DescripciónTensión umbral de 130 V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 770mw de corriente 1a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 750mwh @ 10v, embalaje 2A de la marca Sot - 23 Field efector (mosfet) diodes (meitai) dmn13h750s - 7 serie dmn13h750s
DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 2.5a Potencia (pd) resistencia de conducción P del canal de 500mw (rds (on) @ vgs, id) 90 MWH @ 4.5v, 1.5a encapsulada Sot - 323 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2165uw - 7 serie dmp2165uw
DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@250uA Corriente 6.5a Potencia (pd) resistencia de conducción n del Canal 1.3w (rds (on) @ vgs, id) 25mwh @ 4.5v, 6.5a encapsulada Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmg6968u - 7 serie dmg6968u
DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@1mA Corriente 130 Ma Potencia (pd) 300mw canal 2 resistencias de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 10 Omega @ 5v, 100ma encapsulado Sot - 363 - 6 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) bss84dw - 7 - F serie bss84dw
DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@100uA Resistencia de conducción n del canal de 350mw (rds (on) @ vgs, id) de 300ma de Potencia (pd) 1,7omega @ 2,7v, 200ma encapsulada Sot - 23 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2005k - 7 serie dmn2005k
DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del Canal 2w de potencia 3a actual (pd) (rds (on) @ vgs, id) 125 MWH @ 10v, encapsulada en 2.2a con tubo de efecto de campo Sot - 223 (mosfet) marca diodes (meitai) zxmp6a17gta serie zxmp6a17gta
DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3.5V@1mA Corriente 75ma Potencia (pd) 330mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 20 Omega @ 10v, 150ma encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (midea) zvp3310fta serie zvp3310fta
DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 310mw (rds (on) @ vgs, id) 750mwh @ 4,5v, 430ma encapsulada Sot - 323 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmg1013uw - 7 serie dmg1013uw
DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.2V@250uA Corriente 3.3a Potencia (pd) 700mw canal P resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 33mwh @ 10v, 4.4a encapsulado dfn - 6 (2x2) tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (midea) dmp4047lfde - 7 serie dmp4047lfde
DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de corriente 10a (pd) 2,5w (rds (on) @ vgs, id) 13 MWH @ 10v, 10a encapsulada SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmp2022lss - 13 serie dmp2022lss