DescripciónVoltaje umbral de 200v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@1mA Corriente 60ma Potencia (pd) 330mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 25 Omega @ 10v, 100ma encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (midea) zvn33202fta serie zvn3320fta
DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@50uA Resistencia a la conducción n del canal de 800mw (rds (on) @ vgs, id) de corriente 4.2a Power (pd) 90mwh @ 4.5v, 3.6a encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) dmg2302u - 7 serie dmg2302u
DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 370mw (rds (on) @ vgs, id) 1,6 Omega @ 500ma, embalaje de 10v Sot - 23 - 3 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn53d0l - 7 serie dmn53d0l
DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 230ma Potencia (pd) 300mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 3 Omega @ 4,5v, 100ma encapsulado Sot - 523 - 3 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn26d0ut - 7 serie dmn26d0ut
DescripciónVoltaje umbral de 30v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 1.4a Potencia (pd) 625mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 220mwh @ 10v, 910ma encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) zxm61n03fta serie zxm61n03fta
DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 800mw (rds (on) @ vgs, id) 45mwh @ 4,5v, 4a encapsulada Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2045u - 7 serie dmp2045u
DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@1mA Corriente 170ma Potencia (pd) 200MW Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 6omega @ 10v, 170ma encapsulado Sot - 323 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) bss123w - 7 - F serie bss123w
DescripciónTensión umbral de 240v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 480ma Potencia (pd) 760mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 3,5 Omega @ 10v, 300ma encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn24h3d5l - 7 serie dmn24h3d5l
DescripciónVoltaje umbral de 40v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 14a; Resistencia de conducción P del canal de 35a Power (pd) 3.5w (rds (on) @ vgs, id) 11mwh @ 10v, 9.8a encapsulada en tubo de efecto de campo to - 252 (mosfet) marca diodes (meitai) dmp4015sk3q - 13 serie dmp4015sk3q
DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Corriente 460ma Potencia (pd) 270mw canal P resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 700mohm @ 4,5v, 350 ma encapsulado Sot - 523 Field efector tube (mosfet) marca diodes (meitai) dmg1013t - 7 serie dmg1013t