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Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
DMN30H4D0L-7

DMN30H4D0L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN30H4D0L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónTensión umbral de 300v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 310mw (rds (on) @ vgs, id) 4omega @ 10v, 300ma encapsulada Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn30h4d0l - 7 serie dmn30h4d0l
  • PDF DMN30H4D0L-7.pdf
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DMG3402L-7

DMG3402L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG3402L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.4V@250uA Resistencia de conducción n del canal de corriente 4a Power (pd) 1,4w (rds (on) @ vgs, id) 52mwh @ 10v, 4a encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) dmg3402l - 7 serie dmg3402l
  • PDF DMG3402L-7.pdf
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DMN3023L-7

DMN3023L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN3023L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.8V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 900 MW (rds (on) @ vgs, id) de corriente 6.2a (pd) 25mwh @ 10v, 4a encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (midea) dmn3023l - 7 serie dmn3023l
  • PDF DMN3023L-7.pdf
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DMP10H400SK3-13

DMP10H400SK3-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP10H400SK3-13
  • PaqueteTO-252
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 42w de corriente 9a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 240mwh @ 10v, 5a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca diodes (meitai) dmp10h400sk3 - 13 serie dmp10h400sk3
  • PDF DMP10H400SK3-13.pdf
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DMN2056U-7

DMN2056U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN2056U-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 940 MW de potencia 4a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 38mwh @ 4.5v, 3.6a encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) dmn2056u - 7 serie dmn2056u
  • PDF DMN2056U-7.pdf
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DMP2305U-7

DMP2305U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2305U-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 900mV@250uA Resistencia de conducción P del canal de 1,4w (rds (on) @ vgs, id) de corriente 4.2a Power (pd) 60mwh @ 4.5v, 4.2a encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmp2305u - 7 serie dmp2305u
  • PDF DMP2305U-7.pdf
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DMN1019USN-7

DMN1019USN-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN1019USN-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 12v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 800mV@250uA Corriente 9.3a Potencia (pd) 680mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 10mwh @ 4v, 9.7a encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn1019 usn - 7 serie dmn1019 usn
  • PDF DMN1019USN-7.pdf
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DMP2120U-7

DMP2120U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2120U-7
  • PaqueteSOT-23-3
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 800mw (rds (on) @ vgs, id) 62mwh @ 4,5v, encapsulada en Sot - 23 - 3 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2120u - 7 serie dmp2120u
  • PDF DMP2120U-7.pdf
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DMG3415UQ-7

DMG3415UQ-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMG3415UQ-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 900 MW de potencia 4a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 39mwh @ 4.5v, 4a encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) dmg3415uq - 7 serie dmg3415uq
  • PDF DMG3415UQ-7.pdf
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DMHC3025LSD-13

DMHC3025LSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMHC3025LSD-13
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 6a; 4.2a Potencia (pd) Canal 1.5w 2 n y 2 resistencias de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 25mwh @ 5a, 10v encapsulado SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (midea) dmhc3025lsd - 13 serie dmhc3025lsd
  • PDF DMHC3025LSD-13.pdf
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