DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@1mA Corriente 170ma Potencia (pd) 300mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 6omega @ 10v, 170ma encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) bss123q - 7 serie bss123q
DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 7.7a (pd) 25mwh @ 5a, encapsulada en 10v con tubo de efecto de campo powerdi - 3333 - 8 (mosfet) marca diodes (meitai) dmp6023lfgq - 13 serie dmp6023lfgq
DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 2.4a Potencia (pd) 840mw canal P resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 160mwh @ 4.5v, 1a encapsulado Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmg2301lk - 7 serie dmg2301lk
DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1,1w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 1.3a Potencia (pd) 350 MWH @ 10v, 1.4a encapsulada Sot - 26 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) zxmp10a17e6ta serie zxmp10a17e6ta
DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 60a Potencia (pd) 113w; Resistencia de conducción P del canal de 2,6w (rds (on) @ vgs, id) 18mwh @ 17a, encapsulada en 10v powerdi5060 - 8 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp6018lpsq - 13 serie dmp6018lpsq
DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1.25w (rds (on) @ vgs, id) 45mwh @ 10v, 5a encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 26 (mosfet) marca diodes (midea) dmp3056ldm - 7 serie dmp3056ldm