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Casa > Todos los productos > Tripolar / mos / Transistor > Tubo de efecto de campo (mosfet)
BSN20-7

BSN20-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBSN20-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 1.5V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 600mw (rds (on) @ vgs, id) de 500ma de Potencia (pd) de corriente 1,8omega @ 10v, 220ma encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) serie bsn20 - 7 bsn20
  • PDF BSN20-7.pdf
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DMN6075S-7

DMN6075S-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN6075S-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Resistencia de conducción n del canal de 800mw de potencia 2a (pd) (rds (on) @ vgs, id) 85mwh @ 10v, encapsulada en 3.2a marca Sot - 23 Field efector (mosfet) diodes (meitai) serie dmn6075s - 7 dmn6075s
  • PDF DMN6075S-7.pdf
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DMN6040SSD-13

DMN6040SSD-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN6040SSD-13
  • PaqueteSOP-8
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 5a Potencia (pd) Canal 1.3w 2 resistencias de conducción N (rds (on) @ vgs, id) 40mwh @ 10v, 4.5a encapsulado SOP - 8 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn6040ssd - 13 serie dmn6040ssd
  • PDF DMN6040SSD-13.pdf
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DMN6140L-13

DMN6140L-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN6140L-13
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 1.6a Potencia (pd) 700mw Canal N resistencia a la conducción (rds (on) @ vgs, id) 140mwh @ 10v, 1.8a encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn6140l - 13 serie dmn6140l
  • PDF DMN6140L-13.pdf
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DMP2035U-7

DMP2035U-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP2035U-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de resistencia a la presión 20v (vgs (th) @ id) 1V@250uA Resistencia de conducción P del canal de 810 MW (rds (on) @ vgs, id) de corriente 3.6a (pd) 35mwh @ 4.5v, 4a encapsulada en tubo de efecto de campo Sot - 23 (mosfet) marca diodes (meitai) dmp2035u - 7 serie dmp2035u
  • PDF DMP2035U-7.pdf
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BSS84W-7-F

BSS84W-7-F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBSS84W-7-F
  • PaqueteSOT-323
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 50V resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@1mA Corriente 130 Ma Potencia (pd) 200 MW resistencia de conducción P del Canal (rds (on) @ vgs, id) 10 Omega @ 5v, 100 ma encapsulada Sot - 323 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) bss84w - 7 - F serie bss84w
  • PDF BSS84W-7-F.pdf
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DMN65D8L-7

DMN65D8L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN65D8L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 60v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2V@250uA Corriente 310ma Potencia (pd) 370mw Canal N resistencia de conducción (rds (on) @ vgs, id) 3 Omega @ 10v, 115ma encapsulado Sot - 23 tubo de efecto de campo (mosfet) marca diodes (meitai) dmn65d8l - 7 serie dmn65d8l
  • PDF DMN65D8L-7.pdf
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DMN10H220L-7

DMN10H220L-7-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMN10H220L-7
  • PaqueteSOT-23
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA Corriente 1.4a Potencia (pd) resistencia de conducción n del canal de 1.3w (rds (on) @ vgs, id) 220momega @ 10v, embalaje Sot - 23 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmn10h220l - 7 serie dmn10h220l
  • PDF DMN10H220L-7.pdf
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DMP10H400SE-13

DMP10H400SE-13-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloDMP10H400SE-13
  • PaqueteSOT-223
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónVoltaje umbral de 100v resistente a la presión (vgs (th) @ id) 3V@250uA Corriente 2.3a; 6a Potencia (pd) 2w; Resistencia de conducción P del canal de 13.7w (rds (on) @ vgs, id) 250mohm @ 10v, 5a encapsulada Sot - 223 Field efector (mosfet) marca diodes (meitai) dmp10h400se - 13 serie dmp10h400se
  • PDF DMP10H400SE-13.pdf
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BSS8402DW-7-F

BSS8402DW-7-F-DIODES(美台)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloBSS8402DW-7-F
  • PaqueteSOT-363-6
  • FabricanteDIODES(美台)
  • DescripciónResistencia a la presión 60v; Tensión umbral de 50V (vgs (th) @ id) 2.5V@250uA V; 2V@1mA Corriente 115ma; 130ma Potencia (pd) 200MW canal 1 n; 1 resistencia de conducción P (rds (on) @ vgs, id) 3,2 Omega @ 5v, 0,05a; 10 Omega @ 5v, 0.1a encapsula Sot - 363 - 6 Field efective Pipe (mosfet) marca diodes (meitai) bss8402dw - 7 - F serie bss8402dw
  • PDF BSS8402DW-7-F.pdf
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