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ST(意法半导体)

ST(意法半导体)

STP20N65M5

STP20N65M5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP20N65M5
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP20N65M5封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)650V连续漏极电流(Id)18A功率(Pd)130W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)190mΩ@9A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)45nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.345nF@100V反向传输…
  • PDF STP20N65M5.pdf
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STQ2HNK60ZR-AP

STQ2HNK60ZR-AP-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTQ2HNK60ZR-AP
  • PaqueteTO-92
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STQ2HNK60ZR-AP封装TO-92类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)500mA功率(Pd)3W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.8Ω@1A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@50uA栅极电荷(Qg@Vgs)15nC@10V输入电容(Ciss@Vds)280pF@25V工作温度…
  • PDF STQ2HNK60ZR-AP.pdf
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STD35NF06T4

STD35NF06T4-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD35NF06T4
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD35NF06T4封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)35A功率(Pd)80W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)20mΩ@10V,17.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)60nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.3nF@25V工作温度-55℃…
  • PDF STD35NF06T4.pdf
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STP2N80K5

STP2N80K5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP2N80K5
  • PaqueteTO-220-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP2N80K5封装TO-220-3FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）800 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）4.5 欧姆 @ 1A，10V不…
  • PDF STP2N80K5.pdf
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STP55NF06

STP55NF06-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP55NF06
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP55NF06封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)50A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)18mΩ@10V,27.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)60nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.3nF@25V工作温度-55…
  • PDF STP55NF06.pdf
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STP55NF06

STP55NF06-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP55NF06
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP55NF06封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)50A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)18mΩ@10V,27.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)60nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.3nF@25V工作温度-55…
  • PDF STP55NF06.pdf
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STP80NF10

STP80NF10-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP80NF10
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP80NF10封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)100V连续漏极电流(Id)80A功率(Pd)300W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ@10V,40A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)182nC@10V输入电容(Ciss@Vds)5.5nF@25V工作温度-55…
  • PDF STP80NF10.pdf
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STP20NM60FP

STP20NM60FP-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP20NM60FP
  • PaqueteTO-220FP
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP20NM60FP封装TO-220FP类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)20A功率(Pd)45W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)250mΩ@10V,10A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)54nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.5nF@25V反向传输…
  • PDF STP20NM60FP.pdf
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STD30NF06LT4

STD30NF06LT4-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD30NF06LT4
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD30NF06LT4封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)35A功率(Pd)70W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)28mΩ@10V,18A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)31nC@5V输入电容(Ciss@Vds)1.6nF@25V工作温度-55℃…
  • PDF STD30NF06LT4.pdf
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STL76DN4LF7AG

STL76DN4LF7AG-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTL76DN4LF7AG
  • PaquetePowerVDFN-8
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STL76DN4LF7AG封装PowerVDFN-8类型2个N沟道漏源电压(Vdss)40V连续漏极电流(Id)40A导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6mΩ@10A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V输入电容(Ciss@Vds)956pF@25V工作温度-55℃~+…
  • PDF STL76DN4LF7AG.pdf
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STP20N90K5

STP20N90K5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP20N90K5
  • PaqueteTO-220-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP20N90K5封装TO-220-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)900V连续漏极电流(Id)20A功率(Pd)250W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)250mΩ@10A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)40nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.5nF@100V工作温度…
  • PDF STP20N90K5.pdf
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STP80N240K6

STP80N240K6-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP80N240K6
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP80N240K6封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)16A功率(Pd)140W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)220mΩ@7A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)25.9nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.35nF@100V工作温…
  • PDF STP80N240K6.pdf
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STF140N6F7

STF140N6F7-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTF140N6F7
  • PaqueteTO-220F-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF140N6F7封装TO-220F-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)70A功率(Pd)33W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5mΩ@10V,35A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
  • PDF STF140N6F7.pdf
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STW4N150

STW4N150-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTW4N150
  • PaqueteTO-247-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STW4N150封装TO-247-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)1.5kV连续漏极电流(Id)4A功率(Pd)160W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7Ω@10V,2A阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)50nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.3nF@25V
  • PDF STW4N150.pdf
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STP17NF25

STP17NF25-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP17NF25
  • PaqueteTO-220AB-3
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP17NF25封装TO-220AB-3类型1个N沟道漏源电压(Vdss)250V连续漏极电流(Id)17A功率(Pd)90W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)165mΩ@10V,8.5A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)29.5nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1nF@25V工作温度…
  • PDF STP17NF25.pdf
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STF8N90K5

STF8N90K5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTF8N90K5
  • PaqueteTO-220FP
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF8N90K5封装TO-220FP类型1个N沟道漏源电压(Vdss)900V连续漏极电流(Id)8A功率(Pd)130W阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
  • PDF STF8N90K5.pdf
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STF42N60M2-EP

STF42N60M2-EP-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTF42N60M2-EP
  • PaqueteTO-220FP
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STF42N60M2-EP封装TO-220FP类型1个N沟道漏源电压(Vdss)600V连续漏极电流(Id)34A功率(Pd)40W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)87mΩ阈值电压(Vgs(th)@Id)4.75V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)55nC@10V输入电容(Ciss@Vds)2.37nF@100V
  • PDF STF42N60M2-EP.pdf
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STP15N80K5

STP15N80K5-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP15N80K5
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP15N80K5封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)14A功率(Pd)190W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)375mΩ@7A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)32nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.1nF@100V反向传输电…
  • PDF STP15N80K5.pdf
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STP60NF06

STP60NF06-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTP60NF06
  • PaqueteTO-220
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STP60NF06封装TO-220类型1个N沟道漏源电压(Vdss)60V连续漏极电流(Id)60A功率(Pd)110W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)16mΩ@10V,30A阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)73nC@10V输入电容(Ciss@Vds)1.66nF@25V工作温度-55℃…
  • PDF STP60NF06.pdf
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STD5N95K3

STD5N95K3-ST(意法半导体)

  • TipoTubo de efecto de campo (mosfet)
  • ModeloSTD5N95K3
  • PaqueteDPAK
  • FabricanteST(意法半导体)
  • Descripción生产商ST(意法半导体)产品分类场效应管(MOSFET)型号STD5N95K3封装DPAK类型1个N沟道漏源电压(Vdss)950V连续漏极电流(Id)4A功率(Pd)90W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5Ω@2A,10V阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100uA栅极电荷(Qg@Vgs)19nC@10V输入电容(Ciss@Vds)460pF@25V工作温度-55℃~+15…
  • PDF STD5N95K3.pdf
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