DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 2.4a Potencia (pd) 720mw canal P resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 100mwh @ 4.5v, 3.3a encapsulado Sot - 23 - 3 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (midea) dmp4065s - 7 serie dmp4065s
DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 300mw (rds (on) @ vgs, id) de 500ma de Potencia (pd) de corriente 5 Omega @ 10v, 200ma encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) mmbf170 - 7 - F serie mmbf170
DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1.2V@250uA Resistencia de conducción P del canal de corriente 3a (pd) 1,5w (rds (on) @ vgs, id) 1,5w encapsulada Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmg2301l - 7 serie dmg2301l
DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@1mA Corriente 130 Ma Potencia (pd) 300mw canal P resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 10 Omega @ 5v, 100ma encapsulado Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) bss84 - 7 - F serie bss84
DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 150mw (rds (on) @ vgs, id) 7,5 Omega @ 5v, 50ma encapsulada Sot - 523 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) 2n7002t - 7 - F serie 2n7002t
DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Corriente 200 ma Potencia (pd) 200 MW canal 2 resistencia de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 3,5 Omega @ 10v, 220ma encapsulado Sot - 363 - 6 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) bss138dw - 7 - F serie bss138dw
DescripciónTensión umbral de 600v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 4.5V@250uA Resistencia de conducción n del Canal N (rds (on) @ vgs, id) 160 Omega @ 10v, 16mA encapsulada Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) serie bss127s - 7
DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 200MW (rds (on) @ vgs, id) 7,5 Omega @ 5v, 50ma encapsulada Sot - 323 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) 2n7002w - 7 - F serie 2n7002w