES(美台)

  • 产品类型场效应管(MOSFET)
  • 型号DMN10H220LE-13
  • 封装规格SOT-223
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述耐压 100V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.5V@250uA 电流 2.3A 功率(Pd) 1.8W 沟道 N导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 220mΩ@10V,1.6A 封装 SOT-223 场效应管(MOSFET) 品牌 DIODES(美台) DMN10H220LE-13 系列 DMN10H220LE
  • PDF DMN10H220LE-13.pdf
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1N5819HW1-7-F

1N5819HW1-7-F-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号1N5819HW1-7-F
  • 封装规格SOD-123F
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 510mV@1A 直流反向耐压(Vr) 40V 平均整流电流(Io) 1A 反向电流(Ir) 500uA@40V 工作温度 -55°C ~ 125°C 封装 SOD-123F 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 1N5819HW1-7-F
  • PDF 1N5819HW1-7-F.pdf
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SBRT15U50SP5-13

SBRT15U50SP5-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBRT15U50SP5-13
  • 封装规格PowerDI-5
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 410mV@15A 直流反向耐压(Vr) 50V 平均整流电流(Io) 15A 反向电流(Ir) 170uA@50V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 PowerDI-5 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBRT15U50SP5-13
  • PDF SBRT15U50SP5-13.pdf
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SBRT5A50SA-13

SBRT5A50SA-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBRT5A50SA-13
  • 封装规格SMA(DO-214AC)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 530mV@5A 直流反向耐压(Vr) 50V 平均整流电流(Io) 5A 反向电流(Ir) 150uA@50V 工作温度 -55°C ~ 150°C 封装 SMA(DO-214AC) 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBRT5A50SA-13
  • PDF SBRT5A50SA-13.pdf
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SBR8U60P5-13

SBR8U60P5-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR8U60P5-13
  • 封装规格PowerDI-5
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 460mV@8A 直流反向耐压(Vr) 60V 平均整流电流(Io) 8A 反向电流(Ir) 120uA@60V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 PowerDI-5 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR8U60P5-13
  • PDF SBR8U60P5-13.pdf
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SBR3U40P1-7

SBR3U40P1-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR3U40P1-7
  • 封装规格PowerDI-123
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 420mV@3A 直流反向耐压(Vr) 40V 平均整流电流(Io) 3A 反向电流(Ir) 70uA@40V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 PowerDI-123 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR3U40P1-7
  • PDF SBR3U40P1-7.pdf
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SBR3U30P1-7

SBR3U30P1-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR3U30P1-7
  • 封装规格PowerDI-123
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 390mV@3A 直流反向耐压(Vr) 30V 平均整流电流(Io) 3A 反向电流(Ir) 150uA@30V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 PowerDI-123 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR3U30P1-7
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SBR8U60P5-7

SBR8U60P5-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR8U60P5-7
  • 封装规格Power-DI-5
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 460mV@8A 直流反向耐压(Vr) 60V 平均整流电流(Io) 8A 反向电流(Ir) 120uA@60V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 Power-DI-5 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR8U60P5-7
  • PDF SBR8U60P5-7.pdf
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SBR10U45SP5-13

SBR10U45SP5-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR10U45SP5-13
  • 封装规格PowerDI-5
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 420mV@10A 直流反向耐压(Vr) 45V 平均整流电流(Io) 10A 反向电流(Ir) 50uA@45V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 PowerDI-5 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR10U45SP5-13
  • PDF SBR10U45SP5-13.pdf
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SBR3A40SA-13

SBR3A40SA-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR3A40SA-13
  • 封装规格SMA(DO-214AC)
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 500mV@3A 直流反向耐压(Vr) 40V 平均整流电流(Io) 3A 反向电流(Ir) 400uA@40V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 SMA(DO-214AC) 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR3A40SA-13
  • PDF SBR3A40SA-13.pdf
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SBR0560S1-7

SBR0560S1-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR0560S1-7
  • 封装规格SOD-123
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 500mV@500mA 直流反向耐压(Vr) 60V 平均整流电流(Io) 500mA 反向电流(Ir) 100uA@60V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 SOD-123 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR0560S1-7
  • PDF SBR0560S1-7.pdf
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SBR10E45P5-13

SBR10E45P5-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR10E45P5-13
  • 封装规格Power-DI-5
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 420mV@10A 直流反向耐压(Vr) 45V 平均整流电流(Io) 10A 反向电流(Ir) 50uA@45V 工作温度 -55°C ~ 150°C 封装 Power-DI-5 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR10E45P5-13
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SBR1A40S1-7

SBR1A40S1-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR1A40S1-7
  • 封装规格SOD-123
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 520mV@1A 直流反向耐压(Vr) 40V 平均整流电流(Io) 1A 反向电流(Ir) 200uA@40V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 SOD-123 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR1A40S1-7
  • PDF SBR1A40S1-7.pdf
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SBR30A100CTB-13

SBR30A100CTB-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR30A100CTB-13
  • 封装规格TO-263-2
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 780mV@15A 直流反向耐压(Vr) 100V 平均整流电流(Io) 15A 反向电流(Ir) 100uA@100V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 TO-263-2 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR30A100CTB-13
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SBR3U60P1Q-7

SBR3U60P1Q-7-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR3U60P1Q-7
  • 封装规格Power-DI-123
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 620mV@3A 直流反向耐压(Vr) 60V 平均整流电流(Io) 3A 反向电流(Ir) 100uA@60V 工作温度 -65°C ~ 150°C 封装 Power-DI-123 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR3U60P1Q-7
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SBR10U200P5-13

SBR10U200P5-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBR10U200P5-13
  • 封装规格PowerDI-5
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 830mV@10A 直流反向耐压(Vr) 200V 平均整流电流(Io) 10A 反向电流(Ir) 100uA@200V 工作温度 -65°C ~ 175°C 封装 PowerDI-5 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBR10U200P5-13
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SBRT25U60SLP-13

SBRT25U60SLP-13-DIODES(美台)

  • 产品类型超势垒整流器(SBR)
  • 型号SBRT25U60SLP-13
  • 封装规格Power-DI-5060-8
  • 品牌DIODES(美台)
  • 描述正向压降(Vf) 550mV@25A 直流反向耐压(Vr) 60V 平均整流电流(Io) 25A 反向电流(Ir) 400uA@60V 工作温度 -55°C ~ 150°C 封装 Power-DI-5060-8 超势垒整流器(SBR) 品牌 DIODES(美台)型号 SBRT25U60SLP-13
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